Observation of enhanced carrier transport properties of Si 100-oriented whiskers under uniaxial strains

Applied Physics Letters

Volumn 104, Issue 1, 2014, Pages

  Zheng, Kun ^a   Shao, Ruiwen ^a   Deng, Qingsong ^a   Zhang, Yuefei ^a   Li, Yujie ^a   Han, Xiaodong ^a   Zhang, Ze ^b   Zou, Jin ^c  

^a BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^b ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

^c UNIVERSITY OF QUEENSLAND   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPRESSIVE STRAIN; CONDUCTIVITY ENHANCEMENT; ELECTRICAL CONDUCTIVITY; HOLE EFFECTIVE MASS; MOBILITY VARIATION; P-TYPE; UNI-AXIAL STRAINS; UNIAXIAL TENSILE;

SILICON; TENSILE STRAIN;

TRANSPORT PROPERTIES;

EID: 84892166667     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4861425     Document Type: Article

References (41)

1. M. Chu, Y. Sun, U. Aghoram, and S. E. Tompson, Annu. Rev. Mater. Res. 39, 203 (2009). 10.1146/annurev-matsci-082908-145312
2. M. Chu, Y. K. Sun, U. Aghoram, and S. E. Thompson, Annu. Rev. Mater. Res. 39, 203 (2009).
3. D. H. Kim, N. S. Lu, R. Ma, Y. S. Kim, R. H. Kim, S. D. Wang, J. Wu, S. M. Won, H. Tao, A. Islam, Science 333, 838 (2011). 10.1126/science.1206157
4. D. H. Kim, J. H. Ahn, W. M. Choi, H. S. Kim, T. H. Kim, J. Z. Song, Y. G. Huang, Z. Liu, C. Lu, and J. A. Rogers, Science 320, 507 (2008). 10.1126/science.1154367
5. C. Y. Pang, G. Y. Lee, T. Kim, S. M. Kim, H. N. Kim, S. H. Ahn, and K. Y. Suh, Nature Mater. 11, 795 (2012). 10.1038/nmat3380
6. Z. L. Wang and J. H. Song, Science 312, 242 (2006). 10.1126/science. 1124005
7. B. Wei, K. Zheng, Y. Ji, Y. F. Zhang, Z. Zhang, and X. D. Han, Nano Lett. 12, 4595 (2012). 10.1021/nl301897q
8. X. B. Han, L. Z. Kou, X. L. Lang, J. B. Xia, N. Wang, R. Qin, J. Lu, J. Xu, Z. M. Liao, X. Z. Zhang, X. D. Shan, X. F. Song, J. Y. Gao, W. L. Guo, and D. P. Yu, Adv. Mater. 21, 4937 (2009). 10.1002/adma.200900956
9. X. B. Han, L. Z. Kou, Z. H. Zhang, Z. Y. Zhang, X. L. Zhu, J. Xu, Z. M. Liao, W. L. Guo, and D. P. Yu, Adv. Mater. 24, 4707 (2012). 10.1002/adma. 201104372
10. S. G. Xu, W. H. Guo, S. W. Du, M. M. T. Loy, and N. Wang, Nano Lett. 12, 5802 (2012). 10.1021/nl303132c
11. G. Signorello, S. Karg, M. T. Björk, B. Gotsmann, and H. Riel, Nano Lett. 13, 917 (2013). 10.1021/nl303694c
12. R. W. Shao, K. Zheng, Y. F. Zhang, Y. J. Li, Z. Zhang, and X. D. Han, Appl. Phys. Lett. 101, 233109 (2012). 10.1063/1.4769217
13. G. Stan, S. Krylyuk, A. V. Davydov, I. Levin, and R. F. Cook, Nano Lett. 12, 2599 (2012). 10.1021/nl300957a
14. L. Tian, Y. Q. Cheng, Z. W. Shan, J. Li, C. C. Wang, X. D. Han, J. Sun, and E. Ma, Nat. Commun. 3, 609 (2012). 10.1038/ncomms1619
15. Q. S. Deng, Y. Q. Cheng, Y. H. Yue, L. Zhang, Z. Zhang, X. D. Han, and E. Ma, Acta Mater. 59, 6511 (2011). 10.1016/j.actamat.2011.05.035
