Influence of strain on semiconductor thin film epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 15, Issue 3, 1997, Pages 1048-1056

  Fitzgerald, E A ^a   Samavedam, S B ^a   Xie, Y H ^a,b   Giovane, L M ^a  

^a Massachusetts Institute of Technology   (United States)

^b NOKIA RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000734725     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580428     Document Type: Article

References (31)

1. S. S. Iyer, G. L. Patton, J. M. C. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Harame, IEEE Trans. Electron Devices 36, 2043 (1989).
2. R. People, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1696 (1986), and references therein.
3. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee, and S. Mader, Thin Solid Films 33, 253 (1976).
4. For a review, see E. A. Fitzgerald, Mater. Sci. Rep. 7, 87 (1991).
5. S. F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morkoc, H. Zabel, C. Choi, and N. Otsuka, J. Appl. Phys. 68, R31 (1990).
6. M. Yamaguchi, M. Tachikawa, Y. Itoh, M. Sugo, and S. Kondo, J. Appl. Phys. 69, 4518 (1990).
7. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Vac. Sci. Technol. 14, 989 (1977).
8. E. A. Fitzgerald, J. Metals 41, 20 (1989); J. Vac. Sci. Technol. B 7, 782 (1989).
9. E. A. Fitzgerald, J. Metals 41, 20 (1989); J. Vac. Sci. Technol. B 7, 782 (1989).
10. A. G. Cullis, D. J. Robbins, S. J. Barnett, and A. J. Pidduck, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1924 (1994).
11. D. E. Jesson, S. J. Pennycook, J.-M. Baribeau, and D. C. Houghton, Scanning Microscopy 8, 849 (1994).
12. S. Christiansen, M. Albrecht, H. P. Strunk, P. O. Hansson, and E. Bauser, Appl. Phys. Lett. 66, 574 (1995).
13. Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, P. J. Silverman, and G. P. Watson, J. Appl. Phys. 73, 8364 (1993).
14. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
15. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J.-M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, B. E. Weir, and L. C. Feldman, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
16. E. A. Fitzgerald, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, J. M. Woodall, and D. G. Ast, J. Appl. Phys. 63, 693 (1988).
17. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, P. J. Silverman, and M. J. Cardillo, Proc. SPIE 1855, 118 (1993).
18. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, P. J. Silverman, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 61, 1293 (1992).
19. A. T. Macrander, R. D. Dupuis, J. C. Bean, and J. M. Brown, Semiconductor Based Heterostructures: Interface Structure and Stability (TMS, Warrendale, PH, 1986), p. 80.
20. E. Koppensteiner, A. Shuh, G. Bauer, V. Holy, G. P. Watson, and E. A. Fitzgerald, J. Phys. D 28, A114 (1995).
21. Y. J. Mii, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, F. A. Thiel, B. E. Weir, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 59, 1611 (1991).
22. F. Schaffler, D. Tobben, H. J. Herzog, G. Albstreiter, and B. Hollander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992).
23. Y. H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Thiel, and G. P. Watson, Appl. Phys. Lett. 63, 2263 (1993).
24. U. Konig, A. J. Boers, F. Schaffler, and E. Kasper, Electron. Lett. 28, 160 (1992).
25. K. Ismail, B. S. Meyerson, S. Rishton, J. Chu, and S. Nelson, IEEE Electron Device Lett. 13, 229 (1992).
26. Y. H. Xie, G. H. Gilmer, C. Roland, P. J. Silverman, S. K. Buratto, J. Y. Cheng, E. A. Fitzgerald, A. R. Kortan, S. Schuppler, M. A. Marcus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 73, 3006 (1994).
27. S. Y. Shiryaev, F. Jensen, J. L. Hansen, J. W. Petersen, and A. N. Larsen, Phys. Rev. Lett. 78, 503 (1997).
28. G. P. Watson, E. A. Fitzgerald, B. Jalali, Y.-H. Xie, and B. E. Weir, J. Appl. Phys. 75, 263 (1994).
29. L. B. Freund, J. Appl. Phys. 68, 2073 (1990).
30. P. Kightley, P. J. Goodhew, R. R. Bradley, and P. D. Augustus, J. Cryst. Growth 112, 359 (1991).
31. S. B. Samavedam and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 81, 3108 (1997).