Recessed gate AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors on sapphire

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 1, 2000, Pages 121-123

  Egawa, T ^a   Ishikawa, H ^a   Umeno, M ^a   Jimbo, T ^a  

^a NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000793148     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125676     Document Type: Article

References (6)

1. M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, M. S. Shur, B. T. Dermott, and J. A. Higgins, IEEE Electron Device Lett. 17, 325 (1996).
2. Y.-F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
3. J. M. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujja, R. S. Newrock, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).
4. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H. B. Dietrich, and A. E. Wickenden, Solid-State Electron. 41, 177 (1997).
5. J. Burm, W. J. Schaff, G. H. Matin, L. F. Eastman, H. Amano, and I. Akasaki, Solid-State Electron. 41, 247 (1997).
6. T. Egawa, K. Nakamura, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2630 (1999).