SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 1, Issue 40, 2013, Pages 6695-6702

Study on the defects in metal-organic chemical vapor deposited zinc tin oxide thin films using negative bias illumination stability analysis

(10) Kim, Un Ki a Rha, Sang Ho a Kim, Jeong Hwan a Chung, Yoon Jang a Jung, Jisim a Hwang, Eun Suk a Lee, Joohwi a,c Park, Tae Joo b Choi, Jung Hae c Hwang, Cheol Seong a

a Seoul National University (South Korea)

b Hanyang University (South Korea)

c Korea Institute of Science and Technology (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS STRUCTURES; ATOMIC COMPOSITIONS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITED; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; ELECTRICAL PERFORMANCE; LIGHT ILLUMINATION; QUANTITATIVE SIMULATION; SUBSTRATE TEMPERATURE;

AMORPHOUS FILMS; ATOMS; DEPOSITION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OXYGEN VACANCIES; THIN FILM TRANSISTORS; THIN FILMS; VAPORS; ZINC;

TIN;

EID: 84884836837 PISSN: 20507534 EISSN: 20507526 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c3tc31323a Document Type: Article

Times cited : (24)

References (38)

1
- 9744248669
- K. Nomura H. Ohta A. Takagi T. Kamiya H. Hosono Nature 2004 432 488
- (2004) Nature , vol.432 , pp. 488
- Nomura, K.¹ Ohta, H.² Takagi, A.³ Kamiya, T.⁴ Hosono, H.⁵

2
- 70350728609
- M. K. Ryu S. Yang S.-H. K. Park C.-S. Hwang J. K. Jeong Appl. Phys. Lett. 2009 95 173508
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , pp. 173508
- Ryu, M.K.¹ Yang, S.² Park, S.-H.K.³ Hwang, C.-S.⁴ Jeong, J.K.⁵

3
- 16244382410
- E. Fortunato P. Barquinha A. Pimentel A. M. F. Gonçalves A. J. S. Marques L. Pereira R. F. P. Martins Adv. Mater. 2005 17 590
- (2005) Adv. Mater. , vol.17 , pp. 590
- Fortunato, E.¹ Barquinha, P.² Pimentel, A.³ Gonçalves, A.M.F.⁴ Marques, A.J.S.⁵ Pereira, L.⁶ Martins, R.F.P.⁷

4
- 84884892525
- in, 1-4
- T. Kawamura, H. Uchiyama, S. Saito, H. Wakana, T. Mine, M. Hatano, K. Torii and T. Onai, in Proc. IEDM, pp. 1-4, 2008
- (2008) Proc. IEDM
- Kawamura, T.¹ Uchiyama, H.² Saito, S.³ Wakana, H.⁴ Mine, T.⁵ Hatano, M.⁶ Torii, K.⁷ Onai, T.⁸

5
- 63549101570
- A. Suresh S. Novak P. Wellenius V. Misr J. F. Muth Appl. Phys. Lett. 2009 94 123501
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.94 , pp. 123501
- Suresh, A.¹ Novak, S.² Wellenius, P.³ Misr, V.⁴ Muth, J.F.⁵

6
- 84861838344
- S. H. Rha J. Jung Y. S. Jung Y. J. Chung U. K. Kim E. S. Hwang B. K. Park T. J. Park J.-H. Choi C. S. Hwang Appl. Phys. Lett. 2012 100 203510
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 203510
- Rha, S.H.¹ Jung, J.² Jung, Y.S.³ Chung, Y.J.⁴ Kim, U.K.⁵ Hwang, E.S.⁶ Park, B.K.⁷ Park, T.J.⁸ Choi, J.-H.⁹ Hwang, C.S.¹⁰

7
- 84876791937
- submitted
- S. H. Rha, U. K. Kim, J. Jung, E. S. Hwang, J.-H. Choi and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., submitted
- Appl. Phys. Lett.
- Rha, S.H.¹ Kim, U.K.² Jung, J.³ Hwang, E.S.⁴ Choi, J.-H.⁵ Hwang, C.S.⁶

