-
1
-
-
12744255033
-
-
Suh, D. H.; Cho, J. H.; Jeong, Y. C.; Chi, S. Y.; Park, J. G.; Kim, Y. J.; Lee, J. H. J. Electrochem. Soc. 2005, 152 (1) G107
-
(2005)
J. Electrochem. Soc.
, vol.152
, Issue.1
, pp. 107
-
-
Suh, D.H.1
Cho, J.H.2
Jeong, Y.C.3
Chi, S.Y.4
Park, J.G.5
Kim, Y.J.6
Lee, J.H.7
-
2
-
-
84957863714
-
-
Boscke, T.; Kudelka, S.; Sanger, A.; Muller, J.; Krautschneider, W. Solid-State Device Res. Conf., 2006, Proc. 36th Eur. 2006, 391
-
(2006)
Solid-State Device Res. Conf., 2006, Proc. 36th Eur.
, pp. 391
-
-
Boscke, T.1
Kudelka, S.2
Sanger, A.3
Muller, J.4
Krautschneider, W.5
-
3
-
-
33846204785
-
-
Kemell, M.; Ritala, M.; Leskela, M.; Osseiwusu, E.; Carstensen, J.; Foll, H. Microelectron. Eng. 2007, 84, 313
-
(2007)
Microelectron. Eng.
, vol.84
, pp. 313
-
-
Kemell, M.1
Ritala, M.2
Leskela, M.3
Osseiwusu, E.4
Carstensen, J.5
Foll, H.6
-
4
-
-
0035911349
-
-
Sinnamon, L. J.; Bowman, R. M.; Gregg, J. M. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1724
-
(2001)
Appl. Phys. Lett.
, vol.78
, pp. 1724
-
-
Sinnamon, L.J.1
Bowman, R.M.2
Gregg, J.M.3
-
5
-
-
67049154138
-
-
Parag, B.; Israel, P.; Laurent, H. L.; Lee, S. B.; Rubloff, G. W. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 292
-
(2009)
Nat. Nanotechnol.
, vol.4
, pp. 292
-
-
Parag, B.1
Israel, P.2
Laurent, H.L.3
Lee, S.B.4
Rubloff, G.W.5
-
6
-
-
0026102266
-
-
Tohge, N.; Takahashi, S.; Minami, T. J. Am. Ceram. Soc. 1991, 74, 67
-
(1991)
J. Am. Ceram. Soc.
, vol.74
, pp. 67
-
-
Tohge, N.1
Takahashi, S.2
Minami, T.3
-
7
-
-
0001447586
-
-
Bai, Y.; Cheng, Z. Y.; Bharti, V.; Xu, H. S.; Zhang, Q. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3804
-
(2000)
Appl. Phys. Lett.
, vol.76
, pp. 3804
-
-
Bai, Y.1
Cheng, Z.Y.2
Bharti, V.3
Xu, H.S.4
Zhang, Q.M.5
-
8
-
-
0142169433
-
-
Dang, Z. M.; Lin, Y. H.; Nan, C. W. Adv. Mater. 2003, 15, 1625
-
(2003)
Adv. Mater.
, vol.15
, pp. 1625
-
-
Dang, Z.M.1
Lin, Y.H.2
Nan, C.W.3
-
14
-
-
0030218562
-
-
George, S. M.; Ott, A. W.; Klaus, J. W. J. Phys. Chem. 1996, 100, 13121
-
(1996)
J. Phys. Chem.
, vol.100
, pp. 13121
-
-
George, S.M.1
Ott, A.W.2
Klaus, J.W.3
-
18
-
-
0000623242
-
-
Bhattacharrya, S.; Saha, S. K.; Chakravorty, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3896
-
(2000)
Appl. Phys. Lett.
, vol.76
, pp. 3896
-
-
Bhattacharrya, S.1
Saha, S.K.2
Chakravorty, D.3
-
19
-
-
67650500591
-
-
Gupta, M. K.; Sinha, N.; Singh, B. K.; Singh, N.; Kumar, K. Mater. Lett. 2009, 63, 1910
-
(2009)
Mater. Lett.
, vol.63
, pp. 1910
-
-
Gupta, M.K.1
Sinha, N.2
Singh, B.K.3
Singh, N.4
Kumar, K.5
-
20
-
-
36148988464
-
-
Pan, T.; Hsieh, C.; Huang, T.; Yang, J.; Kuo, P. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 954
-
(2007)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.28
, pp. 954
-
-
Pan, T.1
Hsieh, C.2
Huang, T.3
Yang, J.4
Kuo, P.5
-
21
-
-
72449168880
-
-
Hoogeland, D.; Jinesh, K. B.; Roozeboom, F.; Besling, W. F. A.; van de Sanden, M. C. M.; Kessels, W. M. M. J. Appl. Phys. 2009, 106, 114107
-
(2009)
J. Appl. Phys.
, vol.106
, pp. 114107
-
-
Hoogeland, D.1
Jinesh, K.B.2
Roozeboom, F.3
Besling, W.F.A.4
Van De Sanden, M.C.M.5
Kessels, W.M.M.6
-
23
-
-
84876022419
-
-
U.S. Patent 6,960,528 B2, Nov. 1
-
Chen, K. H.; Hwang, J. H.; Lo, H. C.; Das, D.; Chen, L. C. U.S. Patent 6,960,528 B2, Nov. 1, 2005.
