Photoluminescence study of excitons in homoepitaxial GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 11, 2001, Pages 5627-5631

  Martinez Criado G ^a   Miskys, C R ^b   Cros, A ^a   Ambacher, O ^b   Cantarero, A ^a   Stutzmann, M ^b  

^a UNIVERSITY OF VALENCIA   (Spain)

^b WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035576362     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1413713     Document Type: Article

References (24)

1. N. E. Christensen and P. Perlin, in Gallium Nitride I, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Semiconductors and Semimetals Series (Academic, New York, 1998), Vol. 50.
2. H. Morkoç in Nitride Semi-conductors and Devices, edited by R. Hull, R. M. Osgood, Jr., H. Sakaki, and A. Zunger, Springer Series in Materials Science (Springer, Berlin, 1999), Vol. 32.
3. E. Calleja, F. J. Sánchez, D. Basak, M. A. Sánchez-García, E. Muñoz, I. Izpura, F. Calle, J. M. G. Tijero, and J. L. Sánchez-Rojas, Phys. Rev. B 55, 4689 (1997).
4. L. W. Tu, Y. C. Lee, D. Stocker, and E. F. Schubert, Phys. Rev. B 58, 10696 (1998).
5. G. Martínez-Criado, A. Cros, A. Cantarero, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 88, 3470 (2000).
6. P. W. Yu, C. S. Park, and S. T. Kim, J. Appl. Phys. 89, 1692 (2001).
7. E. M. Goldys, M. Godlewski, R. Langer, A. Barski, P. Bergman, and B. Monemar, Phys. Rev. B 60, 5464 (1998).
8. C. R. Miskys, M. K. Kelly, O. Ambacher, G. Martínez-Criado, and M. Stulzmann, Appl. Phys. Lett. 77, 1858 (2000).
9. M. Schauler, F. Eberhard, C. Kirchner, V. Schwegler, A. Pelzmann, M. Kamp, K. J. Ebeling, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, P. Prystawko, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 74, 1123 (1999).
10. L. Pavesi and M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
11. Z. X. Liu, K. P. Korona, K. Syassen, J. Kuhl, K. Pakula, J. M. Baranowski, I. Grzegory, and S. Porowski, Solid State Commun. 108, 433 (1998).
12. T. Taliercio, M. Gallart, P. Lefebvre, A. Morel, B. Gil, J. Allègre, N. Grandjean, J. Massies, I. Grzegory, and S. Porowski, Solid State Commun. 117, 445 (2001).
13. I. Grzegory and S. Porowski, Thin Solid Films 367, 281 (2000).
14. F. Calle, F. J. Sánchez, J. M. G. Tijero, M. A. Sánchez-García, E. Calleja, and R. Beresford, Semicond. Sci. Technol. 12, 1396 (1997).
15. D. Bimberg, M. Sondergeld, and E. Grobe, Phys. Rev. B 4, 3451 (1971).
16. D. Volm, K. Oettinger, T. Streibl, D. Kovalev, M. Ben-Chorin, J. Diener, B. K. Meyer, J. Majewski, L. Eckey, and A. Hoffmann, Phys. Rev. B 53, 16543 (1996).
17. J. R. Haynes, Phys. Rev. Lett. 4, 351 (1960).
18. Y. J. Wang, R. Kaplan, H. K. Ng, K. Doverspike, D. K. Gaskill, T. Ikedo, I. Akasaki, and H. Amono, J. Appl. Phys. 79, 8007 (1996).
19. W. Shan, B. D. Little, A. J. Fischer, J. J. Song, B. Goldenberg, W. G. Perry, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 16369 (1996).
20. M. Drechsler, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1178 (1995).
21. K. Reimann, M. Steube, D. Fröhlich, and S. J. Clarke, J. Cryst. Growth 189/190, 652 (1998).
22. M. Suzuki, T. Uenoyama, and A. Yanase, Phys. Rev. B 52, 8132 (1995).
23. B. J. Skromme, J. Jayapalan, R. P. Vaudo, and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 74, 2358 (1999).
24. T. Schmidt, K. Lischka, and W. Zulehner, Phys. Rev. B 45, 8989 (1992).