Nature of the highly conducting interfacial layer in GaN films

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 18, 2000, Pages 2873-2875

  Hsu, J W P ^a   Lang, D V ^a   Richter, S ^a   Kleiman, R N ^a   Sergent, A M ^a   Molnar, R J ^b  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^b MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001370397     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1320853     Document Type: Article

References (32)

1. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
2. W. Gotz, J. Walker, L. T. Romano, N. M. Johnson, and R. J. Molnar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 525 (1997).
3. W. Gotz, L. T. Romano, J. Walker, N. M. Johnson, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 72, 1214 (1998).
4. E. M. Goldys, T. Paskova, I. G. Ivanov, B. Arnaudov, and B. Monemar, Appl. Phys. Lett. 73, 3583 (1998).
5. X. L. Xu, C. D. Beling, S. Fung, Y. W. Zhao, N. F. Sun, T. N. Sun, Q. L. Zhang, H. H. Zhan, B. Q. Sun, J. N. Wang, W. K. Ge, and P. C. Wong, Appl. Phys. Lett. 76, 152 (2000).
6. R. Feenstra (private communications).
7. R. J. Molnar, W. Gotz, L. T. Romano, and N. M. Johnson, J. Cryst. Growth 178, 147 (1997).
8. American Xtal Technology, 4311 Solar Way, Fremont, CA 94538.
9. D. C. Look (private communications).
10. C. Shafai, D. J. Thomson, M. Simard-Normandin, G. Mattiussi, and P. J. Scanlon, Appl. Phys. Lett. 64, 342 (1994).
11. S. Richter, M. Geva, J. P. Garno, and R. N. Kleiman, Appl. Phys. Lett. 77, 456 (2000).
12. C. C. Williams, J. Slinkman, W. P. Hough, and H. K. Wickramasinghe, Appl. Phys. Lett. 55, 1662 (1989); Y. Huang and C. C. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 369 (1994).
13. C. C. Williams, J. Slinkman, W. P. Hough, and H. K. Wickramasinghe, Appl. Phys. Lett. 55, 1662 (1989); Y. Huang and C. C. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 369 (1994).
14. E. M. Nonnenmacher, M. P. O'Boyle, and H. K. Wickramasinghe, Appl. Phys. Lett. 58, 2921 (1991).
15. Conducting diamond tips, Nanosensors (IMO-Building, Im Amtmann 6, D35578 Wetzlar-Blankenfeld, Germany).
16. The relative SCP sign was also confirmed by imaging the cross section of an InP p-n junction.
17. G. Popovici, W. Kim, A. Botchkarev, H. Tang, H. Morkoc, and J. Solomon, Appl. Phys. Lett. 71, 3385 (1997).
18. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996); W. Gotz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, ibid. 68, 3144 (1996); V. A. Joshkin, C. A. Parker, S. M. Bedair, J. F. Muth, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, E. L. Finer, and R. J. Molnar, J. Appt. Phys. 86, 281 (1999).
19. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996); W. Gotz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, ibid. 68, 3144 (1996); V. A. Joshkin, C. A. Parker, S. M. Bedair, J. F. Muth, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, E. L. Finer, and R. J. Molnar, J. Appt. Phys. 86, 281 (1999).
20. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996); W. Gotz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, ibid. 68, 3144 (1996); V. A. Joshkin, C. A. Parker, S. M. Bedair, J. F. Muth, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, E. L. Finer, and R. J. Molnar, J. Appt. Phys. 86, 281 (1999).
21. T. Mattila and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 54, 16676 (1996).
22. C. Wetzel, T. Suski, J. W. Ager III, E. R. Weber, E. E. Haller, S. Fischer, B. K. Meyer, R. J. Molnar, and P. Perlin, Phys. Rev. Lett. 78, 3923 (1997).
23. L. T. Romano, B. S. Krusor, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997); L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, ibid. 69, 2394 (1996).
24. L. T. Romano, B. S. Krusor, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997); L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, ibid. 69, 2394 (1996).
25. X. H. Wu, P. Fini, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 189-190, 231 (1998).
26. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996); J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).
27. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996); J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).
28. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998); J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk. Th. Frauenheim, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).
29. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998); J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk. Th. Frauenheim, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).
30. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998); H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
31. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998); H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
32. D. C. Look and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999).