-
(2005)
-
-
Chen, K.H.1
Hwang, J.H.2
Lo, H.C.3
Das, D.4
Chen, L.C.5
-
24
-
-
1642528431
-
-
Hsu, C. H.; Lo, H. C.; C.F. Chen, C. T.; Wu, J. S.; Hwang, D. D.; Tsai, J.; Chen, L. C.; Chen, K. H. Nano Lett. 2004, 4, 471
-
(2004)
Nano Lett.
, vol.4
, pp. 471
-
-
Hsu, C.H.1
Lo, H.C.2
Chen, C.T.C.3
Wu, J.S.4
Hwang, D.D.5
Tsai, J.6
Chen, L.C.7
Chen, K.H.8
-
25
-
-
31544468427
-
-
Hsu, C. H.; Huang, Y. F.; Chen, L. C.; Chattopadhyay, S.; Chen, K. H.; Lo, H. C.; Chen, C. F. J. Vac. Sci. Technol., B 2006, 24, 308
-
(2006)
J. Vac. Sci. Technol., B
, vol.24
, pp. 308
-
-
Hsu, C.H.1
Huang, Y.F.2
Chen, L.C.3
Chattopadhyay, S.4
Chen, K.H.5
Lo, H.C.6
Chen, C.F.7
-
26
-
-
36849015423
-
-
Huang, Y. F.; Chattopadhyay, S.; Liu, T. A.; Pan, C. L.; Hsu, Y. K.; Jen, Y. J.; Peng, C. Y.; Lee, C. S.; Chang, Y. H.; Lo, H. C.; Hsu, C. H.; Chen, K. H.; Chen, L. C. Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 770
-
(2007)
Nat. Nanotechnol.
, vol.2
, pp. 770
-
-
Huang, Y.F.1
Chattopadhyay, S.2
Liu, T.A.3
Pan, C.L.4
Hsu, Y.K.5
Jen, Y.J.6
Peng, C.Y.7
Lee, C.S.8
Chang, Y.H.9
Lo, H.C.10
Hsu, C.H.11
Chen, K.H.12
Chen, L.C.13
-
27
-
-
33646754705
-
-
Lo, H. C.; Huang, Y. F.; Chattopadhyay, S.; Hsu, C. H.; Chen, C. F.; Chen, K. H.; Chen, L. C. Nanotechnology 2009, 17, 2542
-
(2009)
Nanotechnology
, vol.17
, pp. 2542
-
-
Lo, H.C.1
Huang, Y.F.2
Chattopadhyay, S.3
Hsu, C.H.4
Chen, C.F.5
Chen, K.H.6
Chen, L.C.7
-
28
-
-
66449131444
-
-
Hsieh, Y. P.; Chen, H. Y.; Lin, M. Z.; Shiu, S. C.; Hofmann, M.; Chern, M. Y.; Jia, X.; Yang, Y. J.; Chang, H. J.; Huang, H. M.; Tseng, S. C.; Chen, L. C.; Chen, K. H.; Lin, C. F.; Liang, C. T.; Chen, Y. F. Nano Lett. 2009, 9, 1839
-
(2009)
Nano Lett.
, vol.9
, pp. 1839
-
-
Hsieh, Y.P.1
Chen, H.Y.2
Lin, M.Z.3
Shiu, S.C.4
Hofmann, M.5
Chern, M.Y.6
Jia, X.7
Yang, Y.J.8
Chang, H.J.9
Huang, H.M.10
Tseng, S.C.11
Chen, L.C.12
Chen, K.H.13
Lin, C.F.14
Liang, C.T.15
Chen, Y.F.16
-
29
-
-
79951846301
-
-
Chong, C. W.; Hsu, D.; Chen, W. C.; Li, C. C; Huang, Y. F.; Han, H. C.; Lin, J. G.; Chen, L. C.; Chen, K. H.; Chen, Y. F. Nanotechnology 2011, 22, 125701
-
(2011)
Nanotechnology
, vol.22
, pp. 125701
-
-
Chong, C.W.1
Hsu, D.2
Chen, W.C.3
Li, C.C.4
Huang, Y.F.5
Han, H.C.6
Lin, J.G.7
Chen, L.C.8
Chen, K.H.9
Chen, Y.F.10
-
31
-
-
84875546953
-
-
Francisco, S. P.; Martínez, E.; Meléndrez, M. F.; Eduardo, P. T. Nanoscale Res. Lett. 2011, 6, 524
-
(2011)
Nanoscale Res. Lett.
