Dually active silicon nanowire transistors and circuits with equal electron and hole transport

Nano Letters

Volumn 13, Issue 9, 2013, Pages 4176-4181

  Heinzig, André ^a,b,e   Mikolajick, Thomas ^a,b,e   Trommer, Jens ^b   Grimm, Daniel ^c,d   Weber, Walter M ^b,e  

^a DRESDEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b NAMLAB GGMBH   (Germany)

^c IFW DRESDEN   (Germany)

^d CHEMNITZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^e CENTER FOR ADVANCING ELECTRONICS DRESDEN CFAED   (Germany)

Author keywords

CMOS; reconfigurable logic; RFET; Schottky barrier FET; Silicon nanowire; strain

Indexed keywords

DEVICE CHARACTERISTICS; MANDATORY REQUIREMENT; RECONFIGURABLE LOGIC; RFET; SCHOTTKY BARRIER FETS; SILICON NANOWIRE TRANSISTORS; SILICON NANOWIRES; TUNNELING TRANSMISSION;

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; ENERGY EFFICIENCY; NANOWIRES; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SILICON; STRAIN;

TRANSISTORS;

EID: 84884249918     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl401826u     Document Type: Article

References (39)

1. Lu, W.; Lieber, C. M. Nat. Mater. 2007, 6, 841-850
2. Thelander, C.; Agarwal, P.; Brongersma, S.; Eymery, J.; Feiner, L. F.; Forchel, A.; Scheffler, M.; Riess, W.; Ohlsson, B. J.; Gösele, U. Mater. Today 2006, 9, 28-35
3. Yan, H.; Choe, H. S.; Nam, S.; Hu, Y.; Das, S.; Klemic, J. F.; Ellenbogen, J. C.; Lieber, C. M. Nature 2011, 470, 240-244
4. Huang, Y.; Duan, X.; Cui, Y.; Lauhon, L. J.; Kim, K.-H.; Lieber, C. M. Science 2001, 294, 1313-1317
5. Dey, A. W.; Svensson, J.; Borg, B. M.; Ek, M.; Wernersson, L.-E. Nano Lett. 2012, 12 (11) 5593-5597
6. Egard, M.; Johansson, S.; Johansson, A. C.; Persson, K. M.; Dey, A. W.; Borg, B. M.; Thelander, C.; Wernersson, L. E.; Lind, E. Nano Lett. 2010, 10, 809-812
7. Sze, S. M.; Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices; John Wiley & Sons: New York, 2006.
8. Nam, S.; Jiang, X.; Xiong, Q.; Ham, D.; Lieber, C. M. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2009, 106, 21035-21038
9. Sleight, J. W.; Bangsaruntip, S.; Majumdar, A.; Cohen, G. M.; Zhang, Y.; Engelmann, S. U.; Fuller, N.; Gignac, L. M.; Mittal, S.; Newbury, J. S. Device Res. Conf. 2010, 269-272
10. Buddharaju, K. D.; Singh, N.; Rustagi, S. C.; Teo, S. H.; Wong, L. Y.; Tang, L. J.; Tung, C. H.; Lo, G. Q.; Balasubramanian, N.; Kwong, D. L. Solid-State Device Res. Conf. ESSDERC 2007, 303-306.
11. Radosavljević, M.; Heinze, S.; Tersoff, J.; Avouris, P. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2435-2437
12. Chen, Z.; Appenzeller, J.; Lin, Y.-M.; Sippel-Oakley, J.; Rinzler, A. G.; Tang, J.; Wind, S. J.; Solomon, P. M.; Avouris, P. Science 2006, 311, 1735-1735
13. Chen, C.; Xu, D.; kong, E. S.; Zhang, Y. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 852-855
14. Traversi, F.; Russo, V.; Sordan, R. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 223312-223312-3
