Oxidation of silicon-germanium alloys. I. An experimental study

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 11, 1997, Pages 5773-5778

  Hellberg, P E ^a   Zhang, S L ^a   D'Heurle, F M ^a,b   Petersson, C S ^a  

^a ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^b IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037480048     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366443     Document Type: Article

References (31)

1. S. S. Iyer, G. L. Patton, J. M. C. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Harame, IEEE Trans. Electron Devices 36, 2043 (1989).
2. D. K. Nayak, J. C. S. Woo, J. S. Park, K.-L. Wang, and K. P. MacWilliams, IEEE Electron Device Lett. 12, 154 (1991).
3. S. Verdonckt-Vandebroek, E. F. Crabbe, B. S. Meyerson, D. L. Harame, P. J. Restle, J. M. C. Stork, and J. B. Johnson, IEEE Trans. Electron Devices 41, 90 (1994).
4. T.-J. King, J. R. Pfiester, J. D. Shott, J. P. McVittie, and K. C. Saraswat, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 253 (1990).
5. T.-J. King and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1581 (1994).
6. O. W. Holland, C. W. White, and D. Fathy, Appl. Phys. Lett. 51, 520 (1987).
7. F. K. LeGoues, R. Rosenberg, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 54, 644 (1989).
8. J. Eugène, F. K. LeGoues, V. P. Kesan, S. S. Iyer, and F. M. d'Heurle, Appl. Phys. Lett. 59, 78 (1991).
9. S.-G. Park, W. S. Liu, and M.-A. Nicolet, J. Appl. Phys. 75, 1764 (1994).
10. J. P. Zhang, P. L. F. Hemment, S. M. Newstead, A. R. Powell, T. E. Whall, and E. H. C. Parker, Thin Solid Films 222, 141 (1992).
11. A. K. Rai and S. M. Prokes, J. Appl. Phys. 72, 4020 (1992).
12. H. Tsutsu, W. J. Edwards, D. G. Ast, and T. I. Kamins, Appl. Phys. Lett. 64, 297 (1994).
13. J. Xiang, N. Herbots, H. Jacobsson, P. Ye, S. Hearne, and S. Whaley, J. Appl. Phys. 80, 1857 (1996).
14. D. K. Nayak, K. Kamjoo, J. S. Park, J. C. S. Woo, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 57, 369 (1990).
15. D. C. Paine, C. Caragianis, and A. F. Schwartzman, J. Appl. Phys. 70, 5076 (1991).
16. M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, C. K. Maiti, D. K. Nayak, and Y. Shiraki, J. Appl. Phys. 78, 6135 (1995).
17. M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, D. K. Nayak, and C. K. Maiti, Appl. Phys. Lett. 68, 1262 (1996).
18. V. Craciun, I. W. Boyd, A. H. Reader, W. J. Kersten, F. J. G. Hakkens, P. H. Oosting, and D. E. W. Vandenhoudt, J. Appl. Phys. 75, 1972 (1994).
19. P.-E. Hellberg, S.-L. Zhang, F. M. d'Heurle, and C. S. Petersson, J. Appl. Phys. 82, 5779 (1997).
20. L. R. Doolittle, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 9, 334 (1985).
21. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
22. S. M. Sze, VLSI Technology 2nd ed. (McGraw-Hill, New York, 1988), p. 315.
23. J. Sladkova, Czech. J. Phys. Sect. B 27, 943 (1977).
24. I. Barin and O. Knacke, Thermochemical Properties of Inorganic Substances (Springer, Berlin, 1973).
25. G. L. McVay and A. R. DuCharme, Phys. Rev. B 9, 627 (1974).
26. B. L. Sharma, Defect Diffus. Forum 70&71, 1 (1990).
27. W. Frank, U. Gösele, H. Mehrer, and A. Seeger, Diffusion in Crystalline Solids (Academic, New York, 1984), p. 63.
28. K. Prabkakaran, T. Ogino, T. Scimeca, Y. Watanabe, and M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 64, 1839 (1994).
29. C. Wagner, J. Electrochem. Soc. 103, 627 (1956).
30. P. Kofstad, High Temperature Corrosion (Elsevier Applied Science, London, 1988), pp. 342-388.
31. F. Edelman, R. Brener, C. Cytermann, M. Eizenberg, R. Weil, and W. Beyer, Appl. Phys. Lett. 67, 389 (1995).