Photopatterning of an organic monolayer formed on a Si single crystal surface via Si-C covalent bond by UV irradiation in an inert atmosphere

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 45, Issue 11, 2006, Pages 8961-8966

  Takakusagi, Satoru ^a   Uosaki, Kohei ^a  

^a HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

Electroless deposition; Organic monolayer; Photopatterning; Silicon; Template

Indexed keywords

ARGON; BONDING; SINGLE CRYSTALS; ULTRAVIOLET RADIATION;

ORGANIC MONOLAYER; PHOTOPATTERNING;

MONOLAYERS;

EID: 34248149195     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.8961     Document Type: Article

References (53)

1. A. Ulman: An Introduction to Ultrathin Organic Films from Langmuir-Blodgett to Self-Assembly (Academic Press, New York, 1991).
2. K. Uosaki, T. Kondo, X.-Q. Zhang and M. Yanagida: J. Am. Chem. Soc. 119 (1997) 8367.
3. R. Yamada and K. Uosaki: Langmuir 14 (1998) 855.
4. J. Sagiv: J. Am. Chem. Soc. 102 (1980) 92.
5. M. Rittner, M. S. Martin-Gonzalez, A. Flores, H. Schweizer, F. Effenberger and M. H. Pilkuhn: J. Appl. Phys. 98 (2005) 054312.
6. J. M. Buriak: Chem. Rev. 102 (2002) 1271.
7. D. D. M. Wayner and R. A. Wolkow: J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2 (2002) 23.
8. M. E. Quayum, T. Kondo, S. Nihonyanagi, D. Miyamoto and K. Uosaki: Chem. Lett. (2002) 208.
9. S. Nihonyanagi, D. Miyamoto, S. Idojiri and K. Uosaki: J. Am. Chem. Soc. 126 (2004) 7034.
10. T. Masuda and K. Uosaki: Chem. Lett. 33 (2004) 788.
11. J. Zhao and K. Uosaki: J. Phys. Chem. B 108 (2004) 17129.
12. C Miramond and D. Vuillaume: J. Appl. Phys. 96 (2004) 1529.
13. R. K. Smith, P. A. Lewis and P. S. Weiss: Prog. Surf. Sci. 75 (2004) 1.
14. J. Chai, B. Li and D. Y. Kwok: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 034107.
15. C. O'Dweyer, G. Gay, B. Viaris de Lesengno and J. Weinen J. Appl. Phys. 97 (2005) 114309.
16. G.-Y. Liu, S. Xu and Y. Qian: Acc. Chem. Res. 33 (2000) 457.
17. Y. Zhang, E. Balaur, S. Maupai, T. Djenizian, R. Boukherroub and P. Schmuki: Electrochem. Commun. 5 (2003) 337.
18. P. T. Hurley, A. E. Ribbe and J. M. Buriak: J. Am. Chem. Soc. 125 (2003) 11334.
19. L. M. Demers, D. S. Ginger, S.-J. Park, Z. Li, S.-W. Chung and C. A. Mirkin: Science 296 (2002) 1836.
20. K. B. Lee, S. J. Park, C. A. Mirkin, J. C. Smith and M. Mrksich: Science 295 (2002) 1702.
21. G. Agarwal, L. A. Sowards, R. R. Naik and M. O. Stone: J. Am. Chem. Soc. 125 (2002) 580.
22. H. Sugimura, O. Takai and N. Nakagiri: J. Electroanal. Chem. 473 (1999) 230.
23. J. Zhao and K. Uosaki: Lnagmuir 17 (2001) 7784.
24. M. Ara, H. Graaf and H. Tada: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2565.
25. B. W. Maynor, S. F. Filocamo, M. W. Grinstaff and J. Liu: J. Am. Chem. Soc. 124 (2002) 522.
26. J. Zhao and K. Uosaki: Nano Lett. 2 (2002) 137.
27. Y. Xia and G. M. Whitesides: Angew. Chem., Int. Ed. 37 (1998) 550.
28. I. Thorn, G. Hähner and M. Buck: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 024101.
29. M. J. Tarlov, D. R. F. Burgess, Jr. and G. Gillen: J. Am. Chem. Soc. 115 (1993) 5305.
30. M. Lewis, M. Tarlov and K. Carron: J. Am. Chem. Soc. 117 (1995) 9574.
31. G. E. Poirier, T. M. Herne, C. C. Miller and M. J. Tarlov: J. Am. Chem. Soc. 121 (1999) 9703.
32. J. Huang and J. C. Hemminger: J. Am. Chem. Soc. 115 (1993) 3342.
33. J. Huang, D. A. Dahlgren and J. C. Hemminger: Langmuir 10 (1994) 626.
34. J. M. Behm, K. R. Lykke, M. J. Pellin and J. C. Hemminger: Langmuir 12 (1996) 2121
35. M. H. Schoenfisch and J. E. Pemberton: J. Am. Chem. Soc. 120 (1998) 4502.
36. Y. Zhang, R. H. Terrill, T. A. Tanzer and P. W. Bohn: J. Am. Chem. Soc. 120 (1998) 2654.
37. K. L. Norrod and K. L. Rowlen: J. Am. Chem. Soc. 120 (1998) 2656.
38. M. M. Ferris and K. L. Rowlen: Appl. Spectrosc. 54 (2000) 664.
39. Y. Paz, S. Trakhtenberg and R. Naaman: J. Phys. Chem. 96 (1992) 10964.
40. Y. Paz, S. Trakhtenberg and R. Naaman: J. Phys. Chem. 98 (1994) 13517.
41. Y. Paz, S. Trakhtenberg and R. Naaman: J. Am. Chem. Soc. 116 (1994) 10344.
42. D. W. Moon, A. Kurokawa, S. Ichimura, H. W. Lee and I. C Jeon: J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1999) 150.
43. T. Ye, D. Wynn, R. Dudek and E. Borguet: Langmuir 17 (2001) 4497.
44. N. Saito, Y. Kadoya, K. Hayashi, H. Sugimura and O. Takai: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2534.
45. N. Shirahata, T. Yonezawa, W.-S. Seo and K. Koumoto: Langmuir 20 (2004) 1517.
46. N. Shirahata, K. Oda, S. Asakura, A. Fuwa, Y. Yokogawa, T. Kameyama and A. Hozumi: J. Vac. Sci. Technol. A 22 (2004) 1615.
47. K. Uosaki, M. E. Quayum, S. Nihonyanagi and T. Kondo: Langmuir 20 (2004) 1207.
48. Practical Surface Analysis, ed. D. Briggs and M. P. Seah (Wiley, Chichester, 1990) Vol. 1.
49. S. Ye, T. Ichihara and K. Uosaki: J. Electrochem. Soc. 148 (2001) C421.
50. E. Balaur, T. Djenizian, R. Boukherroub, J. N. Chazalviel, F. Ozanam and P. Schmuki: Electrochem. Commun. 6 (2004) 153.
51. R. Krumm, B. Guel, C. Schmitz and G. Staikov: Electrochim. Acta 45 (2000) 3255.
52. L. A. Nagahara, T. Ohmori, K. Hashimoto and A. Fujishima: J. Electroanal. Chem. 333 (1992) 363.
53. H. Ebneth: in Handbook of Theory and Practice, ed. R. Suchentrunk (ASM International, Materials Park, OH, 1993) p. 30.