Low-temperature field-effect and magnetotransport properties in a ZnO based heterostructure with atomic-layer-deposited gate dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 24, 2008, Pages

  Tsukazaki, A ^a   Ohtomo, A ^a   Chiba, D ^b,c   Ohno, Y ^c   Ohno, H ^b,c   Kawasaki, M ^a,b,c  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^c TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC PHYSICS; CRYSTAL GROWTH; ELECTRON GAS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALVANOMAGNETIC EFFECTS; GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); HALL EFFECT; HALL MOBILITY; HETEROJUNCTIONS; INSULATION; METAL INSULATOR TRANSITION; METALLIC COMPOUNDS; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TWO DIMENSIONAL ELECTRON GAS; ZINC; ZINC OXIDE;

2DEG DENSITIES; CRITICAL DENSITIES; DOUBLE HETEROSTRUCTURE; ELECTRIC-FIELD; GATE FIELDS; HETEROSTRUCTURE; MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES; METAL TRANSITIONS; MOLECULAR-BEAM EPITAXIES; MONOTONICALLY; QUANTUM DEVICES; TEMPERATURE FIELDS; TRANSPARENT OXIDE SEMICONDUCTORS;

MAGNETIC FIELD EFFECTS;

EID: 57849092698     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3035844     Document Type: Article

References (28)

1. J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L347 (2003).
2. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature (London), 432, 488 (2004).
3. H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Thin Solid Films 516, 1516 (2008).
4. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science 300, 1269 (2003).
5. T. I. Suzuki, A. Ohtomo, A. Tsukazaki, F. Sato, J. Nishii, H. Ohno, and M. Kawasaki, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 1887 (2004).
6. J. Nishii, A. Ohtomo, K. Ohtani, H. Ohno, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L1193 (2005).
7. K. Koike, I. Nakashima, K. Hashimoto, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Appl. Phys. Lett. 87, 112106 (2005).
8. K. Shibuya, T. Ohnishi, T. Uozumi, T. Sato, M. Lippmaa, M. Kawasaki, K. Nakajima, T. Chikyow, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 88, 212116 (2006).
9. H. Nakamura, H. Takagi, I. H. Inoue, Y. Takahashi, T. Hasegawa, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 89, 133504 (2006).
10. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, and M. Kawasaki, Science 315, 1388 (2007).
11. A. Tsukazaki, H. Yuji, S. Akasaka, K. Tamura, K. Nakahara, T. Tanabe, H. Takasu, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Express 1, 055004 (2008).
12. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
13. Supporting online material in Ref..
14. A. Malashevich and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 75, 045106 (2007).
15. K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, G. Takada, M. Ozaki, K. Ogata, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1372 (2004).
16. H. Tampo, H. Shibata, K. Matsubara, A. Yamada, P. Fons, S. Niki, M. Yamagata, and H. Kanie, Appl. Phys. Lett. 89, 132113 (2006).
17. P. D. Ye, G. D. Wilk, J. Kwo, B. Yang, H. J. Gossmann, M. Frei, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, IEEE Electron Device Lett. 24, 209 (2003).
18. K. Lai, P. D. Ye, W. Pan, D. C. Tsui, S. A. Lyon, M. Muhlberger, and F. Schaffler, Appl. Phys. Lett. 87, 142103 (2005).
19. T. M. Lu, J. Liu, J. Kim, K. Lai, D. C. Tsui, and Y. H. Xie, Appl. Phys. Lett. 90, 182114 (2007).
20. D. Chiba, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 89, 162505 (2006).
21. P. F. Carcia, R. S. McLean, and M. H. Reilly, Appl. Phys. Lett. 88, 123509 (2006).
22. E. Abrahams, S. V. Kravchenko, and M. P. Sarachik, Rev. Mod. Phys. 73, 251 (2001).
23. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, S. Yoshida, M. Kawasaki, C. H. Chia, T. Makino, Y. Segawa, T. Koida, S. F. Chichibu, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 83, 2784 (2003).
24. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 88, 152106 (2006).
25. H. Yuji, K. Nakahara, K. Tamura, S. Akasaka, A. Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, Proc. SPIE 6895, 68950D (2008).
26. M. Kubota, T. Onuma, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Sota, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 90, 141903 (2007).
27. Y. Nishimoto, K. Nakahara, D. Takamizu, A. Sasaki, K. Tamura, S. Akasaka, H. Yuji, T. Fujii, T. Tanabe, H. Takasu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Express 1, 091202 (2008).
28. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Nakano, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 92, 052105 (2008).