Parameter sensitivity analysis applied to modeling transient enhanced diffusion and activation of boron in silicon

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 150, Issue 12, 2003, Pages

  Gunawan, R ^a   Jung, M Y L ^a   Braatz, R D ^a   Seebauer, E G ^a  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ANALYSIS; ACTIVATION ENERGY; BORON; DIFFUSION; FINITE DIFFERENCE METHOD; MATHEMATICAL MODELS; MAXIMUM LIKELIHOOD ESTIMATION; PARAMETER ESTIMATION; SENSITIVITY ANALYSIS; SILICON;

INTERSTITIAL BORON DIFFUSION; PARAMETER SENSITIVITY ANALYSIS; TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION;

ELECTROCHEMISTRY;

EID: 0345932933     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1619992     Document Type: Article

References (40)

1. the International Technology Roadmap for Semiconductors, http://public.itrs.net/Files/2001ITRS/Home.htm
2. Rapid Thermal Processing: Science and Technology, R. B. Fair, Editor, Academic Press, Boston (1993).
3. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 568 (1999)
4. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 610 (2000).
5. M. Y. L. Jung, R. Gunawan, R. D. Braatz, and E. G. Seebauer, AIChE J., Submitted.
6. W. Lerch, M. Gluck, N. A. Stolwijk, H. Walk, M. Schafer, S. D. Marcus, D. F. Downey, and J. W. Chow, J. Electrochem. Soc., 146, 2670 (1999).
7. R. Tomovic and M. Vukobratovic, General Sensitivity Theory, Elsevier, New York (1972).
8. P. M. Frank, Introduction to System Sensitivity Theory, Academic Press, New York, (1978).
9. A. Varma, M. Morbidelli, and H. Wu, Parametric Sensitivity in Chemical Systems, Cambridge University Press, New York (1999).
10. M. Law, http://www.swamp.tec.ufl.edu/
11. H.-H. Vuong, C. S. Rafferty, S. A. Eshraghi, J. Ning, J. R. McMacken, S. Chaudhry, J. McKinley, and F. A. Stevie, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 428 (2000).
12. M. Y. L. Jung, R. Gunawan, R. D. Braatz, and E. G. Seebauer, J. Appl. Phys., Submitted.
13. M. J. Caturla, M. Foad, and T. D. de la Rubia, in Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology, Vol. 2, IEEE, p. 1018 (1999).
14. H. Kobayashi, I. Nomachi, S. Kusanagi, and F. Nishiyama, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 669, J 5.3 (2001).
15. D. F. Downey, S. W. Falk, A. F. Bertuch, and S. D. Marcus, J. Electron. Mater., 28, 1340 (1999).
16. L. H. Zhang, K. S. Jones, P. H. Chi, and D. S. Simons, Appl. Phys. Lett., 67, 2025 (1995).
17. M. J. Caturla, M. D. Johnson, and T. D. de la Rubia, Appl. Phys. Lett., 72, 2736 (1998).
18. X.-Y. Liu, W. Windl, M. P. Masquelier, Appl. Phys. Lett., 77, 2018 (2000).
19. K. J. Laidler, Chemical Kinetics, Wiley & Sons, New York (1980).
20. M. M. Bunea, P. Fastenko, and S. T. Dunham, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 568, 135 (1999).
21. C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, D. Eaglesham, and H.-J. Gossman, Appl. Phys. Lett., 68, 2395 (1996).
22. S. Chkravarthi and S. T. Dunham, J. Appl. Phys., 89, 3650 (2001).
23. B. J. Mulvaney and W. B. Richardson, J. Appl. Phys., 67, 3197 (1990).
24. P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraíz, J. M. Poate, H. S. Luftman, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys., 81, 6031 (1997).
25. L. Pelaz, M. Jaraíz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C. S. Rafferty, D. J. Eaglesham, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett., 70, 2285 (1997).
26. N. E. B. Cowern, G. Mannino, P. A. Stolk, F. Roozeboom, H. G. A. Huizing, J. G. M. van Berkum, F. Cristiano, A. Claverie, and M. Jaraíz, Phys. Rev. Lett., 82, 4460 (1999).
27. J. A. Van Vechten, Phys. Rev. B, 38, 9913 (1988).
28. J. A. Van Vechten and C. D. Thurmond, Phys. Rev. B, 14, 3539 (1976).
29. W. Windl, M. M. Bunea, R. Stumpf, S. T. Dunham, and M. P. Masquelier, Phys. Rev. Lett., 83, 4345 (1999).
30. W. Windl, O. F. Sankey, and J. Menendez, Phys. Rev. B, 57, 2431 (1998).
31. J. Kim, F. Kirchhoff, W. G. Author, J. W. Wilkins, F. S. Khan, and G. Kresse, Phys. Rev. Lett., 83, 1990 (1999).
32. A. Bongiorno, J. Colombo, F. Cargnoni, C. Gatti, and M. Rosati, Europhys. Lett., 50, 608 (2000).
33. J. Zhu, T. D. de la Rubia, L. H. Yang, C. Mailhiot, and G. Gilmer, Phys. Rev. B, 54, 4741 (1996).
34. W. Luo, P. B. Rasband, P. Clancy, and B. W. Roberts, J. Appl. Phys., 84, 2476 (1998).
35. C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraíz, D. Eaglesham, and H.-J. Gossman, Appl. Phys. Lett., 68, 2395 (1996).
36. J. Zhu, T. Diaz de la Rubia, L. H. Yana, C. Mailhiot, and G. H. Gilmer, Phys. Rev. B, 54, 4741 (1996).
37. J. Zhu, Comput. Mater. Sci., 12, 309 (1998).
38. E. Schroer, V. Privitera, F. Priolo, E. Napolitani, A. Carnera, and S. Moffatt, Mater. Sci. Eng., B, 71, 219 (2000).
39. E. J. H. Collart, A. J. Murrell, M. A. Foad, J. A. van de Berg, S. Zhang, D. Armour, R. D. Goldberg, T.-S. Wang, A. G. Cullis, T. Clarysse, and W. Vandervorst, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 435 (2000).
40. D. Eaglesham, Phys. World, 8, 41 (1995).