Investigations on alloy potential fluctuations in AlxGa 1-xN epilayers using optical characterizations

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 7, 2004, Pages 3565-3568

  Chung, S J ^a   Kumar, M Senthil ^a   Lee, H J ^a   Suh, E K ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION; ENERGY GAP; LIGHT ABSORPTION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OHMIC CONTACTS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOCONDUCTIVITY; PHOTOCURRENTS; PHOTOLUMINESCENCE; REACTION KINETICS;

LOCALIZED STATES; POTENTIAL FLUCTUATIONS;

ALUMINUM ALLOYS;

EID: 1942489088     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1652256     Document Type: Article

References (37)

1. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1708 (1991).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, T. H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
3. T. Mukai, H. Narimatsu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L479 (1998).
4. M. Khan, J. N. Kusnia, D. T. Olson, G. M. Van Hove, M. Blasingane, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 60, 2917 (1992).
5. D. Walker, X. Zhang, P. Kung, A. Saxler, S. Javadpour, J. Xu, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 68, 2100 (1996).
6. K. Ito, K. Hiramatsu, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 104, 533 (1989).
7. H. W. Shim, R. J. Choi, S. M. Jeong, Le Van Vinh, C.-H. Hong, E.-K. Suh, H. J. Lee, Y.-W. Kim, and Y. G. Hwang, Appl. Phys. Lett. 81, 3552 (2002).
8. P. Perlin, V. Iota, B. A. Weinstein, P. Wisniewski, T. Suki, P. G. Eliseev, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 70, 2993 (1997).
9. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
10. T. Matsuoka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 11 (1996).
11. M. Leroux, S. Dalmasso, F. Natali, S. Helin, C. Touzi, S. Laugt, M. Passerel, F. Ommes, F. Semond, J. Massies, and P. Gibert, Phys. Status Solidi B 234, 887 (2002).
12. M. Wraback, F. Semendy, H. Shen, U. Chowdhury, D. J. K. Lambert, M. M. Wong, and R. L. Dupis, Phys. Status Solidi A 188, 807 (2001).
13. B. K. Meyer, G. Steude, A. Goldner, A. Hoffmann, H. Amano, and J. Akasaki, Phys. Status Solidi B 216, 187 (1999).
14. L. Chang, S. K. Lai, F. R. Chen, and J. J. Kai, Phys. Status Solidi A 188, 811 (2001).
15. K. C. Zeng, K. C. Zeng, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 1728 (2000).
16. A. Cremades, M. Albrecht, J. Krinke, R. Dimitrov, M. Stutzman, and H. P. Strunk, J. Appl. Phys. 87, 2357 (2000).
17. J. D. Baranovski and A. L. Efros, Sov. Phys. Semicond. 12, 1328 (1978).
18. J. H. Song, E. D. Sim, K. S. Baek, and S. K. Chang, J. Cryst. Growth 214/215, 460 (2000).
19. S. Lai and M. V. Klein, Phys. Rev. Lett. 44, 1087 (1980).
20. H. X. Jiang, L. Q. Zu, and J. Y. Lin, Phys. Rev. B 42, 7284 (1990).
21. S. Permogorov, A. Reznitsky, and V. Lysenko, Solid State Commun. 47, 5 (1983).
22. J. Y. Lin, A. Dissanayake, and H. X. Jiang, B 46, 3810 (1992).
23. Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and W. Jhe, Phys. Rev. B 61, 7203 (2000).
24. H. S. Kim, R. A. Mair, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 1252 (2000).
25. Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, and W. Yang, Phys. Status Solidi A 188, 815 (2001).
26. H. S. Kim, R. Mair, J. Li, J. Lin, and H. Jiang, J. Korean Phys. Soc, 37, 391 (2000).
27. Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and T. W. Kang, J. Korean Phys. Soc. 39, S189 (2001).
28. S. J. Chung, M. S. Jeong, O. H. Cha, C.-H. Hong, E.-K. Suh, H. J. Lee, Y. S. Kim, and B. H. Kim, Appl. Phys. Lett. 76, 1021 (2000).
29. T. Y. Lin, J. C. Fan, and Y. F. Chen, Semicond. Sci. Technol. 14, 406 (1999).
30. A. Zunger and S. Mahajan, in Handbook of Semiconductors, 2nd ed., edited by S. Mahajan (Elsevior, Amsterdam, 1994), Vol. 3.
31. D. V. Lang and R. A. Logan, Phys. Rev. Lett. 39, 635 (1977).
32. J. P. Vilcot, J. L. Vaterkowski, D. Decoster, and M. Constant, Electron. Lett. 20, 86 (1984).
33. H. J. Queisser, Phys. Rev. Lett. 54, 234 (1985).
34. G. Beardie, W. S. Rabinovich, E. A. Wickenden, D. D. Binari, and J. A. Freitas, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 1092 (1997).
35. C. V. Reddy, W. S. Ralakrishnan, H. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 73, 244 (1998).
36. S. W. Feng, Y.-C. Cheng, Y.-Y. Chung, C. C. Yang, Y.-S. Lin, C. Hsu, K.-J. Ma, and J.-I. Chyi, J. Appl. Phys. 92, 4441 (2002).
37. C. H. Chen, D. R. Hang, W. H. Chen, Y. F. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 82, 1884 (2003).