SiGe-on-insulator substrate using SiGe alloy grown Si(001)

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 7, 1999, Pages 983-985

  Ishikawa, Yukari ^a   Shibata, N ^a   Fukatsu, S ^b  

^a JAPAN FINE CERAMICS CENTER   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE; ION IMPLANTATION; ION SOURCES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING SILICON; SILICON ALLOYS;

SEPARATION-BY-IMPLANTED-OXYGEN (SIMOX);

SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY;

EID: 0032607947     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124574     Document Type: Article

References (11)

1. K. Izumi, M. Doken, and H. Ariyoshi, Electron. Lett. 14, 593 (1978).
2. S. Nakashima, T. Katayama, Y. Miyamura, A. Matuszaki, M. Kataoka, D. Ebi, M. Imai, K. Izumi, and N. Ohwada, J. Electrochem. Soc. 143, 244 (1996).
3. K. Ismail, M. Arafa, K. L. Saenger, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 66, 1077 (1995).
4. S. Fukatsu, Y. Ishikawa, T. Saito, and N. Shibata, Appl. Phys. Lett. 72, 3485 (1998).
5. H. Presting, U. Menczigar, and H. Kibbel, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1110 (1993).
6. Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, P. J. Silverman, and G. P. Watson, J. Appl. Phys. 73, 8364 (1993).
7. Y. S. Tang, J. P. Zhang, P. L. F. Hemment, B. J. Sealy, H. Liu, J. E. Castle, S. M. Newstead, A. R. Powell, T. E. Whall, and E. H. C. Parker, J. Appl. Phys. 67, 7151 (1990).
8. J. E. Castle, H. D. Liu, J. F. Watts, P. L. F. Hemment, J. P. Zhang, S. M. Newstead, A. R. Powell, T. E. Whall, and E. H. C. Parker, Mater. Sci. Eng., B 12, 199 (1992).
9. Y. Ishikawa and N. Shibata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 2427 (1991).
10. J. Eugéne, F. K. LeGoues, V. P. Kesan, S. S. Iyer, and F. M. d'Heurle, Appl. Phys. Lett. 59, 78 (1991).
11. K. Parabhakaran, T. Ogino, T. Scimeca, Y. Watanabe, and M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 64, 1839 (1994).