AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown on 150mm Si(111) substrates with high uniformity

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 47, Issue 3 PART 1, 2008, Pages 1553-1555

  Cheng, Kai ^a,b   Leys, Maarten ^a   Degroote, Stefan ^a   Derluyn, Joff ^a   Sijmus, Brian ^a   Favia, Paola ^a   Richard, Olivier ^a   Bender, Hugo ^a   Germain, Marianne ^a   Borghs, Gustaaf ^a,c  

^a IMEC   (Belgium)

^b Katholieke Universiteit Leuven   (Belgium)

^c UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

GaN; HEMT; III nitride; Silicon substrate

Indexed keywords

ELECTRIC RESISTANCE; ELECTRON MOBILITY; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; NITRIDES; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON; SILICON WAFERS; SUBSTRATES; TRANSISTORS;

ALGAN/GAN HEMT; ALGAN/GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; DISLOCATION DENSITIES; DISLOCATION REDUCTIONS; GAN; HEMT; III-NITRIDE; MAXIMUM TRANSCONDUCTANCES; SI(111) SUBSTRATES; SILICON SUBSTRATE; STATE RESISTANCES;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 44049093796     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.47.1553     Document Type: Article

References (24)

1. S. Guha and N. A. Bojarczuk: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 415.
2. B. J. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, and T. Jimbo: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L226.
3. C. Mo, W. Fang, Y. Pu, H. Liu, and F. Jiang: J. Cryst. Growth 285 (2005) 312.
4. J. W. Johnson, E. L. Piner, A. Vescan, R. Themen, P. Rajagopal, J. C. Roberts, J. D. Brown, S. Singhal, and K. J. Linthicum: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 459.
5. D. C. Dumka, C. Lee, H. Q. Tserng, P. Saunier, and M. Kumar: Electron. Lett. 40 (2004) 1023.
6. A. Dadgar, J. Biasing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, and A. Krost: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1183.
7. E. Feltin, S. Dalmasso, P. de Mierry, B. Beaumont, H. Lahrèche, A. Bouillé, H. Haas, M. Leroux, and P. Gibart: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L738.
8. H. Ishikawa, G. Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L492.
9. H. Marchand, L. Zhao, N. Zhang, B. Moran, R. Coffie, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and J. A. Freitas: J. Appl. Phys. 89 (2001) 7846.
10. K. Cheng, M. Leys, S. Degroote, B. Van Daele, S. Boeykens, J. Derluyn, M. Germain, G. Van Tendeloo, J. Engelen, and G. Borghs: J. Electron. Mater. 35 (2006) 592.
11. K. Cheng, M. Leys, J. Derluyn, S. Degroote, D. Xiao, A. Lorenz, S. Boeykens, M. Germain, and G. Borghs: J. Cryst. Growth 298 (2007) 822.
12. T. Sugahara, J. S. Lee, and K. Ohtsuka: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L1595.
13. A. Dadgar, C. Hums, A. Diez, J. Biasing, and A. Krost: J. Cryst. Growth 297 (2006) 279.
14. A. Ubukata. K. Ikenaga, N. Akutsu, A. Yamaguchi, K. Matsumoto, T. Yamazaki, and T. Egawa: J. Cryst. Growth 298 (2007) 198.
15. J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 171909.
16. H. Ishikawa, M. Kato, M. S. Hao. T. Egawa, and T. Jimbo: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 2177.
17. S. Arulkumaran, T. Egawa, S. Matsui, and H. Tshikawa: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 123503.
18. X. Weng, J. Acord, A. Jain, E. Dickey, and J. Redwing: presented at 7th Int. Conf. Nitride Semiconductors, Y6. Las Vegas, 2007.
19. P. Cantu, F. Wu, P. Waltereit, S. Keller, A. E. Romanov, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 674.
20. A. E. Romanov and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2569.
21. R. A. Oliver, M. J. Kappers, J. Sumner, R. Datta, and C. J. Humphreys: J. Cryst. Growth 289 (2006) 506.
22. J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M. R. Leys, M. Germain, and G. Borghs: J. Appl. Phys. 98 (2005) 054501.
23. M. Higashiwaki, N. Onojima, T. Matsui, and T. Mimura: J. Appl. Phys. 100 (2006) 033714.
24. D. Ueda, T. Murata, M. Hikita, S. Nakazawa, M. Kuroda, H. Ishida, M. Yanagihara, K. Inoue, T. Ueda, Y. Uemoto, T. Tanaka, and T. Egawa: IEDM Tech. Dig. 2005, p. 377.