A simplified picture for transient enhanced diffusion of boron in silicon

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 151, Issue 1, 2004, Pages

  Jung, M Y L ^a   Gunawan, R ^a   Braatz, R D ^a   Seebauer, E G ^a  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; COMPUTER SIMULATION; DIFFUSION IN SOLIDS; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ION IMPLANTATION; LATTICE VIBRATIONS; MAXIMUM LIKELIHOOD ESTIMATION; POINT DEFECTS; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTING BORON; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

IMPLANT INDUCED DEFECT; TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 0842268429     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1628238     Document Type: Article

References (35)

1. The International Technology Roadmap for Semiconductors, http://public.itrs.net/Files/2001ITRS/Home.htm
2. L. Pelaz, M. Jaraiz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C. S. Rafferty, D. J. Eaglesham, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett., 70, 2285 (1997).
3. L. Pelaz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossman, C. S. Rafferty, M. Jaraiz, and J. Barbolla, Appl. Phys. Lett., 74, 3657 (1999).
4. A. D. Lilak, M. E. Law, K. S. Jones, M. D. Giles, E. Andideh, M.-J. Caturla, T. Diaz de la Rubia, J. Zhu, and S. Theiss, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., IEEE, 1998, 493.
5. A. D. Lilak, S. K. Earles, K. S. Jones, M. E. Law, and M. D. Giles, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., IEEE, 1997, 493
6. M. E. Law and S. M. Cea, Comput. Mater. Sci., 12, 289 (1998).
7. M. Y. L. Jung, R. Gunawan, R. D. Braatz, and E. G. Seebauer, J. Electrochem. Soc., 150, G766 (2003).
8. R. Gunawan, M. Y. L. Jung, R. D. Braatz, and E. G. Seebauer, J. Electrochem. Soc., 150, G758 (2003).
9. J. V. Beck, and K. J. Arnold, Parameter Estimation in Engineering and Science, Wiley & Sons, New York (1977).
10. L. H. Zhang, K. S. Jones, P. H. Chi, and D. S. Simons, Appl. Phys. Lett., 67, 2025 (1995).
11. G. Hobler, and C. S. Rafferty, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 568, 123 (1999).
12. A. D. Lilak, S. K. Earles, M. E. Law, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett., 74, 2038 (1999).
13. M. J. Caturla, M. D. Johnson, and T. D. de la Rubia, Appl. Phys. Lett., 72, 2736 (1998).
14. S. Chakravarthi, and S. T. Dunham, J. Appl. Phys., 89, 3650 (2001).
15. K. J. Laidler, Chemical Kinetics, 3rd ed., Chap. 4, Harper & Row, New York (1987).
16. J. A. Van Vechten, Phys. Rev. B, 38, 9913 (1988).
17. M. Law, http://www.swamp.tec.ufl.edu/
18. H.-H. Vuong, C. S. Rafferty, S. A. Eshraghi, J. Ning, J. R. McMacken, S. Chaudhry, J. McKinley, and F. A. Stevie, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 428 (2000).
19. M. Y. L. Jung, R. Gunawan, R. D. Braatz, and E. G. Seebauer, J. Appl. Phys., Submitted.
20. L. H. Zhang, K. S. Jones, P. H. Chi, and D. S. Simons, Appl. Phys. Lett., 67, 2025 (1995)
21. M. J. Caturla, M. Foad, and T. D. de la Rubia, in Proceedings of the International, Conference on Ion Implantation Technology, Vol. 2, IEEE p. 1018 (1999).
22. H. Kobayashi, I. Nomachi, S. Kusanagi, and F. Nishiyama, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 669, J 5.3 (2001).
23. D. F. Downey, S. W. Falk, A. F. Bertuch, and S. D. Marcus, J. Electron. Mater., 28, 1340 (1999).
24. M. Y. L. Jung, R. Gunawan, R. D. Braatz, and E. G. Seebauer, J. Electrochem. Soc., 150, G838 (2003).
25. W.-C. Lee, S.-G. Lee, and K. J. Chang, J. Phys.: Condens. Matter, 10, 995 (1998).
26. G. D. Watkins, J. W. Corbett, and R. M. Walker, J. Appl. Phys., 30, 1198 (1959).
27. A. Hallen, N. Keskitalo, L. Josyula, and B. G. Svensson, J. Appl. Phys., 86, 214 (1999).
28. V. Privitera, S. Coffa, F. Priolo, K. K. Larsen, and G. Mannino, Appl. Phys. Lett., 68, 3422 (1996).
29. G. C. Bond, Catalysis by Metals, Academic Press, New York (1962).
30. P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, J. M. Poate, H. S. Luftman, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys., 81, 6031 (1997).
31. N. E. B. Cowern, G. Mannino, P. A. Stolk, F. Roozeboom, H. G. A. Huizing, J. G. M. Van Berkum, F. Cristiano, A. Claverie, and M. Jaraiz, Mater. Sci. Semicond. Process., 2, 369 (1999).
32. D. M. Camm, J. C. Gelpey, T. Thrum, G. C. Stuart, and J. K. Elliott, in Proceedings of the 10th Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP 2002, p. 5 (2002).
33. E. G. Seebauer, Surf. Sci., 316, 391 (1994).
34. Z. Du, A. F. Sarofim, and J. L. Longwell, Energy Fuels, 4, 296 (1990).
35. X.-Y. Liu, W. Windl, and M. P. Masquelier, Appl. Phys. Lett. 77, 2018 (2000).