16. K. Zheng, X. D. Han, L. H. Wang, Y. H. Yue, Y. Qin, Y. F. Zhang, X. N. Zhang, and Z. Zhang, Nano Lett. 9, 2471 (2009). 10.1021/nl9012425
17. Y. H. Yue, P. Liu, Z. Zhang, X. D. Han, and E. Ma, Nano Lett. 11, 3151 (2011). 10.1021/nl201233u
18. L. H. Wang, P. Liu, P. F. Guan, M. J. Yang, J. L. Sun, Y. Q. Cheng, A. Hirata, Z. Zhang, E. Ma, M. W. Chen, and X. D. Han, Nat. Commun. 4, 2413 (2013). 10.1038/ncomms3413
19. L. H. Wang, Z. Zhang, and X. D. Han, NPG Asia Mater. 5, e40 (2013). 10.1038/am.2012.70
20. L. H. Wang, K. Zheng, Z. Zhang, and X. D. Han, Nano Lett. 11, 2382 (2011). 10.1021/nl200735p
21. J. Wang, A. Rahman, A. Ghosh, G. Klimeck, and M. Lundstrom, Appl. Phys. Lett. 86, 093113 (2005). 10.1063/1.1873055
22. K. Hong, J. Kim, S. Lee, and J. K. Shin, Nano Lett. 8, 1335 (2008). 10.1021/nl0734140
23. K. Shiri, Y. Kong, A. Buin, and M. P. Anantram, Appl. Phys. Lett. 93, 073114 (2008). 10.1063/1.2973208
24. R. N. Sajjad and K. Alam, J. Appl. Phys. 105, 044307 (2009). 10.1063/1.3078826
25. T. Maegawa, T. Yamauchi, T. Hara, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, IEEE Trans. Electron Devices 56, 553 (2009). 10.1109/TED.2009.2014185
26. J. Zhang, Q. Huang, H. Yu, and S. Lei, Sensor 9, 2746 (2009). 10.3390/s90402746
27. J. X. Cao, X. G. Gong, and R. Q. Wu, Phys. Rev. B 75, 233302 (2007). 10.1103/PhysRevB.75.233302
28. P. W. Leu, A. Svizhenko, and K. Cho, Phys. Rev. B 77, 235305 (2008). 10.1103/PhysRevB.77.235305
29. K. Nakamura, Y. Isono, and T. Toriyama, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 47, 5132 (2008). 10.1143/JJAP.47.5132
30. Y. M. Niquet, C. Delerue, and C. Krzeminski, Nano Lett. 12, 3545 (2012). 10.1021/nl3010995
31. M. V. Fishchetti and S. E. Laux, J. Appl. Phys. 80, 2234 (1996). 10.1063/1.363052
32. S. F. Feste, J. Knoch, S. Habicht, D. Buca, Q. T. Zhao, and S. Mantl, Solid-State Electron. 53, 1257 (2009). 10.1016/j.sse.2009.10.013
33. T. Toriyama, D. Funai, and S. Sugiyama, J. Appl. Phys. 93, 561 (2003). 10.1063/1.1525067
34. Y. L. Yang and X. X. Li, Nanotechnology 22, 015501 (2011). 10.1088/0957-4484/22/1/015501
35. P. Neuzil, C. C. Wong, and J. Rebound, Nano Lett. 10, 1248 (2010). 10.1021/nl9037856
36. A. Lugstein, M. Steinmair, A. Steiger, H. Kosina, and E. Bertagnolli, Nano Lett. 10, 3204 (2010). 10.1021/nl102179c
37. R. H. He and P. D. Yang, Nat. Nanotechnol. 1, 42 (2006). 10.1038/nnano.2006.53
38. J. S. Milne, A. C. H. Rowe, S. Arscott, and C. Renner, Phys. Rev. Lett. 105, 226802 (2010). 10.1103/PhysRevLett.105.226802
39. R. Rurali, Rev. Mod. Phys. 82, 427 (2010). 10.1103/RevModPhys.82.427
40. C. L. Hsin, W. J. Mai, Y. D. Gu, Y. F. Gao, C. T. Huang, Y. Z. Liu, L. J. Chen, and Z. L. Wang, Adv. Mater. 20, 3919 (2008). 10.1002/adma.200800485
41. F. Östlund, K. Rzepiejewska-Malyska, K. Leifer, L. M. Hale, Y. Y. Tang, R. Ballarini, W. W. Gerberich, and J. Michler, Adv. Funct. Mater. 19, 2439 (2009). 10.1002/adfm.200900418