Self-assembled GaN nanowires on diamond

Nano Letters

Volumn 12, Issue 5, 2012, Pages 2199-2204

  Schuster, Fabian ^a   Furtmayr, Florian ^a   Zamani, Reza ^b,d   Magén, Cesar ^c   Morante, Joan R ^d,e   Arbiol, Jordi ^b,f   Garrido, Jose A ^a   Stutzmann, Martin ^a  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

^b UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA   (Spain)

^c UNIVERSITY OF ZARAGOZA   (Spain)

^d CATALONIA INSTITUTE FOR ENERGY RESEARCH IREC   (Spain)

^e UNIVERSITY OF BARCELONA   (Spain)

^f INSTITUCIÓ CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANÇATS ICREA   (Spain)

Author keywords

diamond; GaN; heteroepitaxy; molecular beam epitaxy; Nanowires; nitrides

Indexed keywords

ABERRATION-CORRECTED; AXIAL GROWTH; BIAXIAL TENSILE STRAIN; BRIGHTFIELD; CRYSTALLINE QUALITY; EPITAXIAL RELATIONSHIPS; EXCITONIC EMISSION; GAN; GAN NANOWIRES; HIGH-QUALITY DIAMONDS; LOW DEFECT DENSITIES; M-PLANE; P-TYPE; SCANNING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; SELF-ASSEMBLED; SILICON SUBSTRATES; SINGLE DOMAINS; SINGLE-CRYSTALLINE DIAMOND; THERMAL EXPANSION MISMATCH; WURTZITE CRYSTAL STRUCTURE;

DIAMONDS; EPITAXIAL GROWTH; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOWIRES; NITRIDES; OPTICAL PROPERTIES; OPTOELECTRONIC DEVICES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION; ZINC SULFIDE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 84861060774     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl203872q     Document Type: Article

References (35)

