Nanofabrication with proximal probes

Proceedings of the IEEE

Volumn 85, Issue 4, 1997, Pages 601-611

  Snow, Eric S ^a   Campbell, Paul M ^a   Perkins, F Keith ^a  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

Lithography; MIM devices; Semiconductor device fabrication

Indexed keywords

ANODIC OXIDATION; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL MODIFICATION; ETCHING; MASKS; MIM DEVICES; MONOLAYERS; MOS DEVICES; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE;

SELF ASSEMBLING MONOLAYER FILMS;

NANOTECHNOLOGY;

EID: 0031121269     PISSN: 00189219     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1109/5.573744     Document Type: Article

References (88)

1. D. M. Eigler and E. K. Schweizer, Nature, vol. 344, p. 524, 1990.
2. M. A. McCord and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Tech., vol. B6, p. 293, 1988.
3. A. L. DeLozanne, E. E. Ehrichs, and W. F. Smith, J. Phys.: Condens. Matter, vol. 5, p. A409, 1993.
4. L. Stockman, G. Neuttiens, C. Van Haesendonck, and Y. Bruynseraede, Appl. Phys. Lett., vol. 62, p. 2935, 1993.
5. J. A. Dagata, J. Schneir, H. H. Harary, C. J. Evans, M. T. Postek, and J. Bennet, Appl. Phys. Lett., vol. 56, p. 2001, 1990.
6. E. S. Snow and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett., vol. 64, p. 1932, 1994.
7. E. S. Snow, P. M. Campbell, and P. J. McMarr, Appl. Phys. Lett., vol. 63, p. 749, 1993.
8. F. K. Parkins, E. A. Dobisz, S. L. Brandow, J. M. Calvert, J. E. Kosakowski, and C. R. K. Marrian, Appl. Phys. Lett., vol. 68, p. 550, 1996.
9. K. Matsumoto, S. Takahashi, M. Ishii, M. Hoshi, A. Kurokawa, S. Ichimura, and A. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 34, p. 1387, 1995.
10. E. S. Snow and P. M. Campbell, Sci, vol. 270, p. 1639, 1995.
11. M. Wendel, S. Kühn, H. Lorenz, J. P. Kotthaus, and M. Holland, Appl. Phys. Lett., vol. 65, p. 1775, 1994.
12. S. C. Minne, H. T. Soh, Ph. Flueckiger, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett., vol. 66, p. 703, 1995.
13. P. M. Campbell, E. S. Snow, and P. J. McMarr, Appl. Phys. Lett., vol. 66, p. 1388, 1995.
14. K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett., vol. 68, p. 34, 1996.
15. E. S. Snow, D. Park, and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett., vol. 69, p. 269, 1996.
16. S. C. Minne, S. R. Manalis, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett., vol. 67, p. 3918, 1995.
17. J. A. Dagata, J. Schneir, H. H. Harary, J. Bennett, and W. Tseng, J. Vac. Sci. B, vol. 9, p. 1384, 1991.
18. N. Barniol, F. Perez-Murano, and X. Aymerich, Appl. Phys. Lett., vol. 61, p. 462, 1992.
19. H. Sugimura, N. Kitamura, and H. Masuhara, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 33, p. L143, 1994.
20. L. Tsau, D. Wang, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett., vol. 64, p. 2133, 1994.
21. D. Wang, L. Tsau, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett., vol. 65, p. 1415, 1994.
22. J. W. Lyding, T.-C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abelin, Appl. Phys. Lett., vol. 64, p. 2010, 1994.
23. T.-C. Shen, C. Wang, J. W. Lyding, and J. R. Tucker, Appl. Phys. Lett., vol. 66, p. 976, 1995.
24. E. S. Snow, P. M. Campbell, and P. J. McMarr, Nanotechnology, to appear.
25. E. S. Snow, P. M Campbell, and B. V. Shanabrook, Appl. Phys. Lett., vol. 63, p. 3488, 1993.
26. N. Kramer, H. Birk, J. Jorritsma, and C. Schonenberger, Appl. Phys. Lett., vol. 66, p. 1325, 1995.
