Homoepitaxial growth of vanadium-doped semi-insulating 4H-SiC using bis-trimethylsilylmethane and bis-cyclopentadienylvanadium precursors

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 1, 2008, Pages

  Song, Ho Keun ^a   Kwon, Sun Young ^a   Moon, Jeong Hyun ^a   Seo, Han Seok ^a   Yim, Jeong Hyuk ^a   Lee, Jong Ho ^a,b   Kim, Hyeong Joon ^a,b  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL DEFECTS; DOPING (ADDITIVES); EPITAXIAL GROWTH; GROWTH TEMPERATURE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VANADIUM COMPOUNDS;

CRYSTALLINITY; HOMOEPITAXIAL GROWTH; ORGANOSILICON; TRIMETHYLSILYLMETHANE;

EPITAXIAL LAYERS;

EID: 36448933162     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2800111     Document Type: Article

References (32)

1. H. J. Na, D. H. Kim, S. Y. Jung, I. B. Song, M. Y. Um, H. K. Song, J. K. Jeong, J. B. Lee, and H. J. Kim, Mater. Sci. Forum, 457-460, 1181 (2004).
2. U. K. Mishra, Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. Denbaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 46, 756 (1998).
3. Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov, J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978).
4. J. R. Jenny, D. P. Malta, M. R. Calus, St. G. Muller, A. R. Powell, V. F. Tsvetkov, H. McD. Hobgood, R. C. Glass, and C. H. Carter, Jr., Mater. Sci. Forum, 457-460, 35 (2004).
5. N. Achtziger, G. Pasold, R. Sielemann, C. Hulsen, J. Grillenberger, and W. Witthuhn, Phys. Rev. B, 62, 12888 (2000).
6. H. K. Song, S. Y. Kwon, H. S. Seo, J. H. Moon, J. H. Yim, J. H. Lee, H. J. Kim, and J. K. Jeong, Appl. Phys. Lett., 89, 152112 (2006).
7. H. K. Song, H. J. Na, S. Y. Jung, J. H. Moon, J. H. Yim, J. H. Lee, and H. J. Kim, J. Korean Phys. Soc., 47, S508 (2005).
8. W. Bahng and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 69, 4053 (1996).
9. J. K. Jeong, C. S. Hwang, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 149, G526 (2002).
10. J. K. Jeong, H. K. Song, M. Y. Um, H. J. Na, I. B. Song, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 151, G252 (2004).
11. J. R. Jenny, M. Skowronski, W. C. Mitchel, H. McD. Hobgood, R. C. Glass, G. Augustine, and R. H. Hopkins, J. Appl. Phys., 78, 3839 (1995).
12. M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, R. Weingartner, and A. Winnacker, Mater. Sci. Forum, 389-393, 139 (2002).
13. K. Maier, H. D. Muller, and J. Schneider, Mater. Sci. Forum, 83-87, 1183 (1992).
14. W. Si and M. Dudley, J. Electron. Mater., 26, 151 (1997).
15. C. Hallin, F. Owman, P. Martensson, A. Ellison, A. Konstantinov, O. Kordina, M. Linnarsson, and E. Janen, J. Cryst. Growth, 181, 241 (1997).
16. J. A. Powell and D. J. Larkin, Phys. Status Solidi B, 202, 529 (1997).
17. C. M. Schnalbel, M. Tabib-Azar, P. G. Neudeck, S. G. Bailey, and H. B. Su, Mater. Sci. Forum, 338-342, 489 (2000).
18. P. G. Neudeck, Mater. Sci. Forum, 338-342, 161 (2000).
19. X. Y. Ma, M. Parker, and T. S. Sudarshan, Appl. Phys. Lett., 80, 3298 (2002).
20. T. Ohno, H. Yamakuchi, S. Kuroda, K. Kroda, K. Kojima, T. Suzuki, and K. Arai, J. Cryst. Growth, 260, 209 (2004).
21. R. L. Schwoebel, J. Appl. Phys., 37, 3682 (1966).
22. T. Kimoto and H. Matsunami, J. Appl. Phys., 75, 850 (1994).
23. A. S. Bakin, S. I. Dorozhkin, A. O. Lebedev, B. A. Kirillov, A. A. Ivanov, and Yu. M. Tairov, J. Cryst. Growth, 198/199, 1015 (1999).
24. T. Kimoto, T. Nakajima, and H. Matsunami, Appl. Phys. Lett., 69, 1113 (1996).
25. R. K. Nadella and M. A. Capano, Appl. Phys. Lett., 70, 886 (1997).
26. A. Edwards, D. N. Dwight, M. V. Rao, M. C. Ridgway, G. Kelner, and N. Papanicolaou, J. Appl. Phys., 82, 4223 (1997).
27. E. N. Kalabukhova, S. N. Lukin, D. V. Savchenko, W. C. Mtchel, and W. D. Mitchell, Mater. Sci. Forum, 457-460, 501 (2004).
28. B. J. Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS, Boston (1996).
29. W. C. Mitchel, R. Perrin, J. Goldstein, A. Saxler, M. Roth, S. R. Smith, J. S. Solomon, and A. O. Evwaraye, J. Appl. Phys., 86, 5040 (1999).
30. S. Kagamihara, H. Matsuura, T. Hatakeyama, T. Watanabe, M. Kushibe, T. Shinohe, and K. Arai, J. Appl. Phys., 96, 5601 (2004).
31. F. La Via, G. Galvagno, F. Roccaforte, A. Ruggiero, and L. Calcagno, Appl. Phys. Lett., 87, 142105 (2005).
32. S. K. Cheung and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett., 49 (2), 85 (1986).