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Volumn 92, Issue 3, 2015, Pages

Ab initio simulation of single- and few-layer MoS2 transistors: Effect of electron-phonon scattering

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EID: 84939196553     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.92.035435     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.