27. S. C. Minne, Ph. Flueckiger, H. T. Soh, and C. F. Quate, J. Vac. Sci. B, vol. 13, p. 1380, 1995.
28. S. Madsen, M. Mullenbom, K. Birkelund, and F. Grey, Appl. Phys. Lett., vol. 69, p. 544, 1996.
29. N. Kramer, thesis, Univ. Twente, 1996.
30. T. Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, M. Hundhausen, and L. Ley, Appl. Phys. Lett., vol. 67, p. 3144, 1995.
31. E. S. Snow, W. H. Juan, S. W. Pang, and P. M. Campbell, Appl Phys. Lett., vol. 66, p. 1729, 1995.
32. K. Ogawa, J. Allam, N. de B. Baynes, J. R. A. Cleaver, T. Mishima, and I. Ohbu, Appl. Phys. Lett., vol. 66, p. 1228 1995.
33. P. J. McMarr, B. J. Mrstik, M. S. Barger, G. Bowden, and J R. Blanco, J. Appl. Phys., vol. 67, p. 7211, 1990.
34. E. Leobandung, L. Guo, and S. Chou, Appl. Phys. Lett., vol 67, p. 2338, 1995.
35. Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, in Extended Abstracts 1995 Int. Conf. Solid State Devices, Osaka 1995, p. 189.
36. H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, and T. Ikoma, Appl. Phys. Lett., vol. 68, p. 3585, 1996.
37. J. M. Krans, J. M. van Ruitenbeek, V. V. Fisun, I. K. Yanson, and L. J. de Jongh, Nature, vol. 375, p. 767, 1995.
38. J. I. Pascual, J. Mendez, J. Gomez-Herrero, A. M. Baro, N. Garcia, U. Landman, W. D. Luedtke, E. N. Bogachek, and H.-P. Cheng, Sci., vol. 267, p. 1793, 1995.
39. C. J. Muller, J. M. van Ruitenbeek, and L. J. de Jongh, Phys. Rev. Lett., vol. 69, p. 140, 1992.
40. J. L. Costa-Kramer, N. Garcia, P. Garcia-Mochales, and P. A. Serena, Surf. Sci., vol. 342, p. LI 144, 1995.
41. J. M. Krans, C. J. Muller, I. K. Yanson, Th. C. M. Govaert, R. Hesper, and J. M. van Ruitenbeek, Phys. Rev. B, vol. 48, p. 14721, 1993.
42. K. Fujimaru and H. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 35, p. 2090, 1996.
43. The Technology of Proximal Probe Lithography, C. R. K. Marnan, Ed. Bellingham, WA: SPIE, 1993.
44. G. M. Shedd and P. E. Russell, Nanotechnology, vol. 1, pp. 67-80, 1990.
45. Shipley Corporation, 455 Forest St., Marlboro, MA 01752.
46. M. A. McCord and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 6, p. 293, 1988.
47. E. A. Dobisz and C. R. K. Maman, Appl. Phys. Lett., vol. 58, p. 2526, 1991.
48. C. F. Quate, private communication.
49. C. R. K. Marrian, F. K. Perkins, S. L. Brandow, T. S. Koloski, E. A. Dobisz, and J. M. Calvert, Appl. Phys. Lett., vol. 64, p. 1, 1994.
50. F. K. Perkins, E. A. Dobisz, C. R. K. Marrian, and S. L. Brandow, J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 13, p. 2841, 1995.
51. B. Arkles, in 7992 Hnls Silicon Compounds Register and Review, R. Anderson, G. L. Larson, and C. Smith, Eds. Piscataway, NJ: Huls America, 1992, p. 59.
52. C. N. Durfor, D. C. Turner, J. H. Georger, B. M. Peek, and D. A. Stenger, Langmuir, vol. 10, p. 148, 1994.
53. S. L. Brandow, private communication.
54. C. S. Dulcey, J. H. Georger, Jr., M.-S. Chen, S. W. McElvany, C. E. O'Ferrall, V. 1. Benezra, and J. M. Calvert, Langmuir, vol. 12, pp. 1638-1650, 1996.
55. O. S. Nakagawa, S. Ashok, C. W. Sheen, J. Martensson, and D. L. Allara, Jap. J. Appl. Phys., vol. 30, p. 3759, 1991.
56. U. Dürig, O. Züger, B. Michel, L. Häussling, and H. Ririgsdorf, Phys. Rev. B, vol. 48, p. 1711, 1993, and references therein.
57. L. A. Bumm, J. J. Arnold, M. T. Cygan, T. D. Dunbar, T. P. Burgin, L. Jones, H, D. L. Allara, J. M. Tour, and P. S. Weiss, Sci., vol. 271, p. 1705, 1996.