15. Yang, H.; Heo, J.; Park, S.; Song, H. J.; Seo, D. H.; Byun, K. E.; Kim, P.; Yoo, I.; Chung, H. J.; Kim, K. Science 2012, 336, 1140-1143
16. Lin, Y.-M.; Appenzeller, J.; Knoch, J.; Avouris, P. IEEE Trans. Nanotechnol. 2005, 4, 481-489
17. Koo, S.-M.; Li, Q.; Edelstein, M. D.; Richter, C. A.; Vogel, E. M. Nano Lett. 2005, 5, 2519-2523
18. Weber, W. M.; Geelhaar, L.; Lamagna, L.; Fanciulli, M.; Kreupl, F.; Unger, E.; Riechert, H.; Scarpa, G.; Lugli, P. IEEE Conf. Nanotechnol., 8th 2008, 580-581
19. De Marchi, M.; Sacchetto, D.; Frache, S.; Zhang, J.; Gaillardon, P. E.; Leblebici, Y.; De Micheli, G. Tech Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2012, 8.4.1-8.4.4
20. Heinzig, A.; Slesazeck, S.; Kreupl, F.; Mikolajick, T.; Weber, W. M. Nano Lett. 2012, 12, 119-124
21. Nakaharai, S.; Iijima, T.; Ogawa, S.; Suzuki, S.; Tsukagoshi, K.; Sato, S.; Yokoyama, N. Tech Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2012, 4.2.1-4.2.4
22. Léonard, F.; Talin, A. A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 773-783
23. Wu, Y.; Xiang, J.; Yang, C.; Lu, W.; Lieber, C. M. Nature 2004, 430, 61-65
24. Schmid, P. E.; Ho, P. S.; Föll, H.; Tan, T. Y. Phys. Rev. B 1983, 28, 4593
25. Wessely, F.; Krauss, T.; Schwalke, U. Microelectronics Journal 2012, 1-5 10.1016/j.mejo.2012.08.004
26. Schroder, D. K. Semiconductor Material and Device Characterization; John Wiley & Sons, 2006.
27. Auth, C.; Allen, C.; Blattner, A.; Bergstrom, D.; Brazier, M.; Bost, M.; Buehler, M.; Chikarmane, V.; Ghani, T.; Glassman, T. Symp. VLSI Technol. 2012, 131-132
28. Chan, V.; Rengarajan, R.; Rovedo, N.; Jin, W.; Hook, T.; Nguyen, P.; Chen, J.; Nowak, E.; Chen, X. D.; Lea, D. Tech Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2003, 3.8.1-3.8.4
29. Martin, D.; Heinzig, A.; Grube, M.; Geelhaar, L.; Mikolajick, T.; Riechert, H.; Weber, W. Phys. Rev. Lett. 2011, 107, 216807
30. Properties of Metal Silicides; Maex, K.; Rossum, M. V., Eds.; INSPEC: London, 1995.
31. Sun, Y.; Thompson, S. E.; Nishida, T. J. Appl. Phys. 2007, 101, 104503-104503-22
32. He, R.; Yang, P. Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 42-46
33. Niquet, Y.-M.; Delerue, C.; Krzeminski, C. Nano Lett. 2012, 12, 3545-3550
34. Moselund, K. E.; Najmzadeh, M.; Dobrosz, P.; Olsen, S. H.; Bouvet, D.; De Michielis, L.; Pott, V.; Ionescu, A. M. IEEE Trans. Electron Devices 2010, 57, 866-876
35. De Wolf, I. Semicond. Sci. Technol. 1996, 11, 139
36. Ionescu, A. M.; Riel, H. Nature 2011, 479, 329-337
37. Afzalian, A.; Colinge, J.-P.; Flandre, D. Solid-State Electron. 2011, 59, 50-61
38. Kedzierski, J.; Xuan, P.; Anderson, E. H.; Bokor, J.; King, T. J.; Hu, C. Tech Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2000, 57-60
39. Weber, W. M.; Geelhaar, L.; Graham, A. P.; Unger, E.; Duesberg, G. S.; Liebau, M.; Pamler, W.; Chèze, C.; Riechert, H.; Lugli, P. Nano Lett. 2006, 6, 2660-2666