Enhancement of thermal stability in Ni silicides on Epi-Si1-x Cx by Pt addition

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 157, Issue 8, 2010, Pages

  Yoo, J H ^a   Sohn, H ^a   Ko, D H ^a   Cho, M H ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURES; C ATOMS; EPITAXIAL SI; NI SILICIDE; NI-PT ALLOY; NICKEL SILICIDE; SI LAYER; SILICIDATION PROCESS; THERMAL STABILITY;

AGGLOMERATION; ELECTRIC RESISTANCE; GRAIN BOUNDARIES; NICKEL COMPOUNDS; PHASE INTERFACES; PLATINUM; PLATINUM ALLOYS; SILICIDES; SILICON; SILICON ALLOYS; THERMODYNAMIC STABILITY;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 77954700348     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3454216     Document Type: Article

References (35)

1. T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth, M. Bost, P. Charvat, G. Glass, T. Hoffmann, K. Johnson, C. Kenyon, J. Klaus, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918, 2003, 978.
2. H. Ohta, Y. Kim, Y. Shimamune, T. Sakuman, A. Hatada, A. Katakami, T. Soeda, K. Kawamura, H. Kokura, H. Morioka, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918, 2005, 247.
3. K. W. Ang, K. J. Chui, V. Bliznetsov, A. Bu, N. Balasubramanian, M. F. Li, G. Samudra, and Y. -C. Yeo, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106, 54, 2910 (2007).
4. B. Yang, R. Takalkar, Z. Ren, L. Black, A. Dube, J. W. Weijtmans, J. Li, J. B. Johnson, J. Faltermeier, A. Madan, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918, 2008, 51.
5. P. Verheyen, V. Machkaoutsan, M. Bauer, D. Weeks, C. Kerner, F. Clemente, H. Bender, D. Shamiryan, R. Loo, T. Hoffmann, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106, 29, 1206 (2008). 10.1109/LED.2008.2005593
6. K. Maex and M. Van Rossum, Properties of Metal Silicides, INSPEC, London (1995).
7. T. Morimoto, H. S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, H. Okano, I. Katakabe, H. Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918, 1991, 653.
8. R. Mukai, S. Ozawa, and H. Yagi, Thin Solid Films THSFAP 0040-6090, 270, 567 (1995). 10.1016/0040-6090(95)06936-4
9. E. G. Colgan, J. P. Gambino, and B. Cunningham, Mater. Chem. Phys. MCHPDR 0254-0584, 46, 209 (1996). 10.1016/S0254-0584(97)80015-6
10. F. Deng, R. A. Johnson, P. M. Asbeck, S. S. Lau, W. B. Dubbelday, T. Hsiao, and J. Woo, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979, 81, 8047 (1997). 10.1063/1.365410
11. J. F. Liu, J. Y. Feng, and J. Zhu, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979, 90, 745 (2001). 10.1063/1.1379053
12. L. W. Cheng, S. L. Cheng, L. J. Chen, H. C. Chien, H. L. Lee, and F. M. Pan, J. Vac. Sci. Technol. A JVTAD6 0734-2101, 18, 1176 (2000). 10.1116/1.582321
13. D. Mangelinck, J. Y. Dai, J. S. Pan, and S. K. Lahiri, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951, 75, 1736 (1999). 10.1063/1.124803
14. M. -J. Kim, H. -J. Choi, D. -H. Ko, J. -H. Ku, S. Choi, K. Fujihara, and C. -W. Yang, Electrochem. Solid-State Lett. ESLEF6 1099-0062, 6, G122 (2003). 10.1149/1.1601813
15. D. Lee, K. Do, D. -H. Ko, S. Choi, J. -H. Ku, and C. -W. Yang, Mater. Sci. Eng., B MSBTEK 0921-5107, 114-115, 241 (2004). 10.1016/j.mseb.2004.07.081
