Effect of N2 discharge treatment on AlGaN/GaN high electron mobility transistor ohmic contacts using inductively coupled plasma

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 18, Issue 4 I, 2000, Pages 1149-1152

  Zhang, A P ^a   Dang, G T ^a   Ren, F ^a   Van Hove, J M ^b   Klaassen, J J ^b   Chow, P P ^b   Cao, X A ^a   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b SVT ASSOCIATES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; ELECTRIC RESISTANCE; GOLD; METALLIZING; NITRIDES; OHMIC CONTACTS; PLASMA APPLICATIONS; PLATINUM; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SPUTTER DEPOSITION; TITANIUM;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; GALLIUM NITRIDE; ION FLUXES;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 0034225491     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.582315     Document Type: Article

References (32)

1. J.-Y. Duboz and M. A. Khan, in Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Clarendon, Oxford, 1998).
2. Z. Fan, S. N. Mohammad, Ö. Aktas, A. E. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 1229 (1996).
3. Y.-F. Wu, B. P. Keller, O. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
4. M. S. Shur, Solid State Electron. 42, 2119 (1998).
5. S. C. Binari, J. M. Redwing, and W. Kruppa, Electron. Lett. 33, 242 (1997).
6. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, M. A. Khan, A. O. Orlov, G. L. Snider, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 72, 707 (1998).
7. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
8. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. L. Pierson, and B. T. McDermott, IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998).
9. See, for example, S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999), and references therein.
10. L. F. Eastman, K. Chu, W. Schaff, M. Murphy, N. G. Weimann, and T. Eustis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 17 (1997).
11. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
12. L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and Y. Huang, J. Mater. Res. 11, 2257 (1996).
13. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett, 70, 57 (1997).
14. L. L. Smith, M. D. Bremser, E. D. Carlson, T. W. Weeks, Jr., Y. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 861 (1996).
15. S. Miller and R. H. Holloway, J. Electron. Mater. 25, 1709 (1996).
16. Y.-F. Wu, W. N. Jiang, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolneck, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and B. Wilson, Solid-State Electron. 41, 165 (1997).
17. H. Cordes and Y. A. Chang, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 2 (1997).
18. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 61, 1003 (1994).
19. E. Kaminska, A. Piotrowska, M. Guziewicz, S. Kasjaniuk, A. Barcz, E. Dynowska, M. D. Bremser, O. H. Nam, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1055 (1996).
20. M. W. Cole et al., J. Appl. Phys. 80, 278 (1996).
21. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 144, L275 (1997).
22. S. E. Mohney and S. S. Lau, in GaN and Related Materials II, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997).
23. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
24. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, Ö. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
25. M. Murakumi, Y. Koide, T. Oku, H. Mori, and C. J. Uchihori, Proc.-Electrochem. Soc. 97-21, 286 (1997).
26. S. Ruvimov et al., Appl. Phys. Lett. 69, 2737 (1996).
27. L. F. Lester, J. M. Brown, J. C. Ramer, L. Zhang, S. D. Hersee, and J. C. Zolper, Appl. Phys. Lett. 69, 2737 (1996).
28. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 261 (1998).
29. A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Tobler, H. Leier, J. M. VanHove, P. P. Chow, and A. M. Wowchak, J. Cryst. Growth 201/202, 327 (1999).
30. S. J. Lai, R. Li, Y. L. Chen, L. Wang, W. G. Wu, S. G. Thomas, and K. L. Wang, Electron. Lett. (in press).
31. X. A. Cao et al., Appl. Phys. Lett. 75, 232 (1999).
32. J. M. VanHove, G. J. Casimini, E. Nelson, A. M. Wowchak, and P. P. Chow, J. Cryst. Growth 150, 908 (1995).