, vol.6
, pp. 524
-
-
Francisco, S.P.1
Martínez, E.2
Meléndrez, M.F.3
Eduardo, P.T.4
-
32
-
-
0037115655
-
-
Satta, A.; Schuhmacher, J.; Whelan, C. M.; Vandervorst, W.; Brongersma, S. H.; Beyer, G. P.; Maex, K.; Vantomme, A.; Viitanen, M. M.; Brongersma, H. H.; Besling, W. F. A. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7641
-
(2002)
J. Appl. Phys.
, vol.92
, pp. 7641
-
-
Satta, A.1
Schuhmacher, J.2
Whelan, C.M.3
Vandervorst, W.4
Brongersma, S.H.5
Beyer, G.P.6
Maex, K.7
Vantomme, A.8
Viitanen, M.M.9
Brongersma, H.H.10
Besling, W.F.A.11
-
33
-
-
0037180860
-
-
de Ridder, M.; van de Ven, P. C.; van Welzenis, R. G.; Brongersma, H. H.; Helfensteyn, S.; Creemers, C.; Van Der Voort, P.; Baltes, M.; Mathieu, M.; Vansant, E. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 13146
-
(2002)
J. Phys. Chem. B
, vol.106
, pp. 13146
-
-
De Ridder, M.1
Van De Ven, P.C.2
Van Welzenis, R.G.3
Brongersma, H.H.4
Helfensteyn, S.5
Creemers, C.6
Van Der Voort, P.7
Baltes, M.8
Mathieu, M.9
Vansant, E.F.10
-
34
-
-
0030361049
-
-
Alexander, T. P.; Bukowski, T. J.; Uhlmann, D. R.; Teowee, G.; McCarthy, K. C.; Dawley, J.; Zelinski, B. J. J. ISAF '96 Proc. Tenth IEEE Int. Symp. Appl. Ferroelectrics 1996, 2, 585
-
(1996)
ISAF '96 Proc. Tenth IEEE Int. Symp. Appl. Ferroelectrics
, vol.2
, pp. 585
-
-
Alexander, T.P.1
Bukowski, T.J.2
Uhlmann, D.R.3
Teowee, G.4
McCarthy, K.C.5
Dawley, J.6
Zelinski, B.J.J.7
-
38
-
-
0029226643
-
-
Mo, C. M.; Zhang, L.; Wang, G. Z. Nanostruct. Mater. 1995, 6, 823
-
(1995)
Nanostruct. Mater.
, vol.6
, pp. 823
-
-
Mo, C.M.1
Zhang, L.2
Wang, G.Z.3
-
39
-
-
0034825622
-
-
Bonard, J. M.; Weiss, N.; Kind, H.; Stöckli, T.; Forró, L.; Kern, K.; Chaîtelain, A. Adv. Mater. 2001, 13, 184
-
(2001)
Adv. Mater.
, vol.13
, pp. 184
-
-
Bonard, J.M.1
Weiss, N.2
Kind, H.3
Stöckli, T.4
Forró, L.5
Kern, K.6
Chaîtelain, A.7
-
40
-
-
70449769402
-
-
Cork, Ireland
-
Roozeboom, F.; Dekkers, W.; Jinesh, K.; Besling, W.; Lamy, Y.; Klootwijk, J.; Verheijen, M.; Kim, H. D.; Blin, D. Workshop on Power Supply On Chip (PowerSoC08), Cork, Ireland, 2008; p 22.
-
(2008)
Workshop on Power Supply on Chip (PowerSoC08)
, pp. 22
-
-
Roozeboom, F.1
Dekkers, W.2
Jinesh, K.3
Besling, W.4
Lamy, Y.5
Klootwijk, J.6
Verheijen, M.7
Kim, H.D.8
Blin, D.9
-
41
-
-
47249153275
-
-
Klootwijk, J. H.; Jinesh, K. B.; Dekkers, W.; Verhoeven, J. F. C.; Heuvel, F. C.; van den, Kim, H. D.; Blin, D.; Verheijen, M. A.; Weemaes, R. G. R.; Kaiser, M.; Ruigrok, J. J. M.; Roozeboom, F. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 740
-
(2008)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.29
, pp. 740
-
-
Klootwijk, J.H.1
Jinesh, K.B.2
Dekkers, W.3
Verhoeven, J.F.C.4
Heuvel, F.C.5
Van Den Kim, H.D.6
Blin, D.7
Verheijen, M.A.8
Weemaes, R.G.R.9
Kaiser, M.10
Ruigrok, J.J.M.11
Roozeboom, F.12
-
42
-
-
84860370719
-
-
Haspert, L. C.; Lee, S. B.; Rubloff, G. W. ACS Nano 2012, 6, 3528
-
(2012)
ACS Nano
, vol.6
, pp. 3528
-
-
Haspert, L.C.1
Lee, S.B.2
Rubloff, G.W.3
|