메뉴 건너뛰기




Volumn 162, Issue 1, 1997, Pages 305-320

Advances in SiC MOS technology

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC INSULATING MATERIALS; ENERGY GAP; INTERFACES (MATERIALS); MOS DEVICES; OXIDATION; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 0031189326     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-396x(199707)162:1<305::aid-pssa305>3.0.co;2-7     Document Type: Article
Times cited : (300)

References (35)
  • 21
    • 5544220928 scopus 로고    scopus 로고
    • L. A. LIPKIN, J. W. PALMOUR, and J. S. SUEHLE, see [17]
    • L. A. LIPKIN, J. W. PALMOUR, and J. S. SUEHLE, see [17].
  • 31
    • 5544320119 scopus 로고    scopus 로고
    • D. B. SLATER, JR., G. M. JOHNSON, L. A. LIPKIN, A. V. SUVOROV, and J. W. PALMOUR, see [27] (p. XVI-27)
    • D. B. SLATER, JR., G. M. JOHNSON, L. A. LIPKIN, A. V. SUVOROV, and J. W. PALMOUR, see [27] (p. XVI-27).


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.