8
- 33846374741
- K. Nomura T. Kamiya H. Ohta T. Uruga M. Hirano H. Hosono Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2007 75 035212
- (2007) Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. , vol.75 , pp. 035212
- Nomura, K.¹ Kamiya, T.² Ohta, H.³ Uruga, T.⁴ Hirano, M.⁵ Hosono, H.⁶

9
- 36048988960
- E. Fortunato P. Barquinha A. Pimentel L. Pereira G. Gonçalves R. Martins Phys. Status Solidi RRL 2007 1 R34 R36
- (2007) Phys. Status Solidi RRL , vol.1
- Fortunato, E.¹ Barquinha, P.² Pimentel, A.³ Pereira, L.⁴ Gonçalves, G.⁵ Martins, R.⁶

10
- 84879816229
- J. Lee D.-Y. Cho J. Jung U. K. Kim S. H. Rha C. S. Hwang J.-H. Choi Appl. Phys. Lett. 2013 102 242111
- (2013) Appl. Phys. Lett. , vol.102 , pp. 242111
- Lee, J.¹ Cho, D.-Y.² Jung, J.³ Kim, U.K.⁴ Rha, S.H.⁵ Hwang, C.S.⁶ Choi, J.-H.⁷

11
- 84866316275
- J. Heo S. B. Kim R. G. Gordon Appl. Phys. Lett. 2012 101 113507
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.101 , pp. 113507
- Heo, J.¹ Kim, S.B.² Gordon, R.G.³

12
- 18344373111
- O. S. Kwon S. K. Kim M. Cho C. S. Hwang J. Jeong J. Electrochem. Soc. 2005 152 C229 C236
- (2005) J. Electrochem. Soc. , vol.152
- Kwon, O.S.¹ Kim, S.K.² Cho, M.³ Hwang, C.S.⁴ Jeong, J.⁵

13
- 44849144583
- S. W. Lee O. S. Kwon J. H. Han C. S. Hwang Appl. Phys. Lett. 2008 92 222903
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.92 , pp. 222903
- Lee, S.W.¹ Kwon, O.S.² Han, J.H.³ Hwang, C.S.⁴

14
- 33749627715
- J. S. Sim J. S. Zhao H. J. Lee K. Lee G. W. Hwang C. S. Hwang J. Electrochem. Soc. 2006 153 C777 C786
- (2006) J. Electrochem. Soc. , vol.153
- Sim, J.S.¹ Zhao, J.S.² Lee, H.J.³ Lee, K.⁴ Hwang, G.W.⁵ Hwang, C.S.⁶

15
- 35949040712
- P. W. Anderson Phys. Rev. Lett. 1975 34 953
- (1975) Phys. Rev. Lett. , vol.34 , pp. 953
- Anderson, P.W.¹

16
- 0000365434
- D. Adler E. J. Yoffa Phys. Rev. Lett. 1976 36 1197 1200
- (1976) Phys. Rev. Lett. , vol.36 , pp. 1197-1200
- Adler, D.¹ Yoffa, E.J.²

17
- 84861057865
- Y. Kang S. H. Jeon Y.-W. Son Y.-S. Lee M. Ryu S. Lee S. Han Phys. Rev. Lett. 2012 108 196404
- (2012) Phys. Rev. Lett. , vol.108 , pp. 196404
- Kang, Y.¹ Jeon, S.H.² Son, Y.-W.³ Lee, Y.-S.⁴ Ryu, M.⁵ Lee, S.⁶ Han, S.⁷

18
- 0034906967
- T. Kamiya A. Suemasu T. Watanabe T. Sameshima I. Shimizu Appl. Phys. A 2001 73 151 159
- (2001) Appl. Phys. A , vol.73 , pp. 151-159
- Kamiya, T.¹ Suemasu, A.² Watanabe, T.³ Sameshima, T.⁴ Shimizu, I.⁵

