Kinetics of scanned probe oxidation: Space-charge limited growth

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 11, 2000, Pages 8148-8154

  Dubois, Emmanuel ^a   Bubendorff, Jean Luc ^a  

^a Institut Superieur de l'Electronique et du Numerique   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001235849     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373510     Document Type: Article

References (26)

1. K. Matsumoto, M. Ishii, and K. Segawa, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1331 (1996).
2. P. M. Campbell, E. S. Snow, and P. J. McMarr, Appl. Phys. Lett. 66, 1388 (1995).
3. D. Stiévenard, P. A. Fontaine, and E. Dubois, Appl. Phys. Lett. 70, 3272 (1997).
4. J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, and H. Yokoyama, J. Appl. Phys. 84, 6891 (1998).
5. P. Avouris, T. Hertel, and R. Martel, Appl. Phys. Lett. 71, 285 (1997).
6. L. Ley, T. Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, and M. Hundhausen, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2845 (1996).
7. N. Cabrera and N. F. Mott, Rep. Prog. Phys. 12, 163 (1948).
8. H. Z. Massoud, J. D. Plummer, and E. A. Irene, J. Electrochem. Soc. 132, 2685 (1985).
9. R. B. Beck, M. Patyra, J. Ruzillo, and A. Jakubowski, Thin Solid Films 67, 261 (1980).
10. A. H. M. Kamal, S. Nomura, and T. Endoh, J. Electrochem. Soc. 141, 2227 (1994).
11. D. R. Wolters and A. T. A. Zegers-van Duynhoven, J. Appl. Phys. 65, 5126 (1989).
12. W. D. Eades and R. M. Swanson, J. Appl. Phys. 58, 4267 (1985).
13. T. Hattori, Y. Ejiri, and K. Saito, and M. Yasutake, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 2586 (1994).
14. T. Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, M. Hundhausen, and L. Ley, Appl. Phys. Lett. 67, 3144 (1995).
15. R. Garcia, M. Calleja, and F. Perez-Murano, Appl. Phys. Lett. 72, 2295 (1998).
16. E. Dubois and J. L. Bubendorff, Solid-State Electron. 43, 1085 (1999).
17. E. S. Snow and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994).
18. P. A. Fontaine, E. Dubois, and D. Stiévenard, J. Appl. Phys. 84, 1776 (1998).
19. H. Sugimura, T. Uchida, N. Kitamura, and H. Masuhara, Appl. Phys. Lett. 63, 1288 (1993).
20. K. Matsumoto, Proc. IEEE 85, 612 (1997).
21. K. Matsumoto, Y. Gotoh, J. Shirakashi, T. Maeda, and J. S. Harris, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 155 (1997).
22. K. Matsumoto, Y. Gotoh, J. Shirakashi, T. Maeda, J. A. Dagata, and J. S. Harris, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 449 (1998).
23. A. Ohata, A. Toriumi, M. Iwase, and K. Natori, J. Appl. Phys. 68, 200 (1990).
24. M. H. Tsai, H. Muto, and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 61, 1691 (1992).
25. M. Schulz, J. Appl. Phys. 74, 2649 (1993).
26. S. T. Martin, G. P. Li, E. Worley, and J. White, Appl. Phys. Lett. 67, 2860 (1995).