Formation mechanisms of low-resistivity Ni/Pt ohmic contacts to Li-Doped p-Type ZnO

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 12, Issue 3, 2009, Pages

  Lu, Y F ^a   Ye, Z Z ^a   Zeng, Y J ^a   Zhu, L P ^a   Huang, J Y ^a   Zhao, B H ^a  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CONTACTORS; FORMING; METAL FORMING; METALLIC FILMS; OHMIC CONTACTS; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; PLATINUM; PLATINUM METALS; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SOLID SOLUTIONS; ZINC; ZINC OXIDE;

BARRIER HEIGHTS; BEAM EVAPORATIONS; CONTACT RESISTIVITIES; CURRENT TRANSPORTS; FORMATION MECHANISMS; METAL SURFACES; SURFACE STATES; TRANSMISSION LINE MODELS; X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIES; ZNO FILMS; ZNO SURFACES;

X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EID: 58149506074     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3055337     Document Type: Article

References (23)

1. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. J. Kim, Y. S. Park, and C. J. Youn, Appl. Phys. Lett., 88, 241108 (2006).
2. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, D. Y. Li, J. G. Lu, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, Appl. Phys. Lett., 88, 062107 (2006).
3. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett., 81, 1830 (2002).
4. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, Nature Mater., 4, 42 (2005).
5. W. Z. Xu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Jiang, J. G. Lu, H. P. He, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett., 88, 173506 (2006).
6. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 0935-9648 10.1002/adma.200502633, 18, 2720 (2006); V. Vaithianathan, B. T. Lee, and S. S. Kim, Appl. Phys. Lett., 86, 062101 (2005).
7. W. Guo, A. Allenic, Y. B. Chen, X. Q. Pan, Y. Che, Z. D. Hu, and B. Liu, Appl. Phys. Lett., 90, 242108 (2007).
8. L. L. Chen, J. G. Lu, Z. Z. Ye, Y. M. Lin, B. H. Zhao, Y. M. Ye, J. S. Li, and L. P. Zhu, Appl. Phys. Lett., 87, 252106 (2005).
9. J. M. Lee, K. K. Kim, S. J. Park, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett., 78, 3842 (2001).
10. H. K. Kim, K. K. Kim, S. J. Park, T. Y. Seong, and I. Adesida, J. Appl. Phys., 94, 4225 (2003).
11. S. H. Kim, H. K. Kim, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett., 86, 112101 (2005).
12. U. Grossner, S. Gabrielsen, T. M. Borseth, J. Grillenberger, A. Y. Kuznetsov, and B. G. Svensson, Appl. Phys. Lett., 85, 2259 (2004).
13. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, L. L. Chen, D. Y. Li, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and Y. L. Hu, J. Cryst. Growth, 283, 180 (2005).
14. L. L. Chen, H. P. He, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, J. G. Lu, B. H. Zhao, and L. P. Zhu, Chem. Phys. Lett., 420, 358 (2006).
15. Y. F. Lu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, Electrochem. Solid-State Lett., 11, H185 (2008).
16. M. G. Wardle, J. P. Goss, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B, 71, 155205 (2005).
17. H. S. Yang, Y. Li, D. P. Norton, K. Ip, S. J. Pearton, S. Jang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett., 86, 192103 (2005).
18. L. J. Mandalapu, Z. Yang, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett., 90, 252103 (2007).
19. J.-J. Chen, S. Jang, T. J. Anderson, F. Ren, Y. Li, H.-S. Kim, B. P. Gila, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 88, 122107 (2006).
20. J.-S. Jang, T.-Y. Seong, and S.-R. Jeon, J. Appl. Phys., 100, 046106 (2006).
21. J.-S. Jang, T.-Y. Seong, and S.-R. Jeon, Appl. Phys. Lett., 91, 092129 (2007).
22. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed., John Wiley & Sons, Hoboken, NJ (2007).
23. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 932 (2004).