Plasma-assisted mist chemical vapor deposition of zinc oxide films using solution of zinc acetate

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 52, Issue 1 PART2, 2013, Pages

  Takenaka, Kosuke ^a   Okumura, Yusuke ^a   Setsuhara, Yuichi ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FILM DEPOSITION; FILM PROPERTIES; PLASMA EXPOSURE; PLASMA EXPOSURE TIME; RF-POWER; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY IMAGE; SUBSTRATE TEMPERATURE; ZINC ACETATE; ZINC OXIDE (ZNO); ZNO FILMS;

METALLIC FILMS; NITRIDES; OXIDE FILMS; PLASMA DEPOSITION; PLASMAS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; VAPORS; X RAY DIFFRACTION; ZINC COMPOUNDS; ZINC OXIDE;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

EID: 84872837738     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.52.01AC11     Document Type: Article

References (39)

1. A. Mang, K. Reimann, and St. Ruhenacke: Solid State Commun. 94 (1995) 251.
2. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 3270.
3. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner: Prog. Mater. Sci. 50 (2005) 293.
4. J. Nishii, A. Ohtomo, K. Ohtani, H. Ohno, and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L1193.
5. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L643.
6. Y. Ohya, T. Kume, and T. Ban: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 1919.
7. K. Yasui, N. V. Phuong, Y. Kuroki, M. Takata, and T. Akahane: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 684.
8. T. Minami, T. Miyata, Y. Ohtani, and Y. Mochizuki: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L409.
9. Q. A. Xu, J. W. Zhang, K. R. Ju, X. D. Yang, and X. Hou: J. Cryst. Growth 289 (2006) 44.
10. Y. M. Chung, C. S. Moon, W. S. Jung, and J. G. Han: Thin Solid Films 515 (2006) 567.
11. K. Sivaramakrishnan, N. D. Theodore, J. F. Moulder, and T. L. Alford: J. Appl. Phys. 106 (2009) 063510.
12. S. Logothetidis, A. Laskarakis, S. Kassavetis, S. Lousinian, C. Gravalidis, and G. Kiriakidis: Thin Solid Films 516 (2008) 1345.
13. A. Bowen, J. Li, J. Lewis, K. Sivaramakrishnan, T. L. Alford, and S. Iyer: Thin Solid Films 519 (2011) 1809.
14. Z. L. Pei, C. Sun, M. H. Tan, J. Q. Xiao, D. H. Guan, R. F. Huang, and L. S. Wen: J. Appl. Phys. 90 (2001) 3432.
15. J. G. Lu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, L. Wang, J. Yuan, B. H. Zhao, and Q. L. Liang: J. Appl. Phys. 100 (2006) 073714.
16. K. K. Kim, S. Niki, J. Y. Oh, J. O. Song, T. Y. Seong, S. J. Park, S. Fujita, and S. W. Kim: J. Appl. Phys. 97 (2005) 066103.
17. T. Minami, H. Nanto, H. Sato, and S. Takata: Thin Solid Films 164 (1988) 275.
18. O. Kluth, B. Rech, L. Houben, S. Wieder, G. Schöpe, C. Beneking, H. Wagner, A. Löffl, and H. W. Schock: Thin Solid Films 351 (1999) 247.
19. M. Berginski, J. Hüpkes, M. Schulte, G. Schöpe, H. Stiebig, B. Rech, and M. Wuttig: J. Appl. Phys. 101 (2007) 074903.
20. N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, and M. Shiratani: Appl. Phys. Express 4 (2011) 011101.
21. J. Ma, F. Ji, D. H. Zhang, H. L. Ma, and S. Y. Li: Thin Solid Films 357 (1999) 98.
22. J. G. Lu, Y. Z. Zhang, Z. Z. Ye, L. P. Zhu, L. Wang, B. H. Zhao, and Q. L. Liang: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 222114.
23. H. Yang, Y. Li, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Jung, F. Ren, and L. A. Boatner: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 172103.
24. T. Moriyama and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 7919.
25. M. Losurdo, M. M. Giangregorio, A. Sacchetti, P. Capezzuto, G. Bruno, G. Malandrino, and I. L. Fragala: J. Mater. Res. 21 (2006) 1632.
26. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 3270.
27. H. Tanaka, S. Fujita, and S. Fujita: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 192911.
28. A. Dutta and S. Basu: Mater. Chem. Phys. 34 (1993) 41.
29. F. Paraguay D., W. Estrada L., D. R. Acosta N., E. Andrade, and M. Miki- Yoshida: Thin Solid Films 350 (1999) 192.
30. B. N. Pawar, S. R. Jadkar, and M. G. Takwale: J. Phys. Chem. Solids 66 (2005) 1779.
31. A. E. Jiménez-González, J. A. S. Urueta, and R. Suárez-Parra: J. Cryst. Growth 192 (1998) 430.
32. J. G. Lu, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohshima, and S. Fujita: J. Cryst. Growth 299 (2007) 1.
33. Y. Kamada, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L857.
34. J. G. Lu, S. Fujita, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, and T. Ohshima: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 262107.
35. K. Takenaka, Y. Okumura, and Y. Setsuhara: Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 08HF05.
36. K. Takenaka, Y. Okumura, and Y. Setsuhara: J. Phys.: Conf. Ser. 379 (2012) 012031.
37. J. Tauc: Mater. Res. Bull. 3 (1968) 37.
38. S. Saravanan, M. R. Anantharaman, S. Venkatachalam, and D. K. Avasthi: Vacuum 82 (2007) 56.
39. Y.-Z. Huang, L. Chen, and L.-M. Wu: Inorg. Chem. 47 (2008) 10723.