Superior pinch-off characteristics at 400 °C in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 38, Issue 9 A/B, 1999, Pages

  Maeda, Narihiko ^a   Saitoh, Tadashi ^a   Tsubaki, Kotaro ^a   Nishida, Toshio ^a   Kobayashi, Naoki ^a  

^a NTT Basic Research Laboratories   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL DEFECTS; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ETCHING; HETEROJUNCTIONS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SILICON CARBIDE; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS; TRANSCONDUCTANCE;

PINCH-OFF CHARACTERISTICS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 0033318983     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.38.l987     Document Type: Article

References (21)

1. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. McDermott and J. A. Higgins: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 325.
2. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1438.
3. S. C. Binari, J. M. Redwing, G. Kelner and W. Kruppa: Electron. Lett. 33 (1997) 242.
4. Q. Chen, J. W. Yang, R. Gaska, M. A. Khan, M. S. Shur, G. J. Sullivan, A. L Sailor, J. A. Higgings. A T. Ping and I. Adesida: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 44.
5. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 50.
6. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan and I. Adesida: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 54.
7. C. Chen, S. Keller, G. Parish, R. Vetury, P. Kozodoy, E. L. Hu, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 3147.
8. M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burm and W. Schaff: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1083.
9. O. Aktas, Z. F. Fan, S. N. Mohammad, A. E. Bothkarev and H. Morkoc: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3872.
10. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 18 ( 1997) 492.
11. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, L. Pond, C. E. Weitzel and E. Kohn: Proc. Device Research Conf. Virginia, 1998 (Publishing Services, IEEE, New York, 1998) p. 114.
12. A. Bykhovski, B. Gelmont and M. Shur: J. Appl. Phys. 74 (1993) 6734.
13. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont and M. S. Shur: J. Appl. Phys. 78 (1995) 3691.
14. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont and M. S. Shur: J. Appl. Phys. 81 (1997) 6332.
15. R. Gaska, J. W. Yang, A. D. Bykhovski M. S. Shur, V. V. Kaminskii and S. Soloviov: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 3817.
16. R. Gaska, J. W. Yang, A. D. Bykhovski, M. S. Shur, V. V. Kaminskii and S. Soloviov: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 64.
17. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove and J. Redwing: Electron. Lett. 33 (1997) 1230.
18. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao and S. S. Lau: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2794.
19. N. Maeda, T. Nishida, N. Kobayashi and M. Tomizawa: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1856.
20. T. Saitoh, H. Gotoh, T. Sogawa and H. Kanbe: Mater. Res. Symp. Proc. 442 (1997) 63.
21. M. Shur, B. Gelmont and M. A. Khan: J. Electron. Mater. 25 (1996) 777.