19
- 21844451632
- A. Takagi K. Nomura H. Ohta H. Yanagi T. Kamiya M. Hirano H. Hosono Thin Solid Films 2005 486 38 41
- (2005) Thin Solid Films , vol.486 , pp. 38-41
- Takagi, A.¹ Nomura, K.² Ohta, H.³ Yanagi, H.⁴ Kamiya, T.⁵ Hirano, M.⁶ Hosono, H.⁷

20
- 84877105233
- Y. Kang Y. Cho S. Han Appl. Phys. Lett. 2013 102 152104
- (2013) Appl. Phys. Lett. , vol.102 , pp. 152104
- Kang, Y.¹ Cho, Y.² Han, S.³

21
- 77955034321
- M. G. Kim H. S. Kim Y. G. Ha J. He M. G. Kanatzidis A. Facchetti T. J. Marks J. Am. Chem. Soc. 2010 132 10352 10364
- (2010) J. Am. Chem. Soc. , vol.132 , pp. 10352-10364
- Kim, M.G.¹ Kim, H.S.² Ha, Y.G.³ He, J.⁴ Kanatzidis, M.G.⁵ Facchetti, A.⁶ Marks, T.J.⁷

22
- 84861321784
- B. S. Yang S. Park S. Oh Y. J. Kim J. K. Jeong C. S. Hwang H. J. Kim J. Mater. Chem. 2012 22 10994
- (2012) J. Mater. Chem. , vol.22 , pp. 10994
- Yang, B.S.¹ Park, S.² Oh, S.³ Kim, Y.J.⁴ Jeong, J.K.⁵ Hwang, C.S.⁶ Kim, H.J.⁷

23
- 0036639913
- D. L. Young H. Moutinho Y. Yan T. J. Coutts J. Appl. Phys. 2002 92 310
- (2002) J. Appl. Phys. , vol.92 , pp. 310
- Young, D.L.¹ Moutinho, H.² Yan, Y.³ Coutts, T.J.⁴

24
- 78649446577
- K. H. Ji J. I. Kim Y. G. Mo J. H. Jeong S. Yang C. S. Hwang S. H. Ko Park M. K. Ryu S. Y. Lee J. K. Jeong IEEE Electron Device Lett. 2010 31 1404 1406
- (2010) IEEE Electron Device Lett. , vol.31 , pp. 1404-1406
- Ji, K.H.¹ Kim, J.I.² Mo, Y.G.³ Jeong, J.H.⁴ Yang, S.⁵ Hwang, C.S.⁶ Ko Park, S.H.⁷ Ryu, M.K.⁸ Lee, S.Y.⁹ Jeong, J.K.¹⁰

25
- 79959372184
- J. H. Kim U. K. Kim Y. J. Chung C. S. Hwang Appl. Phys. Lett. 2011 98 232102
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.98 , pp. 232102
- Kim, J.H.¹ Kim, U.K.² Chung, Y.J.³ Hwang, C.S.⁴

26
- 79957749650
- J. H. Kim U. K. Kim Y. J. Chung C. S. Hwang Phys. Status Solidi RRL 2011 5 178 180
- (2011) Phys. Status Solidi RRL , vol.5 , pp. 178-180
- Kim, J.H.¹ Kim, U.K.² Chung, Y.J.³ Hwang, C.S.⁴

27
- 84876786624
- Y. J. Chung J. H. Kim U. K. Kim S. H. Rha C. S. Hwang J. Appl. Phys. 2011 111 024511
- (2011) J. Appl. Phys. , vol.111 , pp. 024511
- Chung, Y.J.¹ Kim, J.H.² Kim, U.K.³ Rha, S.H.⁴ Hwang, C.S.⁵

28
- 80052785261
- S. Yang K. H. Ji U. K. Kim C. S. Hwang S.-H. Ko Park C.-S. Hwang J. Jang J. K. Jeong Appl. Phys. Lett. 2011 99 102103
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.99 , pp. 102103
- Yang, S.¹ Ji, K.H.² Kim, U.K.³ Hwang, C.S.⁴ Ko Park, S.-H.⁵ Hwang, C.-S.⁶ Jang, J.⁷ Jeong, J.K.⁸