16. R. T. P. Lee, D. Z. Chi, M. Y. Lai, N. L. Yakovlev, and S. J. Chua, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651, 151, G642 (2004). 10.1149/1.1782634
17. R. Wei and C. Dongzhi, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651, 155, H177 (2008). 10.1149/1.2823377
18. T. L. Lee, J. W. Lee, M. C. Lee, T. F. Lei, and C. L. Lee, Electrochem. Solid-State Lett. ESLEF6 1099-0062, 6, G66 (2003). 10.1149/1.1563093
19. P. S. Lee, K. L Pey, D. Magelinck, J. Ding, D. Z. Chi, and L. Chan, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106, 22, 568 (2001). 10.1109/55.974579
20. G. Davies and R. C. Newman, in Handbook of Semiconductors, Vol. 3, T. S. Moss, Editor, Elsevier, New York (1994).
21. L. J. Jin, K. L. Pey, W. K. Choi, E. A. Fitzgerld, D. A. Antoniadis, A. J. Pitera, M. L. Lee, D. Z. Chi, M. A. Rahman, T. Osipowicz, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979, 98, 033520 (2005). 10.1063/1.1977196
22. M. A. Rahman, T. Osipowicz, K. L. Pey, L. J. Jin, W. K. Choi, D. Z. Chi, D. A. Antoniadis, E. A. Fitzgerald, and D. M. Isaacson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951, 87, 182116 (2005). 10.1063/1.2120902
23. C. Demeurisse, P. Verheyen, K. Opsomer, C. Vrancken, P. Absil, and A. Lauwers, Microelectron. Eng. MIENEF 0167-9317, 84, 2547 (2007). 10.1016/j.mee.2007.05.065
24. Y. Setiawan, S. Balakumar, E. J. Tan, K. L. Pey, and P. S. Lee, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651, 156, H500 (2009). 10.1149/1.3121204
25. V. Machkaoutsan, S. Mertens, M. Bauer, A. Lauwers, K. Verheyden, K. Vanormelingen, P. Verheyen, R. Loo, M. Caymax, S. Jakschik, Microelectron. Eng. MIENEF 0167-9317, 84, 2542 (2007). 10.1016/j.mee.2007.05.017
26. O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, and S. Zaima, Microelectron. Eng. MIENEF 0167-9317, 82, 479 (2005). 10.1016/j.mee.2005.07.046
27. R. T. P. Lee, L. -T. Yang, T. -Y. Liow, K. -M. Tan, A. E.-J. Lim, K. -W. Ang, D. M. Y. Lai, K. M. Hoe, G. -Q. Lo, G. S. Samudra, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106, 29, 89 (2008). 10.1109/LED.2007.910793
28. J. H. Yoo, H. J. Chang, B. G. Min, D. H. Ko, M. H. Cho, H. Sohn, and T. W. Lee, Mater. Sci. Eng., B MSBTEK 0921-5107, 154-155, 183 (2008).
29. A. S. Edelstein, D. J. Gillespie, S. F. Cheng, J. H. Perepezko, and K. Landry, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979, 85, 2636 (1999). 10.1063/1.369580
30. C. Detavernier and C. Lavoie, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951, 84, 3549 (2004). 10.1063/1.1719276
31. T. G. Finstad, Thin Solid Films THSFAP 0040-6090, 51, 411 (1978). 10.1016/0040-6090(78)90305-X
32. G. Ottaviani, K. N. Tu, W. K. Chu, L. S. Hung, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979, 53, 4903 (1982). 10.1063/1.331323
33. F. F. Zhao, S. Y. Chen, Z. X. Shen, X. S. Gao, J. Z. Zheng, A. K. See, and L. H. Chan, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 1071-1023, 21, 862 (2003). 10.1116/1.1562642
34. J. C. Tsang, R. Matz, Y. Yokota, and G. W. Rubloff, J. Vac. Sci. Technol. A JVTAD6 0734-2101, 2, 556 (1984). 10.1116/1.572444
35. D. Mangelinck, P. Gas, J. M. Gay, B. Pichaud, and O. Thomas, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979, 84, 2583 (1998). 10.1063/1.368611