The persistent photoconductivity effect in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire and SiC substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 10, 2008, Pages

  Arslan, Engin ^a   Bütün, Serkan ^a   Lisesivdin, S Bora ^b   Kasap, Mehmet ^b   Ozcelik, Suleyman ^b   Ozbay, Ekmel ^a  

^a BILKENT UNIVERSITY   (Turkey)

^b GAZI UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ENERGY BARRIERS; GALLIUM NITRIDE; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOCONDUCTIVITY;

EXCITATION PEAK INTENSITY; OPTICAL MEASUREMENTS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 44649166346     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2921832     Document Type: Article

References (41)

1. S. N. Mohammad, A. Salvador, and H. Morko̧, Proc. IEEE 83, 1420 (1996). 0018-9219
2. L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N. -Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorchkova, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.954910 22, 457 (2001).
3. S. Butun, M. Gokkavas, H. Yu, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2234741 89, 073503 (2006).
4. T. Tut, M. Gokkavas, B. Butun, S. Butun, E. Ulker, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2385216 89, 183524 (2006).
5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 1687 (1998). 0003-6951
6. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. S. Usikov, A. V. Govorkov, and B. V. Pushniy, Solid-State Electron. 0038-1101 10.1016/S0038-1101(97)00277-3 42, 627 (1998).
7. L. Hsu and W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.56. 1520 56, 1520 (1997).
8. T. Wang, Y. Ohno, M. Lacha, D. Nakagawa, T. Shirahama, S. Sakai, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.124151 74, 3531 (1999).
9. M. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujja, and R. S. W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.117096 69, 963 (1996).
10. N. Biyikli, Ü. Özgür, X. Ni, Y. Fu, H. Morko̧, and. Kurdak, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2386950 100, 103702 (2006).
11. H. Yu, D. Caliskan, and E. Ozbay, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2221520 100, 033501 (2006).
12. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, M. Asif Khan, A. O. Orlov, G. L. Snider, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.120852 72, 707 (1998).
13. A. Dadgar, C. Hums, A. Diez, J. Bläsing, and A. Krost, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro.2006.09.032 297, 279 (2006).
14. X. Z. Dang, C. D. Wang, E. T. Yu, K. S. Boutrous, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121077 72, 2745 (1998).
15. C. H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M. W. Leksono, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113497 66, 2712 (1995).
16. H. X. Jiang and J. Y. Lin, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.40. 10025 40, 10025 (1989).
17. D. V. Lang, R. A. Logan, and M. Joros, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.19.1015 19, 1015 (1979).
18. H. J. Queisser and D. E. Theodorou, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.33.4027 33, 4027 (1986).
19. N. Sarkar, S. Dhar, and S. Ghosh, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/15/43/015 15, 7325 (2003).
20. M. A. Reshchikov, G. -C. Yi, and B. W. Wessels, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.59.13176 59, 13176 (1999).
21. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, A. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.116912 69, 1474 (1996).
22. S. J. Chung, B. Karunagaran, S. Velumani, C. -H. Hong, H. J. Lee, and E. -K. Suh, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 0947-8396 10.1007/s00339-006-3804-9 86, 521 (2007).
23. X. Z. Dang, C. D. Wang, E. T. Yu, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121077 72, 2745 (1998).
24. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.365893 82, 1227 (1997).
25. S. J. Chung, M. Senthil Kumar, H. J. Lee, and E. -K. Suh, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1652256 95, 3565 (2004).
26. K. C. Zeng, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126149 76, 1728 (2000).
27. A. Dissanayake, M. Elahi, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.45.13996 45, 13996 (1992).
28. K. C. Zeng, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126149 76, 1728 (2000).
29. Z. Peng, T. Saku, and Y. Horikoshi, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.361412 79, 3592 (1996).
30. T. Y. Lin, H. M. Chen, M. S. Tsai, Y. F. Chen, F. F. Fang, C. F. Lin, and G. C. Chi, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.58.13793 58, 13793 (1998).
31. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.365859 82, 899 (1997).
32. S. J. Chung, M. Senthil Kumar, Y. K. Kim, C. -H. Hong, H. J. Lee, and E. -K. Suh, J. Korean Phys. Soc. 45, 1279 (2004).
33. C. Wetzel, T. Suski, J. W. Ager, E. R. Weber, S. Fischer, B. K. Meyer, R. J. Molnar, and P. Perlin, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.78. 3923 78, 3923 (1997).
34. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, and Q. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.589424 15, 1117 (1997).
35. M. N. Gurusinghe, S. K. Davidsson, and T. G. Andersson, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.72.045316 72, 045316 (2005).
36. J. Antoszewski, M. Gracey, J. M. Dell, L. Faraone, T. A. Fisher, G. Parish, Y. -F. Wu, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.372432 87, 3900 (2000).
37. S. J. Chung, O. H. Cha, Y. S. Kim, M. S. Jeong, C. -H. Hong, H. J. Lee, M. S. Jeong, J. O. White, and E. -K. Suh, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1342024 89, 5454 (2001).
38. T. Y. Lin, H. C. Yang, and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.372358 87, 3404 (2000).
39. C. H. Qiu and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.118799 70, 1983 (1997).
40. L. H. Chu, Y. F. Chen, D. C. Chang, and C. Y. Chang, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/7/23/021 7, 4525 (1995).
41. C. Johnson, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.116020 68, 1808 (1996).