Enhancing luminescence efficiency of InAs quantum dots at 1.5 μm using a carrier blocking layer

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 5, 2006, Pages

  Hsieh, Tung Po ^a   Chiu, Pei Chin ^a   Chyi, Jen Inn ^a   Chang, Hsiang Szu ^c   Chen, Wen Yen ^c   Hsu, Tzu Min ^c   Chang, Wen Hao ^b  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GROUND STATE; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH;

CARRIER BLOCKING LAYER; INTENSITY DEGRADATION; PHOTOLUMINESCENCE PEAK INTENSITY; WAVELENGTH EMISSION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33748470580     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2245374     Document Type: Article

References (23)

1. H. Y. Liu, D. T. Childs, T. J. Badcock, K. M. Groom, I. R. Sellers, M. Hopkinson, R. A. Hogg, D. J. Robbins, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 1041 (2005).
2. S. M. Kim, Y. Wang, M. Keever, and J. S. Harris, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 377 (2004).
3. Z. Mi, P. Bhattacharya, and S. Fathpour, Appl. Phys. Lett. 86, 153109 (2005).
4. A. Martinez, A. Lemaitre, K. Merghem, L. Ferlazzo, C. Dupuis, A. Ramdane, J.-G. Provost, B. Dagens, O. Le Gouezigou, and O. Gauthier-Lafaye, Appl. Phys. Lett. 86, 21115 (2005).
5. S. Fathpour, Z. Mi, S. Chakrabarti, P. Bhattacharya, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, I. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, and N. N. Ledentsov, Appl. Phys. Lett. 85, 5164 (2004).
6. A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. R. Vasilev, Yu. M. Shemyakov, M. V. Maximov, D. A. Livshits, V. Ustinov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 38, 1104 (2002).
7. N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, E. S. Semenova, M. V. Maximov, Yu. M. Shemyakov, N. V. Kryzhanovskaya, V. M. Ustinov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 39, 1126 (2003).
8. J. Tatebayashi, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 78, 3469 (2001).
9. T. P. Hsieh, N. T. Yeh, P. C. Chiu, W. H. Chang, T. M. Hsu, W. J. Ho, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 87, 151903 (2005).
10. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
11. N. T. Yeh, T. E. Nee, J.-I. Chyi, C. C. Huang, and T. M. Hsu, Appl. Phys. Lett. 76, 1567 (2000).
12. M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. S. Sizov, Y. M. Shemyakov, I. N. Kaiander, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, Z. I. Alferov, R. Heitz, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, Y. G. Musikhin, and W. Neumann, Phys. Rev. B 62, 16671 (2000).
13. F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 64, 085305 (2000).
14. W. H. Chang, H. Y. Chen, H. S. Chang, W. Y. Chen, T. M. Hsu, T. P. Hsieh, J.-I. Chyi, and N. T. Yeh, Appl. Phys. Lett. 86, 131917 (2005).
15. W. H. Chang, T. M. Hsu, C. C. Huang, S. L. Hsu, C. Y. Lai, N. T. Yeh, and J.-I. Chyi, Phys. Rev. B 62, 6959 (2000).
16. W. H. Chang, W. Y. Chen, T. M. Hsu, N. T. Yeh, and J.-I. Chyi, Phys. Rev. B 66, 195337 (2002).
17. J. L. Movilla, J. I. Climente, and J. Flanelles, J. Appl. Phys. 94, 4515 (2003).
18. M. Arzberger, U. Käsberg, G. Bohm, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 75, 3968 (2002).
19. W.-S. Liu and J.-I. Chyi, J. Appl. Phys. 97, 024312 (2005).
20. H. Y. Liu and M. Hopkinson, Appl. Phys. Lett. 82, 3644 (2003).
21. Y. Q. Wei, S. M. Wang, F. Ferdos, J. Vukusic, and A. Larsson, Appl. Phys. Lett. 81, 1621 (2002).
22. E. C. Le Ru, P. D. Siverns, and R. Murray, Appl. Phys. Lett. 77, 2446 (2000).
23. G. Saint-Girons and I. Sagnes, J. Appl. Phys. 91, 10115 (2002).