Electrical characteristics of multilayer MoS2 transistors at real operating temperatures with different ambient conditions

Applied Physics Letters

Volumn 105, Issue 15, 2014, Pages

  Kwon, Hyuk Jun ^a   Jang, Jaewon ^b   Kim, Sunkook ^c   Subramanian, Vivek ^b   Grigoropoulos, Costas P ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^c Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIENT CONDITIONS; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; OPERATING TEMPERATURE;

EID: 84908052390     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4898584     Document Type: Article

References (32)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
2. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005).
3. C. Berger, Z. M. Song, T. B. Li, X. B. Li, A. Y. Ogbazghi, R. Feng, Z. T. Dai, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. de Heer, J. Phys. Chem. B 108, 19912 (2004).
4. X. L. Li, X. R. Wang, L. Zhang, S. W. Lee, and H. J. Dai, Science 319, 1229 (2008).
5. L. Y. Jiao, L. Zhang, X. R. Wang, G. Diankov, and H. J. Dai, Nature 458, 877 (2009).
6. R. Fivaz and E. Mooser, Phys. Rev. 163, 743 (1967).
7. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis, Nat. Nanotechnol. 6, 147 (2011).
8. G. L. Frey, S. Elani, M. Homyonfer, Y. Feldman, and R. Tenne, Phys. Rev. B 57, 6666 (1998).
9. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 105, 136805 (2010).
10. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, and A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 102, 10451 (2005).
11. S. Kim, A. Konar, W. S. Hwang, J. H. Lee, J. Lee, J. Yang, C. Jung, H. Kim, J. B. Yoo, J. Y. Choi, Y. W. Jin, S. Y. Lee, D. Jena, W. Choi, and K. Kim, Nat. Commun. 3, 1011 (2012).
12. H.-J. Kwon, H. Kang, J. Jang, S. Kim, and C. P. Grigoropoulos, Appl. Phys. Lett. 104, 083110 (2014).
13. H. Qiu, L. J. Pan, Z. N. Yao, J. J. Li, Y. Shi, and X. R. Wang, Appl. Phys. Lett. 100, 123104 (2012).
14. H. Liu, A. T. Neal, and P. D. D. Ye, ACS Nano 6, 8563 (2012).
15. B. Radisavljevic and A. Kis, Nat. Mater. 12, 815 (2013).
16. W. Park, J. Park, J. Jang, H. Lee, H. Jeong, K. Cho, S. Hong, and T. Lee, Nanotechnology 24, 095202 (2013).
17. L. Kou, A. Du, C. Chen, and T. Frauenheim, Nanoscale 6, 5156 (2014).
18. J. T. Lin, K. D. Huang, and C. L. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H107 (2007).
19. S. Das, H.-Y. Chen, A. V. Penumatcha, and J. Appenzeller, Nano Lett. 13, 100 (2013).
20. Y. Xu, T. Minari, K. Tsukagoshi, J. A. Chroboczek, and G. Ghibaudo, J. Appl. Phys. 107, 114507 (2010).
21. P. Prete, Nanowires (Intech, 2010), p. 395.
22. G. Ghibaudo, Electron. Lett. 24, 543 (1988).
23. H. Y. Chang, W. N. Zhu, and D. Akinwande, Appl. Phys. Lett. 104, 113504 (2014).
24. S. J. Park, D.-Y. Jeon, L. Montes, S. Barraud, G.-T. Kim, and G. Ghibaudo, Semicond. Sci. Technol. 28, 065009 (2013).
25. A. D. Franklin and Z. Chen, Nat. Nanotechnol. 5, 858 (2010).
26. W. F. Yang, S. J. Lee, G. C. Liang, R. Eswar, Z. Q. Sun, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Nanotechnol. 7, 728 (2008).
27. K. Kaasbjerg, K. S. Thygesen, and K. W. Jacobsen, Phys. Rev. B 85, 115317 (2012).
28. E. J. Tan, K.-L. Pey, N. Singh, G.-Q. Lo, D. Z. Chi, Y. K. Chin, K. M. Hoe, G. Cui, and P. S. Lee, IEEE Electron Device Lett. 29, 1167 (2008).
29. A. Rolland, J. Richard, J. P. Kleider, and D. Mencaraglia, J. Electrochem. Soc. 140, 3679 (1993).
30. K. Cho, W. Park, J. Park, H. Jeong, J. Jang, T. Y. Kim, W. K. Hong, S. Hong, and T. Lee, ACS Nano 7, 7751 (2013).
31. D. S. Jeon and D. E. Burk, IEEE Electron Devices Lett. 36, 1456 (1989).
32. Z. Fan, D. Wang, P. C. Chang, W. Y. Tseng, and J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 85, 5923 (2004).