58. W. J. Dressick, C. S. Dulcey, J. H. Georger, Jr., G. S. Calabrese, and J. M. Calvert, J. Eleclrochem. Soc., vol. 141, p. 210, 1994.
59. D. Suh, J. K. Simons, J. W. Taylor, J. M. Calvert, and T. S. Koloski, J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 11, p. 2850, 1993.
60. T. S. Koloski, C. S. Dulcey, Q. Haralson, and J. M. Calvert, Langmuir, vol. 10, p. 3122, 1994.
61. C. S. Dulcey, private communication.
62. M. J. Lercel, G. F. Redinbo, H. G. Craighead, C. W. Sheen, and D. L. Allara, Appl. Phys. Lett., vol. 65, p. 974, 1994.
63. M. J. Lercel, G. F. Redinbo, F. D. Pardo, M. Rooks, R. C. Tiberio, P. Simpson, H. G. Craighead, C. W. Sheen, A. N. Parikh, and D. L. Allara, J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 12, p. 3663, 1994.
64. F. K. Perkins, E. A. Dobisz, S. L. Brandow, T. S. Koloski, J. M. Calvert, K. W. Rhee, J. E. Kosakowski, and C. R. K. Marrian, J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 12, p. 3725, 1994.
65. M. Lercel, M. Rooks, R. C. Tiberio, H. G. Craighead, C. W. Sheen, A. N. Parikh, and D. L. Allara, J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 13, p. 1139, 1995.
66. Y.-T. Kim and A. J. Bard, Langmuir, vol. 8, p. 1096, 1992.
67. C. B. ROSS, L. Sun, and R. M. Crooks, Langmuir, vol. 9, p. 632, 1993.
68. S. L. Brandow, W. J. Dressick, C. R. K. Marrian, G.-M. Chow, and J. M. Calvert, J. Electrochem. Soc., vol. 142, p. 2233, 1996.
69. NIPOSIT™ 468, Shipley Corporation, 455 Forest St., Marlboro, MA 01752.
70. S. L. Brandow, E. S. Snow, P. M. Campbell, and J. M. Calvert, unpublished.
71. T.-C. Shen, C. Wang, G. C. Abeln, J. R. Tucker, J. W. Lyding, Ph. Avouris, and R. E. Walkup, Sci., vol. 268, p. 1590, 1995.
72. P. D. Burrow and D. M Pearl, Nucl. Inst. Meth. Phys. Res. B, vol. 101, p. 219, 1995.
73. J. Milhaud, Chem. Phys. Lett., vol. 118, p. 167, 1985.
74. D. M. Pearl and P. D. Burrow, J. Am. Chem. Soc., vol. 115, p. 9876, 1993.
75. T. E. Sharp and J. T. Dowell, J. Chem. Phys., vol. 50, p. 3024, 1969.
76. D. P. Adams, T. M. Mayer, and B. S. Swartzentruber, J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 14, p. 1642, 1996.
77. E. A. Dobisz, H. W. P. Koops, F. K. Perkins, C. R. K. Marrian, and S. L. Brandow, J. Vac. Sci. Tech. B, 1996.
78. T. E. Sharp and J. T. Dowell, J. Chem. Phys., vol. 46, p. 1530, 1967.
79. R. DeJule, Semiconductor Int., Sept. 1996, p. 85.
80. S. D. Berger and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett., vol. 57, p.-153, 1990.
81. H. Löschner, G. Stengl, A. Chalupka, J. Fegerl, R. Fischer, G. Lammer, L. Malek, R. Nowak, C. Traher, and P. Wolf, J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 11, p. 487, 1993.
82. R. F. Pease, Materials Research Society S\mp. Proc., 1995, vol. 380, p. 165.
83. M. A. McCord and R. F. W. Pease, in ref. [43].
84. M. Peckerar, F. K. Perkins, E. A. Dobisz, and O. Glembocki, "Manufacturing considerations for quantum effect devices," SPIE, to appear.
85. E. A. Dobisz, F. K. Perkins, and M. C. Peckerar, in Advanced Lithography Handbook, J. R. Sheats, Ed. New York: Marcel Dekker, in press.
86. T. R. Albrecht, S. Akamine, M. J. Zdeblick, and C. F. Quate, 7. Vac. Sci. Tech. A, vol. 8, p. 317, 1990.
87. S. R. Manalis, S. C. Minne, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett., vol. 68, p. 871, 1996.
88. S. C. Minne, S. R. Manalis, A. Atalar, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett., vol. 68, p. 1427, 1996.