Ni/Au ohmic contacts to p-type N-doped ZnO

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 11, Issue 7, 2008, Pages

  Lu, Y F ^a   Ye, Z Z ^a   Zeng, Y J ^a   Zhu, L P ^a   Zhao, B H ^a  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON BEAMS; OHMIC CONTACTS; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; TRANSMISSION LINE THEORY;

ANNEALING TEMPERATURE; FABRICATED CONTACTS; NITROGEN ACCEPTORS; OHMIC CONDUCTION;

ZINC OXIDE;

EID: 43949090171     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2911917     Document Type: Article

References (19)

1. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.075205, 63, 075205 (2001).
2. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, J. G. Lu, W. Z. Xu, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and S. Limpijumnong, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2236225, 89, 042106 (2006).
3. J. J. Chen, S. Jang, T. J. Anderson, F. Ren, Y. Li, H. -S. Kim, B. P. Gila, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2187576, 88, 122107 (2006).
4. Y. -F. Lu, Z. -Z. Ye, Y. -J. Zeng, H. -P. He, L. -P. Zhu, and B. -H. Zhao, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200604246, 13, 295 (2007).
5. S. Yu. Karpov and Yu. N. Makarov, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1527225, 81, 4721 (2002).
6. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.075205, 63, 075205 (2001).
7. C. G. Van de Walle, Phys. B, 308-310, 899 (2001).
8. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1284, 4, 42 (2005).
9. W. Z. Xu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Jiang, J. G. Lu, H. P. He, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2199588, 88, 173506 (2006).
10. Y. Ryu, T. -S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. -J. Kim, Y. -S. Park, and C. -J. Youn, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2210452, 88, 241108 (2006).
11. K. Ip, G. T. Thaler, H. Yang, S. Y. Han, Y. Li, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Jang, and F. Ren, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro. 2005.10.059, 287, 149 (2006).
12. L. J. Mandalapu, Z. Yang, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2750400, 90, 252103 (2007).
13. H. S. Yang, Y. Li, D. P. Norton, K. Ip, S. J. Pearton, S. Jang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1925309, 86, 192103 (2005).
14. W. T. Lim, L. Stafford, P. W. Sadik, D. P. Norton, S. J. Pearton, Y. L. Wang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2719150, 90, 142101 (2007).
15. J. -S. Jang and T. -Y. Seong, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2424320, 101, 013711 (2007).
16. Y. F. Lu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, H. P. He, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, Submitted.
17. D. Sawdai, D. Pavlidis, and D. Cui, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 1302 (1999). 0018-9383
18. J. -J. Chen, S. Jang, T. J. Anderson, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2187576, 88, 122107 (2006).
19. J. H. Lim, K. K. Kim, D. K. Hwang, H. K. Kim, J. H. Oh, and S. J. Park, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1855832, 152, G179 (2005).