Al2O3/Si3N4 insulated gate channel-doped AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with regrown ohmic structure: Low gate leakage current with high transconductance

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 44, Issue 4 B, 2005, Pages 2747-2750

  Maeda, Narihiko ^a   Makimura, Takashi ^a   Wang, Chengxin ^a   Hiroki, Masanobu ^a   Makimoto, Toshiki ^b   Kobayashi, Takashi ^a   Enoki, Takatomo ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

^b NTT Basic Research Laboratories   (Japan)

Author keywords

Al2O3 Si3N4gate insulator; Channel doped; GaN; MIS HFET; Regrown ohmic

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC POTENTIAL; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; OHMIC CONTACTS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; TRANSCONDUCTANCE;

AL2O3/SI3N4 GATE INSULATORS; CHANNEL DOPED; MIS-HFET; REGROWN OHMIC;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 21244478559     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.2747     Document Type: Conference Paper

References (30)

1. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Mcdermott and J. A. Higgins: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 325.
2. S. C. Binari, J. M. Redwing, G. Keiner and W. Kruppa: Electron Lett. 33 (1997) 242.
3. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 50.
4. N. Maeda, T. Saitoh, K. Ttsubaki, T. Nishida and N. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L987.
5. N. Maeda, K. Tsubaki, T. Saitoh and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1634.
6. Y. Okamoto, Y. Ando, K. Hataya, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue and M. Kuzuhara: Electron Lett. 39 (2003) 1474.
7. K. Joshin, T. Kikkawa, H. Hayashi, T. Maniwa, S. Yokokawa, M. Yokoyama, N. Adachi and M. Takikawa: IEDM2003 Tech. Dig. p. 983.
8. Y.-F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. P. Smith, S. Sheppard, P. M. Chavarkar, T. Wisleder, U. K. Mishra and P. Parikh: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 117.
9. M. A. Kahn, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska and M. S. Sher: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1339.
10. E. J. Miller, X. Z. Dang and E. T. Yu: J. Appl. Phys. 88 (2000) 5951.
11. M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 63.
12. M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, J. Yang, R. Gaska and M. S. Shur: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1339.
13. E. Chumbes, J. Smart, T. Prunty and J. Shealy: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 416.
14. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2832.
15. M. Ochiai, M. Akita, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa and T. Mizutani: Ext. Abstr. 2002 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Nagoya, 2002, p. 520.
16. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy and L. F. Eastman: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 268.
17. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim. O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff and J. R. Shealy: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 2651.
18. T. Hashizume, S. Ootomo, S. Oyama, M. Konishi and H. Hasegawa: J. Vac. Sci. & Technol. B 19 (2001) 1675.
19. T. Mizutani. Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto and K. Maezawa: Phys. Status Solidi A 194 (2002) 447.
20. S. Ootomo, T. Hashizume and H. Hasegawa: Phys. Status Solidi A 180 (2002) 371.
21. T. Hashizume, J. Kotani and H. Hasegawa: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 4884.
22. T. Hashizume, S. Anantathanasarn, N. Negoro, E. Sano, H. Hasegawa, K. Kumakura and T. Makimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L777.
23. N. Maeda, T. Tawara, T. Saitoh, K. Tsubaki and N. Kobayashi: Phys. Status Soldi A 200 (2003) 168.
24. C. H. Chen, S. Keller, G. Parish, R. Vetury, P. Kozodoy, E. L. Hu, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 3147.
25. N. Maeda, K. Tsubaki, T. Saitoh and N. Kobayashi: Phys. Status Solidi A 188 (2001) 223.
26. S. Yoshida, D. Wang and M. Ichikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L820.
27. T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno and T. Jimbo: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 121.
28. H. Okita, K. Kaifu, J. Mita, T. Yamada, Y. Sano, H. Ishikawa, T. Egawa and T. Jimbo: Phys. Status Solidi A 200 (2003) 187.
29. V. Adivarahan, M. Gaevski, W. H. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, S. Saygi, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur and R. Gaska: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 541.
30. A. Chini, J. Wittich, S. Heikman S. Keller, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 55.