Role of AlN/GaN multilayer in crack-free GaN layer growth on 5″ φ Si (111) substrate

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 43, Issue 12 B, 2004, Pages

  Sugahara, Tomoya ^a   Lee, Jeong Sik ^a   Ohtsuka, Kohji ^a  

^a SANKEN ELECTRIC CO LTD   (Japan)

Author keywords

5 Si (111) substrate; AlN GaN multilayer buffer; Crack free GaN layer

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRACK INITIATION; DEFORMATION; GALLIUM NITRIDE; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MULTILAYERS; SILICON WAFERS; STRAIN MEASUREMENT; SUBSTRATES; X RAYS;

5''Ø SI (111) SUBSTRATES; AIN/GAN MULTILAYER BUFFER; CRACK-FREE GAN LAYERS; STRAIN RELAXATION;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 13744263753     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.43.L1595     Document Type: Article

References (15)

1. S. Nakamura, M. Senoh and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L8.
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L797.
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1568.
4. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L785.
5. M. Khan, J. W. Yang, W. Knap, E. Frayssinet, X. Hu, G. Simin, P. Prystawko, M. Leszcynski, I. Grzegory and S. Porowski, R. Gaska, M. S. Shur, B. Beaumont, M. Teisseire and G. Neu: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3807.
6. H. Ishikawa, G. Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jimbo and Umeno: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L492.
7. A. Dadgar, J. Biäsing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken and A. Krost: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1183.
8. E. Feltin, B. Beaumont, M. Laugt, P. de Mierry, P. Vennéguè s, H. Lahréche, M. Leroux and P. Gibart: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 3230.
9. A. Dadgar, J. Christen, T. Riemann, S. Richter, J. Bläsing, A. Diez, A. Krost, A. Alam and M. Heuken: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2211.
10. H. Marchand, L. Zhao, N. Zhang, B. Moran, R. Coffie, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. P. Denbaars and J. A. Freitas: Jpn. J. Appl. Phys. 89 (2001) 7846.
11. T. Egawa, T. Moku, H. Ishikawa, K. Ohtsuka and T. Jimbo: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L663.
12. S. Iwakami, M. Yanagihara, O. Machida, E. Chino, N. Kaneko, H. Goto and K. Ohtsuka: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L831.
13. A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont and M.S. Shur: J. Appl. Phys. 81 (1997) 6332.
14. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa and T. Jimbo: J. Vac. Sci. & Technol. B 21(2) (2001) 888.
15. J. I. Pankove and T. D. Moustakas: Gallium Nitride (GaN) II (Academic Press, San Diego, 1999) Vol. 57, Chap. 7, p. 308.