Two- and three-terminal resistive switches: Nanometer-scale memristors and memistors

Advanced Functional Materials

Volumn 21, Issue 14, 2011, Pages 2660-2665

  Xia, Qiangfei ^a,b   Pickett, Matthew D ^a   Yang, J Joshua ^a   Li, Xuema ^a   Wu, Wei ^a   Medeiros Ribeiro, Gilberto ^a   Williams, R Stanley ^a  

^a HEWLETT PACKARD LABORATORIES   (United States)

^b University of Massachusetts   (United States)

Author keywords

logic circuits; memistors; memristors; nanoimprint lithography; surface patterning

Indexed keywords

CROSS-BAR STRUCTURES; FEATURE SIZES; LOGICAL RELATIONSHIPS; MEMISTORS; MEMRISTOR; NANO-IMPRINT; NANO-METER-SCALE; NANOSCALE DEVICE; NON-VOLATILE; SURFACE PATTERNING; SWITCHING BEHAVIORS;

EQUIVALENT CIRCUITS; EVAPORATION; LOGIC CIRCUITS; MEMRISTORS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOTECHNOLOGY; PASSIVE FILTERS; PHASE TRANSITIONS; RESISTORS;

NANOIMPRINT LITHOGRAPHY;

EID: 79959341162     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201100180     Document Type: Article

References (37)

1. B. Widrow, Stanford Electronics Laboratories Technical Report, 1553-2, 1960.
2. S. Thakoor, A. Moopenn, T. Daud, A. P. Thakoor, J. Appl. Phys. 1990, 67, 3132.
3. R. Ramesham, S. Thakoor, T. Daud, A. P. Thakoor, J. Electrochem. Soc. 1990, 137, 1935.
4. R. Waser, M. Aono, Nature Mater. 2007, 6, 833.
5. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Mat. 2009, 21, 2632.
6. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2008, 453, 80.
7. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 1971, 18, 507.
8. L. O. Chua, S. M. Kang, Proc. IEEE 1976, 64, 209.
9. M. Janousch, G. I. Meijer, U. Staub, B. Delley, S. F. Karg, B. P. Andreasson, Adv. Mater. 2007, 19, 2232.
10. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. M. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 429.
11. G. I. Meijer, Science 2008, 319, 1625.
12. A. Chen, S. Haddad, Y. C. Wu, T. N. Fang, S. Kaza, Z. Lan, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 013503.
13. X. M. Chen, G. H. Wu, D. H. Bao, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 093501.
14. Q. F. Xia, W. Robinett, M. W. Cumbie, N. Banerjee, T. J. Cardinali, J. J. Yang, W. Wu, X. M. Li, W. M. Tong, D. B. Strukov, G. S. Snider, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, Nano Lett. 2009, 9, 3640.
15. D. B. Strukov, K. K. Likharev, Nanotechnology 2005, 16, 888.
16. G. S. Snider, R. S. Williams, Nanotechnology 2007, 18, 035204.
17. J. Borghetti, G. S. Snider, P. J. Kuekes, J. J. Yang, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2010, 464, 873.
18. G. S. Snider, Nanotechnology 2007, 18, 365202.
19. H. Choi, H. Jung, J. Lee, J. Yoon, J. Park, D. J. Seong, W. Lee, M. Hasan, G. Y. Jung, H. Hwang, Nanotechnology 2009, 20, 345201.
20. S. Y. Chou, P. R. Krauss, P. J. Renstrom, Appl. Phys. Letts. 1995, 67, 3114.
21. S. Y. Chou, P. R. Krauss, P. J. Renstrom, Science 1996, 272, 85.
22. S. Y. Chou, P. B. Fischer, J. Vac. Sci. Technol. B 1990, 8, 1919.
23. D. R. S. Cumming, S. Thoms, S. P. Beaumont, J. M. R. Weaver, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 322.
24. M. W. Horn, M. D. Pickett, R. Messier, A. Lakhtakia, Nanotechnology 2004, 15, 303.
25. Z. N. Yu, S. Y. Chou, Nano Lett. 2004, 4, 341.
26. L. F. Sun, S. N. Chin, E. Marx, K. S. Curtis, N. C. Greenham, C. J. B. Ford, Nanotechnology 2005, 16, 631.
27. Y. Naitoh, M. Horikawa, H. Abe, T. Shimizu, Nanotechnology 2006, 17, 5669.
28. Q. F. Xia, J. J. Yang, W. Wu, X. M. Li, R. S. Williams, Nano Lett. 2010, 10, 2909.
29. M. Schvartzman, S. J. Wind, Nano Lett. 2009, 9, 3629.
30. J. M. Nieuwenhuizen, H. B. Haanstra, Philips Tech. Rev. 1966, 27, 87.
31. Q. F. Xia, M. D. Pickett, J. J. Yang, M.-X. Zhang, J. Borghetti, X. M. Li, W. Wu, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, unpublished.
32. M. D. Pickett, D. B. Strukov, J. L. Borghetti, J. J. Yang, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, J. Appl. Phys. 2009, 106, 074508.
33. J. J. Yang, F. Miao, M. D. Pickett, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, C. N. Lau, R. S. Williams, Nanotechnology 2009, 20, 215201.
34. J. J. Yang, J. P. Strachan, F. Miao, M.-X. Zhang, M. D. Pickett, W. Yi, D. A. A. Ohlberg, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, Appl. Phys. A 2011, 102, 785.
35. J. Borghetti, D. B. Strukov, M. D. Pickett, J. J. Yang, D. R. Stewart, R. S. Williams, J. Appl. Phys. 2009, 106, 124504.
36. J. J. Yang, J. Borghetti, D. Murphy, D. R. Stewart, R. S. Williams, Adv. Mater. 2009, 21, 3754.
37. G. Y. Jung, Z. Y. Li, W. Wu, Y. Chen, D. L. Olynick, S.-Y. Wang, W. M. Tong, R. S. Williams, Langmuir 2005, 21, 1158.