Reversible resistive switching behaviors in NiO nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 3, 2008, Pages

  Kim, Sung In ^a   Lee, Jae Hak ^a   Chang, Young Wook ^a   Hwang, Sung Sic ^a   Yoo, Kyung Hwa ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; DATA STORAGE EQUIPMENT; ELECTRIC FIELDS; ELECTROFORMING; ELECTROMAGNETIC FIELD THEORY; ELECTROMAGNETIC FIELDS; FORMING; HEALTH; LIGHT METALS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOSTRUCTURES; NANOWIRES; OPTICAL DESIGN; SWITCHING SYSTEMS; THICK FILMS; THIN FILMS;

AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS (AIP); ANODIZED ALUMINUM OXIDE (AAO); BISTABLE RESISTIVE SWITCHING; NANO WIRES; NANOWIRE ARRAYS; NIO THIN FILMS; RESISTIVE SWITCHING;

ELECTRIC WIRE;

EID: 48249096013     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2958234     Document Type: Article

References (18)

1. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
2. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-I. Chung, and J. T. Moon, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2004, 587.
3. Y. H. You, B. S. So, J. H. Hwang, W. Cho, S. S. Lee, T. M. Chung, C. G. Kim, and K. S. An, Appl. Phys. Lett. 89, 222105 (2006).
4. K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugitama, and H. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, L991 (2006).
5. G. S. Park, X. S. Li, D. C. Kim, R. J. Jung, M. J. Lee, and S. Seo, Appl. Phys. Lett. 91, 222103 (2007).
6. J. W. Park, J. W. Park, D. Y. Kim, and J. K. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 1309 (2005).
7. D. C. Kim, S. Seo, S. E. Ahn, D.-S. Suh, M. J. Lee, B.-H. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H.-J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U-In Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett. 88, 202102 (2006).
8. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).
9. I. H. Inoue, S. Yasuda, H. Akinaga, and H. Takagi, Phys. Rev. B 77, 035105 (2008).
10. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, and C. M. Lieber, Nature (London) 409, 66 (2000).
11. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 158 (2002).
12. Y. Cui, Q. Wei, H. Park, and C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
13. H. Masuda and A. Fukuda, Science 268, 1466 (1995).
14. S. Zhao, K. Chan, A. Yelon, and T. Veres, Nanotechnology 18, 245304 (2007).
15. B. Wildt, P. Mali, and P. C. Searson, Langmuir 22, 10528 (2006).
16. Y. Lin, T. Xie, B. Cheng, B. Geng, and L. Zhang, Chem. Phys. Lett. 380, 521 (2003).
17. J. F. Gibbons and W. E. Beadle, Solid-State Electron. 7, 785 (1964).
18. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U-In Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett. 88, 232106 (2006).