Characteristics of polycrystalline SrRuO3thin-film bottom electrodes for metallorganic chemical-vapor-deposited Pb (Zr0.2Ti0.8) O3thin films

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 11, 2006, Pages

  Sim, Joon Seop ^a   Zhao, Jin Shi ^a   Lee, Hyun Ju ^a   Lee, Keun ^a   Hwang, Gyu Weon ^a   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALLIZATION; ELECTROCHEMICAL ELECTRODES; MAGNETRON SPUTTERING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; STRONTIUM COMPOUNDS; THIN FILMS;

BOTTOM ELECTRODES; FILM COMPOSITION; SUBSTRATE TEMPERATURE; THIN FILM ELECTRODES;

POLYCRYSTALLINE MATERIALS;

EID: 33749627715     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2344839     Document Type: Article

References (35)

1. J. F. Scott and C. A. Paz de Araujo, Science, 246, 1400 (1989).
2. Y. Horri, Y. Hikosaka, A. Itoh, K. Matsuura, M. Kurasawa, G. I. Komuro, K. Maruyama, T. Eshita, and S. Kashiwagi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 539.
3. T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa, and H. Takasu, Appl. Phys. Lett., 65, 1522 (1994).
4. J. E. Heo, B. J. Bae, D. C. Yoo, S. D. Nam, J. E. Lim, D. H. Im, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, and J. T. Moon, Extended Abstracts of the 2005 SSDM, p. 1028-1029, Kobe, Japan, Sept 12-15 (2005).
5. C. B. Eom, R. B. Van Dover, Julia M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett., 63, 2570 (1993).
6. V. Nagarajan, S. Prasertchoung, T. Zhao, H. Zheng, J. Ouyang, R. Ramesh, W. Tian, X. Q. Pan, D. M. Kim, C. B. Eom, H. Kohlstedt, and R. Waser, Appl. Phys. Lett., 84, 5225 (2004).
7. C. B. Eom, R. J. Cava, R. M. Fleming, J. M. Phillips, R. B. van Dover, J. H. Marshall, J. W. P. Hsu, J. J. Krajeuski, and W. F. Peck, Jr., Science, 258, 1766 (1993).
8. S. Aggarwal, I. G. Jenkins, B. Nagaraj, C. J. Kerr, C. Canedy, R. Ramesh, G. Velasquez, L. Boyer, and J. T. Evans, Jr., Appl. Phys. Lett., 75, 1787 (1999).
9. K. Aoki, I. Murayama, Y. Fukuda, and A. Nishimura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 36, L690 (1997).
10. J. S. Cross, M. Fujiki, M. Tsukada, Y. Kotaka, and Y. Goto, Integr. Ferroelectr., 21, 263 (1998).
11. Y. K. Kim, H. Morioka, R. Ueno, S. Yokoyama, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1938250, 86, 212905 (2005); N. Okuda, K. Saito, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.39.572, 39, 572 (2000); H. Funakubo, T. Oikawa, N. Higashi, and K. Saito, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(01)01921-2, 235, 401 (2002); N. Higashi, T. Watanabe, K. Saito, I. Yamaji, T. Akai, and H. Funakubo, J. Cryst. Growth, 229, 450 (2001).
12. Y. K. Kim, H. Morioka, R. Ueno, S. Yokoyama, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1938250, 86, 212905 (2005); N. Okuda, K. Saito, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.39.572, 39, 572 (2000); H. Funakubo, T. Oikawa, N. Higashi, and K. Saito, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(01)01921-2, 235, 401 (2002); N. Higashi, T. Watanabe, K. Saito, I. Yamaji, T. Akai, and H. Funakubo, J. Cryst. Growth, 229, 450 (2001).
13. Y. K. Kim, H. Morioka, R. Ueno, S. Yokoyama, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1938250, 86, 212905 (2005); N. Okuda, K. Saito, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.39.572, 39, 572 (2000); H. Funakubo, T. Oikawa, N. Higashi, and K. Saito, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(01)01921-2, 235, 401 (2002); N. Higashi, T. Watanabe, K. Saito, I. Yamaji, T. Akai, and H. Funakubo, J. Cryst. Growth, 229, 450 (2001).
14. Y. K. Kim, H. Morioka, R. Ueno, S. Yokoyama, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1938250, 86, 212905 (2005); N. Okuda, K. Saito, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.39.572, 39, 572 (2000); H. Funakubo, T. Oikawa, N. Higashi, and K. Saito, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(01)01921-2, 235, 401 (2002); N. Higashi, T. Watanabe, K. Saito, I. Yamaji, T. Akai, and H. Funakubo, J. Cryst. Growth, 229, 450 (2001).
15. S. Y. Kang, C. S. Hwang, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 152, C15 (2005).
16. J. S. Zhao, D. Y. Park, M. J. Seo, and C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc., 151, C283 (2004).
17. J. M. Koo, B. S. Seo, S. P. Kim, S. M. Shin, J. H. Lee, H. S. Baik, J. H. Lee, J. H. Lee, B. J. Bae, J. E. Lim, D. C. Yoo, S. O. Park, H. S. Kim, H. Han, S. G. Baik, J. Y. Choi, Y. J. Park, and Y. S. Park, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2005, 539.
18. A. Nagai, H. Morioka, G. Asano, H. Funakubo, and A. Saiki, Appl. Phys. Lett., 86, 142906 (2005).
19. H. Fujisawa, S. Watari, N. Iwamoto, M. Shimizu, H. Niu, and N. Oshima, Integr. Ferroelectr., 68, 85 (2004).
20. Y. Noro and S. Miyahara, J. Phys. Soc. Jpn., 27, 518 (1969).
21. J. A. Rard, Chem. Rev. (Washington, D.C.), 85, 1 (1985).
22. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy, p. 104-105, Perkin-Elmer Corp., Eden Prairie, MN (1992).
23. H. Funakubo, G. Asano, T. Ozeki, H. Machida, T. Yoneyana, and Y. Takamatsu, J. Electrochem. Soc., 151, C463 (2004).
24. G. J. Mormans, P. J. wan Veldhoven, and M. De Keijser, J. Cryst. Growth, 123, 537 (1992).
25. J. S. Zhao, H. J. Lee, J. S. Sim, K. Lee, and Cheol Seong Hwang, J. Electrochem. Soc., 153, F81 (2006).
26. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy, p. 108-109, Perkin-Elmer Corp., Eden Prairie, MN (1992).
27. A. Nagai, H. Morioka, G. Asano, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett., 82, 23 (2003).
28. C. S. Hwang and H. J. Kim, J. Am. Ceram. Soc., 78, 329 (1995).
29. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy, p. 188-189, Perkin-Elmer Corp., Eden Prairie, MN (1992).
30. I. Barin, Thermochemical Data of Pure Substances, Part II, p. 1157,1433, and 1436, VCH, Weinheim (1989).
31. A. J. Hartmann, M. Neilson, R. N. Lamb, K. Watanabe, and J. F. Scott, Appl. Phys. A, Vol. A70, 239 (2000).
32. A. M. Cowley and S. M. Sze, J. Appl. Phys., 36, 3212 (1965).
33. J. D. Baniecki, T. Shioga, K. Kurihara, and N. Kamehara, J. Appl. Phys., 94, 6741 (2003).
34. J. C. Shin, C. S. Hwang, H. J. Kim, and S. O. Park, Appl. Phys. Lett., 75, 3411 (1999).
35. J. F. Scott, Ferroelectric Memories, p. 116, Springer, New York (2000).