1. Vogg, G.; Miskys, C. R.; Garrido, J. A.; Hermann, M.; Eickhoff, M.; Stutzmann, M. J. Appl. Phys. 2004, 96, 895
2. Miskys, C. R.; Garrido, J. A.; Nebel, C. E.; Hermann, M.; Ambacher, O.; Eickhoff, M.; Stutzmann, M. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 290
3. Wang, K.; Reeber, R. R. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998, 482, 863
4. Slack, G. A.; Bartram, S. F. J. Appl. Phys. 1975, 46, 89
5. Dussaigne, A.; Malinverni, M.; Martin, D.; Castiglia, A.; Grandjean, N. J. Cryst. Growth 2009, 311, 4539
6. Van Dreumel, G. W. G.; Tinnemans, P. T.; Van den Heuvel, A. A. J.; Bohnen, T.; Buijnsters, J. G.; Ter Meulen, J. J.; Van Enckevort, W. J. P.; Hageman, P. R.; Vlieg, E. J. Appl. Phys. 2011, 110, 013503
7. Alomari, M.; Dussaigne, A.; Martin, D.; Grandjean, N.; Gaquière, C.; Kohn, E. Electron. Lett. 2010, 46, 4
8. Hirama, K.; Taniyasu, Y.; Kasu, M. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 162112
9. Felbinger, J. G.; Chandra, M. V. S.; Sun, Y.; Eastman, L. F.; Wasserbauer, J.; Faili, F.; Babic, D.; Francis, D.; Ejeckam, F. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 948
10. Diduck, Q.; Felbinger, J.; Eastman, L. F.; Francis, D.; Wasserbauer, J.; Faili, F.; Babic, D. I.; Ejeckam, F. Electron. Lett. 2009, 45, 14
11. Babić, D. I.; Diduck, Q.; Yenigalla, P.; Schreiber, A.; Francis, D.; Faili, F.; Ejeckam, F.; Felbinger, J. G.; Eastman, L. F. GaN-on-diamond field-effect transistors: from wafers to amplifier modules, MIPRO Proceedings of the 33rd International Convention; May 24-28, 2010, Opatija, Croatia; p 60.
12. Neumann, P.; Kolesov, R.; Naydenov, B.; Beck, J.; Rempp, F.; Steiner, M.; Jacques, V.; Balasubramanian, G.; Markham, M. L.; Twitchen, D. J.; Pezzagna, S.; Meijer, J.; Twamley, J.; Jelezko, F.; Wrachtrup, J. Nat. Phys. 2010, 6, 249
13. Hauf, M. V.; Grotz, B.; Naydenov, B.; Dankerl, M.; Pezzagna, S.; Meijer, J.; Jelezko, F.; Wrachtrup, J.; Stutzmann, M.; Reinhard, F.; Garrido, J. A. Phys. Rev. B 2011, 83, 081304(R)
14. Grotz, B.; Hauf, M. V.; Dankerl, M.; Naydenov, B.; Pezzagna, S.; Meijer, J.; Jelezko, F.; Wrachtrup, J.; Stutzmann, M.; Reinhard, F.; Garrido, J. A. Nat. Comm. 2012, 3, 729
15. Calleja, E.; Sanchez-Garcia, M. A.; Sanchez, F. J.; Calle, F.; Naranjo, F. B.; Munoz, E.; Jahn, U.; Ploog, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 16826
16. De la Mata, M.; Magen, C.; Gazquez, J.; Utama, M. I. B.; Heiss, M.; Lopatin, S.; Furtmayr, F.; Fernández-Rojas, C. J.; Peng, B.; Morante, J. R.; Rurali, R.; Eickhoff, M.; Fontcuberta i Morral, A.; Xiong, Q.; Arbiol, J. Nano Lett. 2012, DOI:10.1021/nl300840q
17. Okunishi, E.; Ishikawa, I.; Sawada, H.; Hosokawa, F.; Hori, M.; Kondo, Y. Microsc. Microanal. 2009, 15, 164
18. Utama, M. I. B.; Belarre, F. J.; Magen, C.; Peng, B.; Arbiol, J.; Xiong, Q. Nano Lett. 2012, 12, 2146
19. Ishikawa, R.; Okunishi, E.; Sawada, H.; Kondo, Y.; Hosokawa, F.; Abe, E. Nat. Mater. 2011, 10, 278
20. Furtmayr, F.; Vielemeyer, M.; Stutzmann, M.; Arbiol, J.; Estradé, S.; Peiro, F.; Morante, J. R.; Eickhoff, M. J. Appl. Phys. 2008, 104, 034309
21. Deger, C.; Born, E.; Angerer, H.; Ambacher, O.; Stutzmann, M.; Hornsteiner, J.; Riha, E.; Fischerauer, G. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 2400
22. Martínez-Criado, G.; Miskys, C. R.; Cros, A.; Ambacher, O.; Cantarero, A.; Stutzmann, M. J. Appl. Phys. 2001, 90, 5627
23. Hofmann, D. M.; Kovalev, D.; Steude, G.; Meyer, B. K.; Hoffmann, A.; Eckey, L.; Heitz, R.; Detchprom, T.; Amano, H.; Akasaki, I. Phys. Rev. B 1995, 52, 16702
24. Ponce, F. A.; Bour, D. P.; Götz, W.; Wright, P. J. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 57
25. Calleja, E.; Sánchez, F. J.; Basak, D.; Sánchez- García, M. A.; Munoz, E.; Izpura, I.; Calle, F.; Tijero, J. M. G.; Sánchez-Rojas, J. L.; Beaumont, B.; Lorenzini, P.; Gibart, P. Phys. Rev. B 1997, 55, 4689
26. Furtmayr, F.; Vielemeyer, M.; Stutzmann, M.; Laufer, A.; Meyer, B. K.; Eickhoff, M. J. Appl. Phys. 2008, 104, 074309
27. Robins, L. H.; Bertness, K. A.; Barker, J. M.; Sanford, N. A.; Schlager, J. B. J. Appl. Phys. 2007, 101, 113505
28. Robins, L. H.; Bertness, K. A.; Barker, J. M.; Sanford, N. A.; Schlager, J. B. J. Appl. Phys. 2007, 101, 113506
29. Menniger, J.; Jahn, U.; Brandt, O.; Yang, H.; Ploog, K. Phys. Rev. B 1996, 53, 1881
30. Wu, J.; Yaguchi, H.; Onabe, K.; Ito, R.; Shiraki, Y. J. Cryst. Growth 1998, 189/190, 415
31. Arbiol, J.; Estrade, S.; Prades, J. D.; Cirera, A.; Furtmayr, F.; Stark, C.; Laufer, A.; Stutzmann, M.; Eickhoff, M.; Gass, M. H.; Bleloch, A. L.; Peiró, F.; Morante, J. R. Nanotechnology 2009, 20, 145704
32. Fischer, S.; Wetzel, C.; Haller, E. E.; Meyer, B. K. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1298
33. Leroux, M.; Beaumont, B.; Grandjean, N.; Lorenzini, P.; Haffouz, S.; Vennéguès, P.; Massies, J.; Gibart, P. Mater. Sci. Eng. B 1997, 50, 97
34. Varshni, Y. P. Physica 1967, 34, 149
35. Bimberg, D.; Sondergeld, M.; Grobe, E. Phys. Rev. B 1971, 4, 3451