1.55 μm emission from InAs quantum dots grown on GaAs

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 15, 2005, Pages 1-3

  Hsieh, Tung Po ^a   Chiu, Pei Chin ^a   Chyi, Jen Inn ^a   Yeh, Nien Tze ^b   Ho, Wen Jeng ^b   Chang, Wen Hao ^a   Hsu, Tzu Min ^a  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b CHUNGHWA TELECOM CO LTD   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

INAS QUANTUM DOTS; ROOM TEMPERATURE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 28344445874     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2099536     Document Type: Article

References (19)

1. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
2. M. V. Maxmov, L. V. Asryan, Y. M. Shernyakov, A. F. Tsatulinikov, I. N. Kaiauder, V. V. Nikolaev, A. R. Kovsh, S. S. Mikkin, V. M. Zhukov, Z. I. Alferov, N. N. Ledenstov, and D. Bimberg, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 37, 676 (2001).
3. O. B. Shchekin and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 80, 3277 (2002).
4. I. R. Sellers, H. Y. Liu, M. Hopkinson, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, Appl. Phys. Lett. 83, 4710 (2003).
5. F. Y. Chang, C. C. Wu, and H. H. Lin, Appl. Phys. Lett. 82, 4477 (2003).
6. M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Bert, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Z. I. Alferov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, I. P. Soshnikov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. 75, 2347 (1999).
7. G. Balakrishnan, S. Huang, T. J. Rotter, A. Stintz, L. R. Dawson, K. J. Malloy, H. Xu, and D. L. Huffaker, Appl. Phys. Lett. 84, 2058 (2004).
8. S. Ganapathy, X. Q. Zhang, I. Suemune, K. Uesugi, H. Kumano, B. J. Kim, and T.-Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 82, 4477 (2003).
9. M. J. da Silva, A. A. Quivy, S. Martini, T. E. Lamas, E. C. F. da Silva, and J. R. Leite, Appl. Phys. Lett. 82, 2646 (2003).
10. J. Tatebayashi, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 78, 3469 (2001).
11. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
12. N. T. Yeh, T. E. Nee, J.-I. Chyi, C. C. Huang, and T. M. Hsu, Appl. Phys. Lett. 76, 1567 (2000).
13. M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. S. Sizov, Y. M. Shernyakov, I. N. Kaiander, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, Z. I. Alferov, R. Heitz, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, Y. G. Musikhin, and W. Neumann, Phys. Rev. B 62, 16 671 (2000).
14. F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 64, 085305 (2000).
15. W. H. Chang, H. Y. Chen, H. S. Chang, T. M. Hsu, T. P. Hsieh, J.-I. Chyi, and N. T. Yeh, Appl. Phys. Lett. 86, 131917 (2005).
16. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutírrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. 85, 704 (2004).
17. W. S. Liu and J.-I. Chyi, Proceedings of the 2004 International Conference on Molecular-Beam Epitaxy, 22-27 August 2004, Edinburgh.
18. H. Ito and K. Kurishima, J. Cryst. Growth 165, 215 (1996).
19. S. K. Shastry, S. Zemon, D. G. Kenneson, and G. Lambert, Appl. Phys. Lett. 52, 150 (1988).