Characteristics of a Zn 0.7Mg 0.3O/ZnO heterostructure field-effect transistor grown on sapphire substrate by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 11, 2005, Pages

  Koike, Kazuto ^a   Nakashima, Ippei ^a   Hashimoto, Kazuyuki ^a   Sasa, Shigehiko ^a   Inoue, Masataka ^a   Yano, Mitsuaki ^a  

^a OSAKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON HOLE MOBILITY; HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS (HFET); LEAKAGE CURRENT; SINGLE QUANTUM WELLS (SQW);

ELECTRIC CURRENTS; ETCHING; FIELD EFFECT TRANSISTORS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SUBSTRATES;

ZINC COMPOUNDS;

EID: 24944453155     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2045558     Document Type: Article

References (16)

1. J. D. Albrecht, P. P. Ruden, S. Limpijumnong, W. R. L. Lambrecht, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 86, 6864 (1999).
2. E. Ohshima, H. Ogino, I. Niikura, K. Maeda, M. Sato, M. Ito, and T. Fukuda, J. Cryst. Growth 260, 166 (2004).
3. Y. Li, G. S. Tompa, S. Liang, C. Gorla, Y. Lu, and J. Doyle, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1063 (1997).
4. W. Yang, R. D. Vispute, S. Choopun, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 78, 2787 (2001).
5. S. O. Kucheyev, C. Jagadish, J. S. Williams, P. N. K. Deenapanray, M. Yano, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, and K. Ogata, J. Appl. Phys. 93, 2972 (2003).
6. D. G. Thomas, J. Phys. Chem. Solids 15, 86 (1960).
7. K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, G. Takada, M. Ozaki, K. Ogata, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1372 (2004).
8. K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 3822 (2005).
9. K. Ogata, T. Honden, T. Tanite, T. Komuro, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 531 (2004).
10. K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, G. Takada, K. Ogata, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, J. Cryst. Growth 278, 288 (2005).
11. T. Makino, C. H. Chia, N. T. Tuan, H. D. Sun, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 77, 975 (2000).
12. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, K. M. Yu, H. B. Yuan, H. P. Xin, G. Cantwell, and J. J. Song, Appl. Phys. Lett. 86, 191911 (2005).
13. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T. Kawai, J. Appl. Phys. 93, 1624 (2003).
14. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
15. T. I. Suzuki, A. Ohtomo, A. Tsukazaki, F. Sato, J. Nishii, H. Ohno, and M. Kawasaki, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 1887 (2004);
16. A. Ohtomo, M. Kawasaki, and H. Ohno, Bulletin of Solid State Physics and Applications (Japan Society of Applied Physics, 11, 2005), p. 26 [in Japanese].