Tuning the field emission properties of patterned carbon nanotube films

Advanced Materials

Volumn 13, Issue 3, 2001, Pages 184-188

  Bonard, Jean Marc ^a   Weiss, Nicolas ^a   Kind, Hannes ^a,b   Stöckli, Thomas ^a   Forró, László ^a   Kern, Klaus ^a,c   Châtelain, André ^a  

^a EPFL   (Switzerland)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^c MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; LITHOGRAPHY; OPTICAL FILMS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY;

CARBON NANOTUBES; MICROCONTACT PRINTING;

AMORPHOUS FILMS;

EID: 0034825622     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-4095(200102)13:3<184::AID-ADMA184>3.0.CO;2-I     Document Type: Article

References (37)

1. J.-M. Bonard, H. Kind, T. Stöckli, L.-O. Nilsson, Solid-State Electron., in press.
2. Y. Saito, S. Uemura, K. Hamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, L346.
3. Y. Saito, K. Hamaguchi, S. Uemura, K. Uchida, Y. Tasaka, F. Ikazaki, M. Yumura, A. Kasuya, Y. Nishina, Appl. Phys. A 1998, 67, 95.
4. Y. Saito, S. Uemura, Carbon 2000, 38, 169.
5. H. Murakami, M. Hirakawa, C. Tanaka, H. Yamakawa, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1776.
6. W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, J. M. Kim. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3129.
7. J. M. Kim, N. S. Lee, W. B. Choi, J. E. Jung, I. T. Han, D. S. Jung, S. H. Park, S. S. Hong, H. Y. Kim, presented at the 14th Int. Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials (IWEPNM2000), Kirchberg, Austria, March 4-11, 2000.
8. R. Rosen, W. Simendinger, C. Debbault, H. Shimoda, L. Fleming, B. Stoner, O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1663.
9. O. Zhou, presented at the 14th Int. Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials (IWEPNM2000), Kirchberg, Austria. March 4-11, 2000.
10. O. Zhou's group (UNC Chapel Hill), W. Zhu (Lucent Technologies), pending US Patents.
11. Q. H. Wang, A. A. Setlur, J. M. Lauerhaas, J. Y. Dai, E. W. Seelig, R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 2912.
12. J. Kong, A. M. Cassell, H. Dai, Chem. Phys. Lett. 1998, 292, 567.
13. X. Xu, G. R. Brandes, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2549.
14. Z. F. Ren, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. Wen, J. W. Xu, J. H. Wang, L. E. Calvet, J. Chen, J. F. Klemic, M. A. Reed, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1086.
15. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, H. Dai, Science 1999, 283, 512.
16. Y. Yang, S. Huang, H. He, A. W. H. Mau, L. Dai, J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 10 832.
17. S. Huang, L. Dai, A. W. H. Mau, J. Phys. Chem. B 1999, 103, 4223.
18. H. Kind, J.-M. Bonard, C. Emmenegger, L.-O. Nilsson, K. Hernadi, E. Maillard-Schaller, L. Schlapbach, L. Forró, K. Kern, Adv. Mater. 1999, 11, 1285.
19. A. M. Cassell, N. R. Franklin, T. W. Tombler, E. M. Chan, J. Han, H. Dai, J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 7975.
20. S. Huang, A. W. H. Mau, T. W. Turney, P. A. White, L. Dai, J. Phys. Chem. B 2000, 104, 2193.
21. H. Kind, J.-M. Bonard, L. Forró, K. Kern, K. Hernadi, L.-O. Nilsson, L. Schlapbach, Langmuir 2000, 16, 6877.
22. M. Burghard, G. Duesberg, G. Philipp, J. Muster, S. Roth, Adv. Mater. 1998, 10, 584.
23. M. Ahlskog, E. Seynaeve, R. J. M. Vullers, C. Van Haesendonck, J. Appl. Phys. 1999, 85, 8432.
24. J. Liu, M. J. Casavant, M. Cox, D. A. Walters, P. Boul, L. Wei, A. J. Rimberg, K. A. Smith, D. T. Colbert, R. E. Smalley, Chem. Phys. Lett. 1999, 303, 1.
25. See, e.g., J. W. Gadzuk, E. W. Plummer, Rev. Mod. Phys. 1973, 45, 487. A workfunction of 5 eV was taken for the determination of β.
26. L. A. Chernozatonskii, Y. V. Gulyaev, Z. Y. Kosakovskaya, N. I. Sinitsyn, G. V. Torgashov, F. Zakharchenko Yu, E. A. Fedorov, V. P. Val'chuk, Chem. Phys. Lett. 1995, 233, 63.
27. P. G. Collins, A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1969.
28. W. Zhu, C. Bower, O. Zhou, G. Kochanski, S. Jin, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 873.
29. J.-M. Bonard, J.-P. Salvetat, T. Stöckli, L. Forró, A. Châtelain, Appl. Phys. A 1999, 69, 245.
30. O. H. Wang, T. D. Corrigan, J. Y. Dai, R. P. H. Chang, A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 3308.
31. D. N. Davydov, P. A. Sattari, D. AlMawlawi, A. Osika, T. L. Haslett, M. Moskovits, J. Appl. Phys. 1999, 86, 3983.
32. C. Bower, O. Zhou, W. Zhu, A. G. Ramirez, G. P. Kochanski, S. Jin, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., in press.
33. O. M. Küttel, O. Gröning, C. Emmenegger, L. Nilsson, E. Maillard, L. Diederich, L. Schlapbach, Carbon 1999, 37, 745.
34. L. Nilsson, O. Gröning, C. Emmenegger, O. Küttel, E. Schaller, L. Schlapbach, H. Kind, J.-M. Bonard, K. Kern, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 4079.
35. O. Gröning, O. M. Küttel, P. Gröning, L. Schlapbach, J. Vac. Sci. Technol. B 2000, 18, 665.
36. V. Ivanov, J. B. Nagy, P. Lambin, A. Lucas, X. B. Zhang, X. F. Zhang, D. Bernaerts, G. Van Tendeloo, S. Amelinckx, J. Van Landuyt, Chem. Phys. Lett. 1994, 223, 329.
37. A. Fonseca, K. Hernadi, P. Piedigrosso, J. F. Colomer, K. Mukhopadhyay, R. Doome, S. Lazarescu, L. P. Biro, P. Lambin, P. A. Thiry, D. Bernaerts, J. B. Nagy, Appl. Phys. A 1998, 67, 11.