Further insight into the temperature quenching of photoluminescence from InAsGaAs self-assembled quantum dots

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 8, 2008, Pages

  Chahboun, A ^a,e   Vasilevskiy, M I ^a   Baidus, N V ^a   Cavaco, A ^b   Sobolev, N A ^b   Carmo, M C ^b   Alves, E ^c   Zvonkov, B N ^d  

^a UNIVERSITY OF MINHO   (Portugal)

^b UNIVERSITY OF AVEIRO   (Portugal)

^c INSTITUTO TECNOLÓGICO E NUCLEAR   (Portugal)

^d LOBACHEVSKY STATE UNIVERSITY OF NIZHNY NOVGOROD   (Russian Federation)

^e SIDI MOHAMED BEN ABDELLAH UNIVERSITY   (Morocco)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; THERMAL EFFECTS;

ROOM TEMPERATURE (RT); SELF-ASSEMBLED QUANTUM DOTS;

PHOTOLUMINESCENCE;

EID: 43049145516     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2913179     Document Type: Article

References (49)

1. H. Saito, K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
2. M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. S. Sizov, Yu. M. Shernyakov, I. N. Kaiander, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, R. Heitz, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu. G. Musikhin, and W. Neumann, Phys. Rev. B 62, 16671 (2000).
3. G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, K. J. Malloy, and L. F. Lester, Electron. Lett. 35, 1163 (1999).
4. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 6, 452 (2000).
5. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, A. V. Lunev, B. V. Volovik, I. L. Krestnikov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999).
6. A. Stinz, G. T. Lieu, A. L. Gray, R. Spillers, S. M. Delgado, and K. J. Malloy, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1496 (2000).
7. E. C. Le Ru, J. Fack, and R. Murray, Phys. Rev. B 67, 245318 (2003).
8. P. Altieri, M. Gurioli, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, P. Fiogeri, and S. Franchi, Eur. Phys. J. B 28, 157 (2002).
9. Z. F. Wei, S. J. Xu, R. F. Duan, Q. Li, J. Wang, Y. P. Zeng, and H. C. Lin, J. Appl. Phys. 98, 084305 (2005).
10. K. P. Chang, S. L. Yang, D. S. Chuu, R. S. Hsiao, J. F. Chen, L. Wei, J. S. Wang, and J. Y. Chi, J. Appl. Phys. 97, 083511 (2005).
11. Z. R. Wasilewski, S. Fafard, and J. P. McCaffrey, J. Cryst. Growth 201, 1131 (1999).
12. L. Brusaferri, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Bignazzi, F. Bogani, L. Carraresi, M. Colocci, A. Bosacchi, P. Frigeri, and S. Franchi, Appl. Phys. Lett. 69, 3354 (1996).
13. G. Bacher, H. Schweizer, J. Kovac, A. Forchel, H. Nickel, W. Schlapp, and R. Lösch, Phys. Rev. B 43, 9312 (1991).
14. G. Bacher, C. Hartmann, H. Schweizer, T. Held, G. Mahler, and H. Nickel, Phys. Rev. B 47, 9545 (1993).
15. S. Sanguinetti, M. Padovani, M. Gurioli, E. Grilli, M. Guzzi, A. Vinattieri, M. Colocci, P. Frigeri, and S. Franchi, Appl. Phys. Lett. 77, 1307 (2000).
16. S. Sanguinetti, M. Henini, M. G. Alissi, M. Capizzi, P. Frigeri, and S. Franchi, Phys. Rev. B 60, 8276 (1999).
17. L. Seravalli, P. Frigeri, M. Minelli, P. Allegri, V. Avanzini, and S. Franchi, Appl. Phys. Lett. 87, 063101 (2005).
18. Y. T. Dai, J. C. Fan, Y. F. Chen, R. M. Lin, S. C. Lee, and H. H. Lin, J. Appl. Phys. 82, 4489 (1997).
19. K. Mukai, N. Ohtsuka, and M. Sugawara, Appl. Phys. Lett. 70, 2416 (1997).
20. N. V. Baidus, A. Chahboun, M. J. M. Gomes, M. I. Vasilevskiy, P. B. Demina, E. A. Uskova, and B. N. Zvonkov, Appl. Phys. Lett. 87, 053109 (2005).
21. T.-P. Hsieh, P.-C. Chiu, J.-I. Chyi, N.-T. Yeh, W.-J. Ho, W.-H. Chang, and T.-M. Hsu, Appl. Phys. Lett. 87, 151903 (2005).
