Structure and magnetic properties of Ni-doped AlN films

Journal of Applied Physics

Volumn 112, Issue 5, 2012, Pages

  Pan, D ^a,b   Jian, J K ^a   Ablat, A ^a,c   Li, J ^a   Sun, Y F ^a   Wu, R ^a  

^a XINJIANG UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^c INSTITUTE OF HIGH ENERGY PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALN; COERCIVE FIELD; DOPED SAMPLE; FERROMAGNETIC TRANSITION TEMPERATURES; NI ATOMS; NI-DOPED ALN; RADIO-FREQUENCY REACTIVE SPUTTERING; REMANENT MAGNETIZATION; SI (100) SUBSTRATE; TEMPERATURE DEPENDENCE; X RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY; X-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE ANALYSIS;

PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SATURATION MAGNETIZATION; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

MAGNETIC PROPERTIES;

EID: 84866382278     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4749408     Document Type: Conference Paper

References (59)

1. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996). 10.1063/1.118061
2. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000). 10.1126/science.287.5455.1019
3. H. Sato and H. Katayama-Yoshida, Physica E 10, 251 (2001). 10.1016/S1386-9477(01)00093-5
4. Q. Wang, Q. Sun, and P. Jena, Phys. Rev. B 70, 052408 (2004). 10.1103/PhysRevB.70.052408
5. V. I. Litvinow and V. K. Dugaev, Phys. Rev. Lett. 86, 5593 (2001). 10.1103/PhysRevLett.86.5593
6. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, R. M. Frazier, J. Y. Liefer, G. T. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 85, 4067 (2004). 10.1063/1.1812845
7. K. Y. Ko, Z. H. Barbe, and M. G. Blamire, J. Appl. Phys. 100, 083905 (2006). 10.1063/1.2362812
8. L. L. Sun, F. W. Yan, H. Y. Gao, H. X. Zhang, Y. P. Zeng, G. H. Wang, and J. M. Li, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 165004 (2008). 10.1088/0022-3727/41/16/ 165004
9. X. H. Ji, S. P. Lau, S. F. Yu, H. Y. Yang, T. S. Herng, A. Sedhain, J. Y. Lin, H. X. Jiang, K. S. Teng, and J. S. Chen, Appl. Phys. Lett. 90, 193118 (2007). 10.1063/1.2738370
10. S. L. Yang, R. S. Gao, P. L. Niu, and R. H. Yu, Appl. Phys. A 96, 769 (2009). 10.1007/s00339-009-5269-0
11. D. Kumar, J. Antifakos, M. G. Blamire, and Z. H. Barber, Appl. Phys. Lett. 84, 5004 (2004). 10.1063/1.1763216
12. W. M. Jadwisienczak, H. Tanaka, M. E. Kordesch, A. Khan, S. Kaya, and R. Vuppuluri, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1202, 5 (2009). 10.1557/PROC-1202-I05-06
13. H. Li, H. Q. Bao, B. Song, W. J. Wang, and X. L. Chen, Solid State Commun. 148, 406 (2008). 10.1016/j.ssc.2008.09.035
14. R. Frazier, G. Thaler, M. Overberg, B. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 1758 (2003). 10.1063/1.1604465
15. M. H. Ham, S. Yoon, Y. Park, and J. M. Myoung, J. Cryst. Growth 271, 420 (2004). 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.004
16. P. R. Ganz, C. Sürgers, G. Fischer, and D. M. Schaadt, J. Phys: Conf. Ser. 200, 062006 (2010). 10.1088/1742-6596/200/6/062006