29
- 78149458396
- M. D. H. Chowdhury P. Migliorato J. Jang Appl. Phys. Lett. 2010 97 173506
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.97 , pp. 173506
- Chowdhury, M.D.H.¹ Migliorato, P.² Jang, J.³

30
- 79953787561
- Y. J. Chung J. H. Kim U. K. Kim D.-Y. Cho H. S. Jung J. K. Jeong C. S. Hwang Electrochem. Solid-State Lett. 2011 14 G35
- (2011) Electrochem. Solid-State Lett. , vol.14 , pp. 35
- Chung, Y.J.¹ Kim, J.H.² Kim, U.K.³ Cho, D.-Y.⁴ Jung, H.S.⁵ Jeong, J.K.⁶ Hwang, C.S.⁷

31
- 78751560976
- J. H. Kim U. K. Kim Y. J. Chung J. S. Jung S. H. Rha H. S. Jung C. S. Hwang J. K. Jeong S. Y. Lee Appl. Phys. Lett. 2011 98 023507
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.98 , pp. 023507
- Kim, J.H.¹ Kim, U.K.² Chung, Y.J.³ Jung, J.S.⁴ Rha, S.H.⁵ Jung, H.S.⁶ Hwang, C.S.⁷ Jeong, J.K.⁸ Lee, S.Y.⁹

32
- 79959372184
- J. H. Kim U. K. Kim Y. J. Chung C. S. Hwang Appl. Phys. Lett. 2011 98 232102
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.98 , pp. 232102
- Kim, J.H.¹ Kim, U.K.² Chung, Y.J.³ Hwang, C.S.⁴

33
- 70350726087
- T.-C. Fung C.-S. Chuang C. Chen K. Abe R. Cottle M. Townsend H. Kumomi J. Kanicki J. Appl. Phys. 2009 106 084511
- (2009) J. Appl. Phys. , vol.106 , pp. 084511
- Fung, T.-C.¹ Chuang, C.-S.² Chen, C.³ Abe, K.⁴ Cottle, R.⁵ Townsend, M.⁶ Kumomi, H.⁷ Kanicki, J.⁸

34
- 84874662315
- S. H. Rha U. K. Kim J. Jung H. K. Kim Y. S. Jung E. S. Hwang Y. J. Chung M. Lee J.-H. Choi C. S. Hwang IEEE Trans. Electron Devices 2013 60 1128
- (2013) IEEE Trans. Electron Devices , vol.60 , pp. 1128
- Rha, S.H.¹ Kim, U.K.² Jung, J.³ Kim, H.K.⁴ Jung, Y.S.⁵ Hwang, E.S.⁶ Chung, Y.J.⁷ Lee, M.⁸ Choi, J.-H.⁹ Hwang, C.S.¹⁰

35
- 0004005306
- Wiley, Hoboken, NJ, 3rd edn
- S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, Hoboken, NJ, 3rd edn, 2007
- (2007) Physics of Semiconductor Devices
- Sze, S.M.¹ Ng, K.K.²

36
- 77955160907
- B. Ryu H.-K. Noh E.-A. Choi K. J. Chang Appl. Phys. Lett. 2010 97 022108
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.97 , pp. 022108
- Ryu, B.¹ Noh, H.-K.² Choi, E.-A.³ Chang, K.J.⁴

37
- 77957205326
- F. Oba M. Choi A. Togo A. Seko I. Tanaka J. Phys.: Condens. Matter 2010 22 384211
- (2010) J. Phys.: Condens. Matter , vol.22 , pp. 384211
- Oba, F.¹ Choi, M.² Togo, A.³ Seko, A.⁴ Tanaka, I.⁵

38
- 72049132652
- P. Agoston K. Albe R. M. Nieminen M. J. Puska Phys. Rev. Lett. 2009 103 245501
- (2009) Phys. Rev. Lett. , vol.103 , pp. 245501
- Agoston, P.¹ Albe, K.² Nieminen, R.M.³ Puska, M.J.⁴

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.