22. T.-P. Hsieh, P.-C. Chiu, J.-I. Chyi, H.-S. Chang, W.-Y. Chen, T. M. Hsu, and W.-H. Chang, Appl. Phys. Lett. 89, 053110 (2006).
23. A. Chahboun, N. V. Baidus, P. B. Demina, B. N. Zvonkov, M. J. M. Gomes, A. Cavaco, N. A. Sobolev, M. C. Carmo, and M. I. Vasilevskiy, Phys. Status Solidi A 203, 1348 (2006).
24. W. V. Schoenfeld, C. H. Chen, P. M. Petroff, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 73, 2935 (1998).
25. R. Leon, G. M. Swift, B. Magness, W. A. Taylor, Y. S. Tang, K. L. Wang, P. Dowd, and Y. H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 76, 2074 (2000).
26. N. A. Sobolev, A. Cavaco, M. C. Carmo, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff, and D. Bimberg, Phys. Status Solidi B 224, 93 (2001).
27. S. Oktyabrsky, M. Lamberti, V. Takranov, G. Angello, and M. Yakimov, J. Appl. Phys. 98, 053512 (2005).
28. I. A. Karpovich, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, S. V. Tikhov, and D. O. Filatov, Trends in Nanotechnology Research (Nova Science, New York, 2004), p. 173.
29. R. Leon, S. Fafard, P. G. Piva, S. Ruvimov, and Z. Liliental-Weber, Phys. Rev. B 58, R4262 (1998).
30. S. Fafard, Z. R. Wasilewski, C. N. Allen, D. Picard, M. Spanner, J. P. McCaffrey, and P. G. Piva, Phys. Rev. B 59, 15368 (1999).
31. P. N. Brunkov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, Yu. G. Musikhin, N. N. Ledentsov, S. G. Konnikov, A. Polimeni, A. Pataǹ, P. C. Main, L. Eaves, and C. M. A. Kapteyn, J. Electron. Mater. 28, 486 (1999).
32. X. D. Wang, Z. C. Niu, S. L. Feng, and Z. H. Miao, J. Cryst. Growth 220, 16 (2000).
33. M. Gonschorek, H. Schmidt, J. Bauer, G. Benndorf, G. Wagner, G. I. Cirlin, and M. Grundmann, Phys. Rev. B 74, 115312 (2006).
34. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 2004).
35. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 34, 1499 (1967).
36. M. S. Skolnick and D. J. Mowbray, Physica E (Amsterdam) 21, 155 (2004).
37. E.-K. Lee, L. Tsybeskov, and T. I. Kamins, Appl. Phys. Lett. 92, 033110 (2008).
38. F. Guffarth, R. Heitz, M. Geller, C. Kapteyn, H. Born, R. Sellin, A. Hoffmann, D. Bimberg, N. A. Sobolev, and M. C. Carmo, Appl. Phys. Lett. 82, 1941 (2002).
39. I. P. Marko, N. F. Masś, S. J. Sweeney, A. D. Andreev, A. R. Adams, N. Hatori, and M. Sugawara, Appl. Phys. Lett. 87, 211114 (2005).
40. Y. M. Park, Y. J. Park, K. M. Kim, J. C. Shin, J. D. Song, J. I. Lee, and K.-H. Yoo, J. Cryst. Growth 271, 385 (2004).
41. N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, S. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, E. S. Semenova, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, and V. M. Ustinov, Int. J. Nanosci. 6, 283 (2007).
42. I. A. Karpovich, B. N. Zvonkov, S. B. Levichev, N. V. Baidus, S. V. Tikhov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, and S. Yu. Ermakov, Semiconductors 38, 431 (2004).
43. M. Grundmann and D. Bimberg, Phys. Rev. B 55, 9740 (1997).
44. S. Sanguinetti, D. Colombo, M. Guzzi, E. Grilli, M. Gurioli, L. Scravalli, P. Frigeri, and S. Franchi, Phys. Rev. B 74, 205302 (2006).
45. M. I. Vasilevskiy, E. V. Anda, and S. S. Makler, Phys. Rev. B 70, 035318 (2004).
46. P. K. Basu, Theory of Optical Processes in Semiconductors (Clarendon, Oxford, 1997).
47. H. C. Casey, D. D. Sell, and K. W. Wecht, J. Appl. Phys. 46, 250 (1975).
48. A. Fiore, P. Borri, W. Langbein, J. M. Hvam, U. Oesterle, R. Hourd́, R. P. Stanley, and M. Illegems, Appl. Phys. Lett. 76, 3431 (2000).
49. G. E. Stillman, C. M. Waife, and J. O. Dimmock, J. Phys. Chem. Solids 31, 1199 (1970).