17. G. H. Yu, L. R. Zeng, F. W. Zhu, C. L. Chai, and W. Y. Lai, J. Appl. Phys. 90, 4039 (2001). 10.1063/1.1401804
18. C. D. Wagner, W. M. Riggs, L. E. Davis, and J. F. Moulder, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Perkin-Elmer, USA, 1979), pp. 80-81.
19. K. S. Kim and N. Winograd, Surf. Sci. 43, 625 (1974). 10.1016/0039-6028(74)90281-7
20. W. Yu, L. H. Yang, X. Y. Teng, J. C. Zhang, Z. C. Zhang, L. Zhang, and G. S. Fu, J. Appl. Phys. 103, 093901 (2008). 10.1063/1.2903524
21. B. B. Li, X. Q. Xiu, R. Zhang, Z. K. Tao, L. Chen, Z. L. Xie, Y. D. Zheng, Z. Xie, Mater. Sci. Semicond. Process. 9, 141 (2006). 10.1016/j.mssp.2006.01.074
22. J. H. Cho, T. J. Hwang, Y. G. Joh, E. C. Kim, D. H. Kima, K. J. Lee, H. W. Park, H. C. Ri, J. P. Kim, and C. R. Cho, Appl. Phys. Lett. 88, 092505 (2006). 10.1063/1.2179607
23. X. X. Liu, F. T. Lin, L. L. Sun, W. J. Cheng, X. M. Ma, and W. Z. Shi, Appl. Phys. Lett. 88, 062508 (2006). 10.1063/1.2170420
24. D. Zanghi, A. Delobbe, A. Traverse, and G. Krill, J. Phys.: Condens. Matter 10, 9721 (1998). 10.1088/0953-8984/10/43/015
25. L. N. Tong, T. Cheng, H. B. Han, J. L. Hu, X. M. He, Y. Tong, and C. M. Schneider, J. Appl. Phys. 108, 023906 (2010). 10.1063/1.3460644
26. R. P. Messmer, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 899 (1984). 10.1116/1.572545
27. J. Q. Wen, Z. Y. Jiang, Y. Q. Hou, J. Q. Li, and S. Y. Chu, J. Mol. Struct: THEOCHEM 949, 91 (2010). 10.1016/j.theochem.2010.03.010
28. M. Y. Chern and F. J. DiSalvo, J. Solid State Chem. 88, 459 (1990). 10.1016/0022-4596(90)90242-P
29. F. A. Ponce, C. G. Van de Walle, and J. E. Northrup, Phys. Rev. B 53, 7473 (1996). 10.1103/PhysRevB.53.7473
30. M. Kasu, Y. Taniyasu, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L1048 (2001). 10.1143/JJAP.40.L1048
31. D. Pan, J. K. Jian, Y. F. Sun, and R. Wu, J. Alloys Compd. 519, 41 (2012). 10.1016/j.jallcom.2011.12.015
32. S. Arif, I. Ahmad, and B. Amin, Int. J. Quantum Chem. 112, 882 (2012). 10.1002/qua.23062
33. J. Kaczkowski and A. Jezierski, Acta Phys. Pol. A 115, 275 (2009).
34. A. A. Guda, S. P. Lau, M. A. Soldatov, N. Y. Smolentsev, V. L. Mazalova, X. H. Ji, and A. V. Soldatov, J. Phys: Conf. Ser. 190, 012136 (2009). 10.1088/1742-6596/190/1/012136
35. R. M. Frazier, J. Stapleton, G. T. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Rairigh, J. Kelly, A. F. Hebard, M. L. Nakarmi, K. B. Nam, J. Y. Lin, H. X. Jiang, J. M. Zavada, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 94, 1592 (2003). 10.1063/1.1586987
36. J. Zhang, X. Z. Li, B. Xu, and D. J. Sellmyer, Appl. Phys. Lett. 86, 212504 (2005). 10.1063/1.1940131
37. Y. X. Wang, H. Liu, Z. Q. Li, X. X. Zhang, R. K. Zheng, and S. P. Ringer, Appl. Phys. Lett. 89, 042511 (2006). 10.1063/1.2240139
38. D. Chakraborti, S. Ramachandran, G. Trichy, J. Narayan, and J. T. Prater, J. Appl. Phys. 101, 053918 (2007). 10.1063/1.2711082
