Excellent stability of GaN-on-Si High electron mobility transistors with 5μm gate-drain spacing tested in off-state at a record drain voltage of 200V and 200 °c

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 4 PART 2, 2010, Pages

  Marcon, Denis ^a,b   Van Hove, Marleen ^a   Visalli, Domenica ^a,b   Derluyn, Joff ^a   Das, Jo ^a   Medjdoub, Farid ^a   Degroote, Stefan ^a   Leys, Maarten ^a   Cheng, Kai ^a   Mertens, Robert ^a,b   Germain, Marianne ^a   Borghs, Gustaaf ^a,b  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN/GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; AMBIENT TEMPERATURES; DEPOSITION TECHNIQUE; DEVICE STABILITY; DOUBLE HETEROSTRUCTURES; DRAIN VOLTAGE; GATE DRAIN; GATE TECHNOLOGY; HIGH QUALITY; IN-SITU; PINCHOFF; SILICON SUBSTRATES;

ELECTRON MOBILITY; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 77952704541     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DF07     Document Type: Article

References (28)

1. Y. Wu, M. Moore, A. Saxler, T. Wisleder, and P. Parikh: Proc. Device Research Conf. (DRC), 2006, p. 151.
2. Y. Wu, M. Jacob-Mitos, M. L. Moore, and S. Heikman: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 824.
3. W. Saito, T. Nitta, Y. Kakiuchi, Y. Saito, K. Tsuda, I. Omura, and M. Yamaguchi: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 8.
4. N. Ikeda, S. Kaya, J. Li, Y. Sato, S. Kato, and S. Yoshida: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC's, 2008, p. 287.
5. S. Iwakami, O. Machida, M. Yanagihara, T. Ehara, N. Kaneko, H. Goto, and A. Iwabuchi: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L587.
6. S. Iwakami, O. Machida, Y. Izawa, R. Baba, M. Yanagihara, T. Ehara, N. Kaneko, H. Goto, and A. Iwabuchi: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L721.
7. T. Egawa, T. Suzue, and S. L. Selvaraj: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 587.
8. J. W. Johnson, E. L. Piner, A. Vescan, R. Therrien, P. Rajagopal, J. C. Roberts, J. D. Brown, S. Singhal, and K. J. Linthicum: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 459.
9. S. Hoshi, M. Itoh, T. Marui, H. Okita, Y. Morino, I. Tamai, F. Toda, S. Seki, and T. Egawa: Appl. Phys. Express 2 (2009) 061001.
10. A. R. Boyd, S. Degroote, M. Leys, F. Schulte, O. Rockenfeller, M. Luenenbuerger, M. Germain, J. Kaeppeler, and M. Heuken: Phys. Status Solidi C 6 (2009) S1045.
11. G. Meneghesso, G. Verzellesi, F. Danesin, F. Rampazzo, F. Zanon, A. Tazzoli, M. Meneghini, and E. Zanoni: IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 8 (2008) 332.
12. D. Marcon, A. Lorenz, J. Derluyn, J. Das, F. Medjdoub, K. Cheng, S. Degroote, M. Leys, R. Mertens, M. Germain, and G. Borghs: Phys. Status Solidi C 6 (2009) S1024.
13. Y. Inoue, S. Masuda, M. Kanamura, T. Ohki, K. Makiyama, N. Okamoto, K. Imanishi, T. Kikkawa, N. Hara, H. Shigematsu, and K. Joshin: Proc. IEEE MTT-S, 2007, p. 639.
14. S. Singhal, J. C. Roberts, P. Rajagopal, T. Li, A. W. Hanson, R. Therrien, J. W. Johnson, I. C. Kizilyalli, and K. J. Linthicum: Proc. IEEE Int. Reliability Physics Symp., 2006, p. 95.
15. A. M. Conway, M. Chen, P. Hashimoto, P. J. Willadsen, and M. Micovic: Proc. Int. Conf. Compound Semiconductor Manufacturing Technology, 2007, p. 99.
16. S. Lee, R. Vetury, J. D. Brown, S. R. Gibb, W. Z. Cai, J. Sun, D. S. Green, and J. Shealy: IEEE Int. Reliability Physics Symp., 2008, p. 446.
17. E. L. Piner, S. Singhal, P. Rajagopal, R. Therrien, J. C. Roberts, T. Li, and A. W. Hanson: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 1.
18. H. Jung, R. Behtash, J. R. Thorpe, K. Riepe, F. Bourgeois, H. Blanck, A. Chuvilin, and U. Kaiser: Phys. Status Solidi C 6 (2009) S976.
19. T. Kikkawa: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 4896.
20. U. Chowdhury, J. L. Jimenez, C. Lee, E. Beam, P. Saunier, T. Balistreri, S. Park, T. Lee, J. Wang, M. J. Kim, J. Joh, and J. A. del Alamo: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 1098.
21. J. Joh and J. A. del Alamo: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 385.
22. M. Micovic, P. Hashimoto, M. Hu, I. Milosavljevic, J. Duvall, P. J. Willadsen, W.-S. Wong, A. M. Conway, A. Kurdoghlian, P. W. Deelman, J.-S. Moon, A. Schmitz, and M. J. Delaney: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 807.
23. D. Visalli, M. Van Hove, J. Derluyn, S. Degroote, M. Leys, K. Cheng, M. Germain, and G. Borghs: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 04C101.
24. J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M. Leys, M. Germain, and G. Borghs: J. Appl. Phys. 98 (2005) 054501.
25. K. Cheng, M. Leys, J. Derluyn, K. Balachander, S. Degroote, M. Germain, and G. Borghs: Phys. Status Solidi C 5 (2008) 1600.
26. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 560.
27. F. Medjdoub, J. Derluyn, K. Cheng, M. Leys, S. Degroote, M. Germain, and G. Borghs: Ext. Abstr. Int. Workshop Nitride Semiconductor, 2008, p. 315.
28. E. Zanoni, F. Danesin, M. Meneghini, A. Cetronio, C. Lanzieri, M. Peroni, and G. Meneghesso: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 427.