Bipolar resistive switching of single gold-in-Ga 2O 3 nanowire

Nano Letters

Volumn 12, Issue 8, 2012, Pages 4247-4253

  Hsu, Chia Wei ^a   Chou, Li Jen ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

core?shell, nanowire; gold in Ga 2O 3; metal insulator metal; Resistive switching

Indexed keywords

CONDUCTION PATHS; CORE-SHELL; CORE-SHELL NANOWIRES; GOLD-IN-GA 2O 3; LOW DRIVING VOLTAGE; METAL ELECTRODES; NANOWIRE DEVICES; ON/OFF RATIO; OPERATING VOLTAGE; ORDERS OF MAGNITUDE; RESET VOLTAGE; RESISTIVE MEMORIES; RESISTIVE SWITCHING; SINGLE NANOWIRES;

ELECTRIC FIELDS; GALLIUM; GOLD; SHELLS (STRUCTURES); SWITCHING SYSTEMS;

NANOWIRES;

EID: 84864720628     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl301855u     Document Type: Article

References (47)

1. Strukov, D. B.; Snider, G. S.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nature 2008, 453, 80-83
2. Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632-2663
3. Kolobov, A. V.; Fons, P.; Frenkel, A. I.; Ankudinov, A. L.; Tominaga, J.; Uruga, T. Nature Mater. 2004, 3, 703-708
4. Moritomo, Y.; Asamitsu, A.; Kuwahara, H.; Tokura, Y. Nature 1996, 380, 141-144
5. Pavan, P.; Bez, R.; Olivo, P.; Zanoni, E. Proc. IEEE 1997, 85, 1248-1271
6. Scott, J. F.; Araujo, C. A. P. D. Science 1989, 246, 1400-1405
7. Li, S. L.; Shang, D. S.; Li, J.; Gang, J. L.; Zheng, D. N. J. Appl. Phys. 2009, 105, 033710
8. Liu, C. Y.; Wu, P. H.; Wang, A.; Jang, W. Y.; Young, J. C.; Chiu, K. Y.; Tseng, T. Y. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 351-353
9. Park, G. S.; Li, X. S.; Kim, D. C.; Jung, R. J.; Lee, M. J.; Seo, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 222103
10. Chang, W. Y.; Lin, C. A.; He, J. H.; Wu, T. B. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 242109
11. Fujimoto, M.; Koyama, H.; Konagai, M.; Hosoi, Y.; Ishihara, K.; Ohnishi, S.; Awaya, N. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 223509
12. Sim, H.; Choi, D.; Lee, D.; Seo, S.; Lee, M. J.; Yoo, I. K.; Hwang, H. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 292-294
13. Waser, R.; Aono, M. Nat. Mater. 2007, 6, 833-840
14. Kim, D. C.; Seo, S.; Ahn, S. E.; Suh, D.-S.; Lee, M. J.; Park, B.-H.; Yoo, I. K.; Baek, I. G.; Kim, H. -J.; Yim, E. K.; Lee, J. E.; Park, S. O.; Kim, H. S.; Chung, U-In; Moon, J. T.; Ryu, B. I. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 202102
15. Chen, A.; Haddad, S.; Wu, Y. C.; Lan, Z.; Fang, T. N.; Kaza, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 123517
16. Xia, Y.; He, W.; Chen, L.; Meng, X.; Liu, Z. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 022907
17. Kim, D. S.; Kim, Y. H.; Lee, C. E.; Kim, Y. T. Phys. Rev. B 2006, 74, 174430
18. Hsieh, C. H.; Chang, M. T.; Chien, Y. J.; Chou, L. J.; Chen, L. J.; Chen, C. D. Nano Lett. 2008, 8, 3288-3292
19. Lu, W.; Xie, P.; Lieber, C. M. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55, 2859-2876
20. Nagashima, K.; Yanagida, T.; Oka, K.; Taniguchi, M.; Kawai, T.; Kim, J. S.; Park, B. H. Nano Lett. 2010, 10, 1359-1363
