Experimental evaluation of impact ionization coefficients in Al xGa1-xN based avalanche photodiodes

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 18, 2006, Pages

  Tut, Turgut ^a   Gokkavas, Mutlu ^b   Butun, Bayram ^b   Butun, Serkan ^b   Ulker, Erkin ^b   Ozbay, Ekmel ^b  

^a BILKENT UNIVERSITY   (Turkey)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; AVALANCHE DIODES; ELECTRONS; IONIZATION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SOLAR ENERGY;

IONIZATION COEFFICIENTS; PHOTOMULTIPLICATION;

PHOTODIODES;

EID: 33750724753     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2385216     Document Type: Article

References (22)

1. J. C. Campbell, S. Demiguel, F. Ma, A. Beck, X. Guo, S. Wang, X. Zheng, X. Li, J. D. Beck, M. A. Kinch, A. Huntington, L. A. Coldren, J. Decobert, and N. Tscherptner, IEEE J. Quantum Electron. 10, 777 (2004).
2. K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, A. Lightfoot, M. W. Geis, K. M. Molvar, I. Melngailis, R. L. Aggarwal, W. D. Goodhue, S. S. Choi, D. L. Spears, and S. Verghese, Appl. Phys. Lett. 75, 3485 (1999).
3. J. C. Carrano, D. J. H. Lambert, C. J. Eiting, C. J. Collins, T. Li, S. Wang, B. Yang, A. L. Beck, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 76, 924 (2000).
4. A. Osinsky, M. S. Shur, R. Gaska, and Q. Chen, Electron. Lett. 34, 691 (1998).
5. S. Verghese, K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, R. L. Aggarwal, M. W. Geis, K. M. Molvar, E. K. Duerr, and I. Melngailis, IEEE Electron Device Lett. 48, 502 (2001).
6. K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, K. M. Molvar, N. Efremov, and S. Verghese, Appl. Phys. Lett. 76, 3938 (2000).
7. B. Yang, T. Li, K. Heng, C. Collins, S. Wang, J. C. Carrano, R. D. Dupuis, J. C. Campbell, M. J. Schurman, and I. T. Ferguson, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1389 (2000).
8. J. B. Limb, D. Yoo, J. H. Ryou, W. Lee, S. C. Shen, R. D. Dupuis, M. L. Reed, C. J. Collins, M. Wraback, D. Hanser, E. Preble, N. M. Williams, and K. Evans, Appl. Phys. Lett. 89, 011112 (2006).
9. T. Tut, Serkan Butun, Bayram Butun, Mutlu Gokkavas, HongBo Yu, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 87, 223502 (2005).
10. R. McClintock, A. Yasan, K. Minder, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 87, 241123 (2005).
11. Ismail H. Oguzman, Enrico Bellotti, Kevin F. Brennan, Jan Kolnik, Rongping Wang, and P. Paul Ruden, J. Appl. Phys. 81, 7827 (1997).
12. J. C. Cao and X. L. Lei, Eur. Phys. J. B 7, 79 (1999).
13. C. Bulutay, Semicond. Sci. Technol. 17, L59 (2002).
14. K. Kunihiro, K. Kasahara, Y. Takahashi, and Y. Ohno, IEEE Electron Device Lett. 20, 608 (1999).
15. N. Biyikli, T. Kartaloglu, O. Aytur, I. Kimukin, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 49, 2838 (2001).
16. E. Ozbay, N. Biyikli, I. Kimukin, T. Tut, T. Kartaloglu, and O. Aytur, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 10, 742 (2004).
17. T. Tut, N. Biyikli, I. Kimukin, T. Kartaloglu, O. Aytur, S. Unlu, and E. Ozbay, Solid-State Electron. 49, 117 (2005).
18. S. M. Sze, Semiconductor Devices Physics and Technology (John Wiley & Sons, New York, 1985), p. 78.
19. M. H. Woods, W. C. Johnson, and M. A. Lampert, Solid-State Electron. 16, 381 (1972).
20. N. Tabatabaie, V. M. Robbins, N. Pan, and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 46, 182 (1985).
21. S. L. Fu, T. P. Chin, M. C. Ho, C. W. Tu, and P. M. Asbeck, Appl. Phys. Lett. 66, 3507 (1995).
22. B. K. Ng, J. P. David, S. A. Plimmer, M. Hopkinson, R. C. Tozer, and G. J. Rees, Appl. Phys. Lett. 77, 4374 (2000).