Dislocation-free relaxed SiGe-on-insulator mesa structures fabricated by high-temperature oxidation

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 12, 2003, Pages 7553-7559

  Tezuka, Tsutomu ^a   Sugiyama, Naoharu ^a   Takagi, Shin Ichi ^a  

^a TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL LATTICES; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRIC INSULATORS; ETCHING; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; MOSFET DEVICES; OXIDATION; SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY; SUBSTRATES;

LATTICE RELAXATION; MESA ETCHING;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 0346935268     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1628404     Document Type: Article

References (23)

1. S. Takagi, IEICE Trans. Electron. E85-C, 1064 (2002).
2. L. T. Su, J. B. Jacobs, J. E. Chung, and D. A. Antoniadis, IEEE Electron Device Lett. 15, 366 (1994).
3. Y. Omura, S. Nakashima, K. Izumi, and T. Ishii, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 977, 675 (1991).
4. T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, T. Numata, T. Maeda, and S. Takagi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 31 (2002).
5. Y. Ishikawa, N. Shibata, and S. Fukatsu, Appl. Phys. Lett. 75, 983 (1999).
6. N. Sugiyama, T. Mizuno, S. Takagi, M. Koike, and A. Kurobe, Thin Solid Films 369, 199 (2000).
7. A. R. Powell, S. S. Iyer, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 64, 1856 (1994).
8. K. Brunner, H. Dobler, G. Abstreiter, H. Schäfer, and B. Lustig, Thin Solid Films 321, 245 (1998).
9. F. Y. Huang, M. A. Chu, M. O. Tanner, K. L. Wang, G. D. U'Ren, and M. S. Goorsky, Appl. Phys. Lett. 76, 2680 (2000).
10. L. J. Huang, J. O. Chu, D. F. Canaperi, C. P. D'Emic, R. M. Anderson, S. J. Koester, and H.-S. P. Wong, Appl. Phys. Lett. 78, 1267 (2001).
11. H. Yin, R. Huang, K. D. Hobart, Z. Suo, T. S. Kuan, C. K. Inoki, S. R. Shieh, T. S. Duffy, F. J. Kub, and J. C. Sturm, J. Appl. Phys. 91, 9716 (2002).
12. T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 79, 1798 (2001).
13. T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi, Mater. Sci. Eng., B 89, 360 (2002).
14. T. Tezuka, N. Sugiyama, T. Mizuno, M. Suzuki, and S. Takagi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 2866 (2001).
15. J. C. Tsang, P. M. Mooney, F. Dacol, and J. O. Chu, J. Appl. Phys. 75, 8098 (1994).
16. D. C. Houghton, C. J. Gibbings, C. G. Tuppen, M. H. Lyons, and M. A. G. Halliwell, Appl. Phys. Lett. 56, 460 (1990).
17. E. A. Fitzgerald, S. B. Samavedam, Y. H. Xie, and L. M. Giovane, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1048 (1997).
18. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
19. A. Nishida, K. Nakagawa, E. Murakami, and M. Miyao, J. Appl. Phys. 71, 5913 (1992).
20. E. P. EerNisse, Appl. Phys. Lett. 35, 8 (1979).
21. J. Welser, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, IEEE Electron Device Lett. 15, 100 (1994).
22. C. W. Leiz, M. T. Currie, M. L. Lee, Z.-Y. Cheng, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 92, 3745 (2002).
23. International Technology Roadmap for Semiconductors (2001), p. 244.