39. W. Yu, L. H. Yang, X. Y. Teng, J. C. Zhang, Z. C. Zhang, L. Zhang, and G. S. Fu, J. Appl. Phys. 103, 093901 (2008). 10.1063/1.2903524
40. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Khim, J. Kim, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002). 10.1063/1.1481533
41. S. G. Yang, A. B. Pakhomov, S. T. Hung, and C. Y. Wong, Appl. Phys. Lett. 81, 2418 (2002). 10.1063/1.1509475
42. S. Y. Wu, H. X. Liu, L. Gu, R. K. Singh, L. Budd, M. Schilfgaarde, M. R. MaCartney, D. J. Smith, and N. Newman, Appl. Phys. Lett. 82, 3047 (2003). 10.1063/1.1570521
43. H. X. Liu, S. Y. Wu, R. K. Singh, L. Gu, D. J. Smith, N. Newman, N. R. Dilley, L. Montes, and M. B. Simmonds, Appl. Phys. Lett. 85, 4076 (2004). 10.1063/1.1812581
44. T. Sasaki, S. Sonoda, Y. Yamamoto, K. Suga, S. Shimizu, K. Kindo, and H. Hori, J. Appl. Phys. 91, 7911 (2002). 10.1063/1.1451879
45. D. S. Han, J. Park, K. W. Rhie, S. Kim, and J. Chang, Appl. Phys. Lett. 86, 032506 (2005). 10.1063/1.1852725
46. T. Szyszko, G. Kamler, B. Strojeka, G. Weisbrod, S. Podsiado, L. Adamowicz, W. Gebicki, J. Szczytko, A. Twardowski, and K. Sikorski, J. Cryst. Growth 233, 631 (2001). 10.1016/S0022-0248(01)01593-7
47. G. Talut, H. Reuther, S. Q. Zhou, K. Potzger, F. Eichhorn, and F. Stromberg, J. Appl. Phys. 102, 083909 (2007). 10.1063/1.2798501
48. S. R. Shinde, S. B. Ogale, J. S. Higgins, H. Zheng, A. G. Millis, V. N. Kulkarni, R. Ramesh, R. L. Greene, and T. Venkatesan, Phys. Rev. Lett. 92, 166601 (2004). 10.1103/PhysRevLett.92.166601
49. B. Song, H. Q. Bao, H. Li, M. Lei, T. H. Peng, J. K. Jian, J. Liu, W. Y. Wang, W. J. Wang, and X. L. Chen, J. Am. Chem. Soc. 131, 1376 (2009). 10.1021/ja808507f
50. D. A. Schwartz, K. R. Kittilatved, and D. R. Gamelin, Appl. Phys. Lett. 85, 1395 (2004). 10.1063/1.1785872
51. J. T. Richardson and W. O. Milligan, Phys. Rev. 102, 1289 (1956). 10.1103/PhysRev.102.1289
52. R. H. Kodama, S. A. Makhouf, and A. E. Berkowitz, Phys. Rev. Lett. 78, 1393 (1997). 10.1103/PhysRevLett.79.1393
53. X. H. Huang, G. H. Li, L. Duan, L. Li, X. C. Dou, and L. D. Zhang, Scr. Mater. 60, 984 (2009). 10.1016/j.scriptamat.2009.02.038
54. R. K. Singhal, S. C. Sharma, and N. Jakhar, AIP Conf. Proc. 1391, 62 (2011). 10.1016/j.scriptamat.2009.02.038
55. D. Vempaire, S. Miraglia, J. Pelletier, D. Fruchart, E. K. Hlil, L. Ortega, A. Sulpice, and F. Fettar, J. Alloys Compd. 480, 225 (2009). 10.1016/j.jallcom.2009.02.066
56. D. Vempaire, F. Fettar, L. Ortega, F. Pierre, S. Miraglia, A. Sulpice, J. Pelletier, E. K. Hlil, and D. Fruchart, J. Appl. Phys. 106, 073911 (2009). 10.1063/1.3238290
57. H. B. Wang and D. S. Xue, Chin. Phys. Lett. 21, 1612 (2004). 10.1088/0256-307X/21/8/056
58. J. M. D. Coey, A. P. Douvalis, C. B. Fitzgerald, and M. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 84, 1332 (2004). 10.1063/1.1650041
59. B. S. Munawar, S. Ramasubramanian, R. Thangavel, M. Rajagopalan, and J. Kumar, J. Magn. Magn. Mater. 322, 238 (2010). 10.1016/j.jmmm.2009.09.028