Atomic layer deposition of hafnium dioxide films using hafnium bis(2-butanolate)bis(1-methoxy-2-methyl-2-propanolate) and water

Chemical Vapor Deposition

Volumn 9, Issue 6, 2003, Pages 315-320

  Kukli, Kaupo ^a,b   Ritala, Mikko ^a   Leskelä, Markku ^a   Sajavaara, Timo ^a   Keinonen, Juhani ^a   Jones, Anthony C ^c,d   Roberts, John L ^c,d  

^a UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^b UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

^c UNIVERSITY OF LIVERPOOL   (United Kingdom)

^d Epichem Oxides Division   (United Kingdom)

Author keywords

ALD; Dielectrics; Hafnium dioxide; Thin films

Indexed keywords

BOROSILICATE GLASS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DIELECTRIC MATERIALS; HAFNIUM COMPOUNDS; LEAKAGE CURRENTS; PERMITTIVITY; PYROLYSIS; THERMAL EFFECTS; WATER;

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD); DIELECTRIC LAYER DIMENSIONS; MATERIAL PROCESSING PARAMETERS;

THIN FILMS;

EID: 1942420039     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200306263     Document Type: Article

References (32)

1. H. Iwai, S. Ohmi, Microelectron. Reliab. 2002, 42, 465.
2. H. R. Huff, G. A. Brown, L. A. Larson, R. W. Murto, Electrochem. Soc. Proc. 2001, 2001-09, 263.
3. W. Yeh, C. Lin, Thin Solid Films 2002, 419, 218.
4. B. Dance, Semicond. Int. 2001, 24, 58.
5. K. Rim, E. P. Gusev, C. D'Emic, T. Kanarsky, H. Chen, J. Chu, J. Ott, K. Chan, D. Boyd, V. Mazzeo, B. H. Lee, A. Mocuta, J. Welser, S. L. Cohen, M. Ieong, H.-S. Wong, Symp. VLSI Technol. Digest of Technical Papers 2002, 12.
6. J. M. Hergenrother, G. D. Wilk, T. Nigam, F. P. Klemens, D. Monroe, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, B. Busch, M. L. Green, M. R. Baker, T. Bonne, M. K. Bude, N. A. Ciampa, E. J. Ferry, A. T. Fiory, S. J. Hillenius, D. C. Jacobson, R. W. Johnson, P. Kalavade, R. C. Keller, C. A. King, A. Kornblit, H. W. Krautter, J. T.-C. Lee, W. M. Mansfield, J. F. Miner, M. D. Morris, S.-H. Oh, J. M. Rosamilia, B. J. Sapjeta, K. Short, K. Steiner, D. A. Muller, P. M. Voyles, J. L. Grazul, E. J. Shero, M. E. Givens, C. Pomarede, M. Mazanec, C. Werkhoven, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2001, 51.
7. H. Sim, H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4038.
8. A. C. Jones, J. Mater. Chem. 2002, 12, 2576.
9. M. Ritala, M. Leskelä, in Handbook of Thin Film Materials (Ed: H. S. Nalva), Academic Press, New York 2002, Vol. 1, p. 103.
10. T. Suntola, Thin Solid Films 1992, 216, 84.
11. M. Ritala, M. Leskelä, L. Niinistö, T. Prohaska, G. Friedbacher, M. Grasserbauer, Thin Solid Films 1994, 250, 72.
12. J. Aarik, A. Aidla, A.-A. Kiisler, T. Uustarc, V. Sammelselg, Thin Solid Films 1999, 340, 110.
13. V. V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, G. J. Adriaenssens, M. M. Heyns, J. Non-Cryst. Solids 2002, 303, 69.
14. S. Ferrari, D. T. Dekadjevi, S. Spiga, G. Tallarida, C. Wiemer, M. Fanciulli, J. Non-Cryst. Solids 2002, 303, 209.
15. K. Kukli, M. Ritala, J. Aarik, T. Uustare, M. Leskelä, J. Appl. Phys. 2002, 92, 1833.
16. S. Ferrari, G. Scarel, C. Wiemer, M. Fanciulli, J. Appl. Phys. 2002, 92, 7675.
17. A. Rahtu, M. Ritala, J. Mater. Chem. 2002, 12, 1484.
18. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 297.
19. A. Nakajima, T. Kidera, H. Ishii, S. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 2824.
20. K. P. Bastos, J. Morais, L. Miotti, R. P. Pezzi, G. V. Soares, I. J. R. Baumvol, R. I. Hegde, H. H. Tseng, P. J. Tobin, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1669.
21. Y.-S. Lin, R. Puthenkovilakam, J. P. Chang, Appl. Phys. Lett, 2002, 81, 2041.
22. P. A. Williams, J. L. Roberts, A. C. Jones, P. R. Chalker, N. L. Tobin, J. F. Bickley, H. O. Davies, L. M. Smith, T. J. Leedham, Chem. Vap. Deposition 2002, 8, 163.
23. P. A. Williams, J. L. Roberts, A. C. Jones, P. R. Chalker, J. F. Bickley, A. Steiner, H. O. Davies, T. J. Leedham, J. Mater. Chem. 2002, 12, 165.
24. S. Taylor, P. A. Williams, J. L. Roberts, A. C. Jones, P. L. Chalker, Electron. Lett. 2002, 38, 1285.
25. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, A. C. Jones, J. L. Roberts, Chem. Mater. 2003, 15, 1722.
26. Joint Committee of Powder Diffraction Data. ICDD Card 43-1017.
27. D. K. Schröder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed., J. Wiley and Sons. New York 1998 p. 350.
28. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., J. Wiley and Sons, New York 1998 p. 350.
29. S. Horii, K. Yamamoto, M. Asai, H. Miya, M. Niwa, Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 5176.
30. K. J. Choi, W.-C. Shin, S.-G. Yoon, J. Mater. Res. 2003, 18, 60.
31. M. Ylilammi, T. Ranta-aho, Thin Solid Films 1993, 232, 56.
32. J. Jokinen, P. Haussalo, J. Keinonen, M. Ritala, D. Riihelä, M. Leskelä, Thin Solid Films 1996, 289, 159.