Morphology control of silicon nanotips fabricated by electron cyclotron resonance plasma etching

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 24, Issue 1, 2006, Pages 308-311

  Hsu, C H ^a   Huang, Y F ^a   Chen, L C ^a   Chattopadhyay, S ^b   Chen, K H ^b   Lo, H C ^c   Chen, C F ^c  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INSTITUTE OF ATOMIC AND MOLECULAR SCIENCES   (Taiwan)

^c NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FABRICATION; PLASMA ETCHING; RESONANCE; SILICON; SUBSTRATES;

ELECTRON CYCLOTRON; NANOTIPS; SILICON SUBSTRATES;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 31544468427     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2163894     Document Type: Article

References (28)

1. C. H. Oon, J. T. L. Thong, Y. Lei, W. Lei, and W. K. Chim, Appl. Phys. Lett. 81, 3037 (2002).
2. M. H. Yun, V. A. Burrows, and M. N. Kozicki, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2844 (1998).
3. C. L. Tsai, C. F. Chen, and C. L. Lin, J. Appl. Phys. 90, 4847 (2001).
4. N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1308 (2002).
5. M. Kanechika, N. Sugimoto, and Y. Mitsushima, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1843 (2002).
6. C. L. Tsai, C. F. Chen, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 80, 1821 (2002).
7. W. I. Park, G. C. Yi, M. Kim, and S. J. Pennycook, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1841 (2002).
8. S. C. Shi, C. F. Chen, S. Chattopadhyay, Z. H. Lan, K. H. Chen, and L. C. Chen, Adv. Funct. Mater. 15, 781 (2005).
9. Z. L. Wang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 1295 (2000).
10. W. B. Chou, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 75, 3129 (1999).
11. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
12. H. Dai, J. H. Hafner, A. G. Rinzler, A. G. Colbert, and R. E. Smalley, Nature (London) 384, 147 (1996).
13. W. U. Huynh, J. J. Dittmer, and A. P. Alivisatos, Science 295, 2425 (2002).
14. J. N. Wohlstadter, J. L. Wilbur, G. B. Sigal, H. A. Biebuyck, M. A. Billadeau, L. Dong, A. B. Fischer, S. R. Gudibande, S. H. Jameison, J. H. Kenten, J. Leginus, J. K. Leland, R. J. Massey, and S. J. Wohlstadter, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 1184 (2003).
15. C. H. Hsu, H. C. Lo, C. F. Chen, C. T. Wu, J. S. Hwang, D. Das, J. Tsai, L. C. Chen, and K. H. Chen, Nano Lett. 4, 471 (2004).
16. H. C. Lo, D. Das, J. S. Hwang, K. H. Chen, C. H. Hsu, C. F. Chen, and L. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 83, 1420 (2003).
17. H. Yoshida, Y. Terada, H. Miyake, and K. Hiramatsu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1134 (2002).
18. S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, Appl. Phys. Lett. 67, 3114 (1995).
19. S. Chattopadhyay, H. C. Lo, C. H. Hsu, L. C. Chen, and K. H. Chen, Chem. Mater. 17, 553 (2005).
20. S. Chattopadhyay, S. C. Shi, C. F. Chen, L. C. Chen, and K. H. Chen, J. Am. Chem. Soc. 127, 2820 (2005).
21. S. Liedtke, K. Jahn, F. Finger, and W. Fuhs, J. Non-Cryst. Solids 77/78, 849 (1985).
22. Y. Sun, T. Miyasato, and N. Sonoda, J. Appl. Phys. 84, 6451 (1998).
23. M. J. Rabinowitz, J. W. Sutherland, P. M. Patterson, and R. B. Klemm, J. Phys. Chem. 95, 674 (1991).
24. I. Solomon, M. P. Schmidt, and H. Tran-Quoa, Phys. Rev. B 38, 9895 (1988).
25. W. L. Hsu, J. Appl. Phys. 72, 3102 (1992).
26. W. H. Lee, J. C. Lin, C. Lee, H. C. Cheng, and T. R. Yew, Diamond Relat. Mater. 10, 2075 (2001).
27. P. Cuerno and A. L. Barabasi, Phys. Rev. Lett. 74, 4746 (1995).
28. A. Strass, W. Hansch, P. Bieringer, A. Neubecker, F. Kaesen, A. Fischer, and I. Eisele, Surf. Coat. Technol. 97, 158 (1997).