21. Nagashima, K.; Yanagida, T.; Oka, K.; Kanai, M.; Klamchuen, A.; Kim, J. S.; Park, B. H.; Kawai, T. Nano Lett. 2011, 11, 2114-2118
22. Kim, K. H.; Gaba, S.; Wheeler, D.; Cruz-Albrecht, J. M.; Hussain, T.; Srinivasa, N.; Lu, W. Nano Lett. 2012, 12, 389-395
23. Oka, K.; Yanagida, T.; Nagashima, K.; Tanaka, H.; Kawai, T. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 3434-3435
24. Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Wang, D.; Lieber, C. M. Nature 2002, 420, 57-61
25. Xiang, J.; Lu, W.; Hu, Y.; Wu, Y.; Yan, H.; Lieber, C. M. Nature 2006, 441, 489-493
26. Qian, F.; Gradecak, S.; Li, Y.; Wen, C. Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2005, 5, 2287-2291
27. Chen, C. Y.; Lin, Y. K.; Hsu, C. W.; Wang, C. Y.; Chueh, Y. L.; Chen, L. J.; Lo, S. C.; Chou, L. J. Nano Lett. 2012, 12, 2254-2259
28. Chang, M. T.; Chen, C. Y.; Chou, L. J.; Chen, L. J. ACS Nano 2009, 3, 3776-3780
29. Hsieh, C. H.; Chou, L. J.; Lin, G. R.; Bando, Y.; Golberg, D. Nano Lett. 2008, 8, 3081-3085
30. Chen, P. H.; Hsieh, C. H.; Chen, S. Y.; Wu, C. H.; Wu, Y. J.; Chou, L. J.; Chen, L. J. Nano Lett. 2010, 10, 3267-3271
31. Wu, Y. J.; Hsieh, C. H.; Chen, P. H.; Li, J. Y.; Chou, L. J.; Chen, L. J. ACS Nano 2010, 4, 1393-1398
32. Sawa, A. Materialstoday 2008, 11, 28-36
33. Oka, K.; Yanagida, T.; Nagashima, K.; Kawai, T.; Kim, J. S.; Park, B. H. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 6634-6635
34. Gao, B.; Sun, B.; Zhang, H.; Liu, L.; Liu, X.; Han, R.; Kang, J.; Yu, B. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30, 1326-1328
35. Yu, S.; Philip Wong, H. -S. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 1455-1457
36. You, Y. H.; So, B. S.; Hwang, J. H.; Cho, W.; Lee, S. S.; Chung, T. M.; Kim, C. G.; An, K. S. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 222105
37. Kim, S. I.; Lee, J. H.; Chang, Y. W.; Hwang, S. S.; Yoo, K. H. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 033503
38. Kang, Y. H.; Choi, J. H.; Lee, T. I.; Lee, W.; Myoung, J. M. Solid State Commun. 2011, 151, 1739-1742
39. Sze, S. M.; Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices; Wiley-Interscience: New York, 2007.
40. Irmscher, K.; Galazka, Z.; Pietsch, M.; Uecker, R.; Fornari, R. J. Appl. Phys. 2011, 110, 063720
41. Huang, Y.; Yue, S.; Wang, Z.; Wang, Q.; Shi, C.; Xu, Z.; Bai, X. D.; Tang, C.; Gu, C. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 796-800
42. Gowtham, S.; Deshpande, M.; Costales, A.; Pandey, R. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 14836-14844
43. Shang, D. S.; Sun, J. R.; Shi, L.; Shen, B. G. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 102106
44. Gu, Y.; Lauhon, L. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 143102
45. Rose, A. Phys. Rev. 1955, 97, 1538-1544
46. Chiang, Y. D.; Chang, W. Y.; Ho, C. Y.; Chen, C. Y.; Ho, C. H.; Lin, S. J.; Wu, T. B.; He, J. H. IEEE Trans. Electron Devices 2011, 58, 1735-1740
47. Xu, N.; Liu, L.; Sun, X.; Liu, X.; Han, D.; Wang, Y.; Han, R.; Kang, J.; Yu, B. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 232112