Sensitivity enhancement of Si nanowire field effect transistor biosensors using single trap phenomena

Nano Letters

Volumn 14, Issue 6, 2014, Pages 3504-3509

  Li, Jing ^a   Pud, Sergii ^a   Petrychuk, Michail ^b   Offenhäusser, Andreas ^a   Vitusevich, Svetlana ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^b TARAS SHEVCHENKO NATIONAL UNIVERSITY OF KYIV   (Ukraine)

Author keywords

biosensors; field effect transistor; Nanowire; random telegraph signal (RTS) noise; single trap

Indexed keywords

FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOWIRES; SILICON;

BASIC PRINCIPLES; CURRENT FLUCTUATIONS; FIELD EFFECT TRANSISTOR (FETS); RANDOM TELEGRAPH SIGNAL NOISE; SENSITIVITY ENHANCEMENTS; SI NANOWIRE FIELD EFFECT TRANSISTORS; SINGLE TRAP; SWITCHING KINETICS;

BIOSENSORS;

NANOWIRE;

DEVICES; GENETIC PROCEDURES; PROCEDURES; SEMICONDUCTOR;

BIOSENSING TECHNIQUES; NANOWIRES; TRANSISTORS, ELECTRONIC;

EID: 84902239125     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl5010724     Document Type: Article

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