Low-temperature preparation of GaN-SiO 2 interfaces with low defect density. II. Remote plasma-assisted oxidation of GaN and nitrogen incorporation

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 22, Issue 6, 2004, Pages 2411-2418

  Bae, Choelhwyi ^a   Lucovsky, Gerald ^a  

^a NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC LAYERS; POWER-LAW KINETICS; REMOTE PLASMA-ASSISTED OXIDATION (RPAO);

EPITAXIAL GROWTH; INTERFACES (MATERIALS); LOW TEMPERATURE EFFECTS; MOS CAPACITORS; NITRIDES; OXIDATION; REACTION KINETICS; SILICA; SILICON CARBIDE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 10344234200     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1807411     Document Type: Article

References (25)

1. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
2. H. C. Casey, G. G. Fountain, R. G. Alley, B'. P. Keller, and S. P. Den-Baars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
3. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
4. L. W. Tu, W. C. Kuo, K. H. Lee, P. H. Tsao, C. M. Lai, A. K. Chu, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 77, 4 (2000).
5. E. Alekseev, A. Eisenbach, and D. Pavlidis, Electron. Lett. 35, 2145 (1999).
6. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000).
7. M. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
8. S. D. Wolter, B. P. Luther, D. L. Waltemyer, C. Önneby, S. E. Mohney, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 16, 2156 (2000).
9. H. Kim, S. J. Park, and H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 579 (2001).
10. L.-H. Peng, C.-H. Liao,Y.-C. Hsu, C.-S. Jong, C.-N. Huang, J.-K. Ho, C.-C. Chiu, and C.-Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 76, 4, 511 (2000).
11. T. Rotter, R. Ferretti, D. Mistele, F. Fedler, H. Klausing, J. Stemmer, O. K. Semchinova, J. Aderhold, and J. Graul, J. Cryst. Growth 230, 602 (2001).
12. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett. 80, 3, 446 (2002).
13. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. Davis, Appl. Surf. Sci. 166, 513 (2000).
14. H. Kim, N. M. Park, J. S. Jang, S. J. Park, and H. Hwang, Electrochem. Solid-State Lett. 4, G104 (2001).
15. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2001).
16. T. Yasuda, Y. Ma, S. Habermehl, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 60, 434 (1992).
17. G. Lucovsky, IBM J. Res. Dev. 43, 301 (1999).
18. A. Gölz, G. Lucovsky, K. Koh, D. Wolfe, H. Niimi, and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1097 (1997).
19. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, R. L. Opila, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, and R. L. Masaitis, Appl. Phys. Lett. 75, 1116 (1999).
20. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science 283, 1897 (1999).
21. S. Pal, S. K. Ray, B. R. Chakraborty, S. K. Lahiri, and D. N. Bose, J. Appl. Phys. 90, 4103 (2001).
22. C. Bae and G. Lucovsky, Surf. Sci. 532-535, 759 (2003).
23. H. Nimi, Monolayer-Level Controlled Incorporation of Nitrogen in Ultra-Thin Gate Dielectrics using Remote Plasma Processing, Ph.D. thesis, North Carolina State University (1998), p. 223.
24. J. A. Cooper, Jr., Phys. Status Solidi A 162, 305 (1997).
25. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed. (Wiley, New York, 1998), p. 371.