GaN ultraviolet photodetector with a low-temperature AlN cap layer

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 6, 2007, Pages 196-198

  Chang, S J ^a   Yu, C L ^a   Chang, P C ^b   Lin, Y C ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; LEAKAGE CURRENTS; QUANTUM EFFICIENCY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; ULTRAVIOLET RADIATION;

CAP LAYERS; INCIDENT WAVELENGTH; REJECTION RATIO;

PHOTODETECTORS;

EID: 34047269092     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2722039     Document Type: Article

References (27)

1. N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett., 16, 1718 (2004).
2. S. J. Chang, C. L. Yu, R. W. Chuang, P. C. Chang, Y. C. Lin, Y. W. Jhan, and C. H. Chen, IEEE Sens. J., 6, 1043 (2006).
3. S. J. Chang, T. K. Ko, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. C. Lin, W. S. Chen, and C. F. Shen, IEEE Sens. J., 6, 406 (2006).
4. J. K. Kim and J. L. Lee, J. Electrochem. Soc., 151, G190 (2004).
5. J. L. Li, W. R. Donaldson, and T. Y. Hsiang, IEEE Photon. Technol. Lett., 15, 1141 (2003).
6. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys., 79, 7433 (1996).
7. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 407 (2001).
8. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett., 68, 1850 (1996).
9. L. W. Tu, W. C. Kuo, K. H. Lee, P. H. Tsao, C. M. Lai, A. K. Chu, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett., 77, 3788 (2000).
10. C. T. Lee, H. W. Chen, and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 82, 4304 (2003).
11. M. L. Lee, J. K. Sheu, Y. K. Su, S. J. Chang, W. C. Lai, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 25, 593 (2004).
12. S. J. Chang, M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang, C. J. Kao, G. C. Chi, and J. M. Tsai, IEEE Electron Device Lett., 24, 212 (2003).
13. M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, S. J. Chang, C. J. Kao, C. J. Tun, M. G. Chen, W. H. Chang, G. C. Chi, and J. M. Tsai, J. Appl. Phys., 94, 1753 (2003).
14. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. Redwing, J. Appl. Phys., 88, 1983 (2000).
15. S. Imanaga, F. Nakamura, and H. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 1194 (2001).
16. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 559 (2001).
17. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 278 (2002).
18. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen, and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 744 (2002).
19. J. I. Lee, J. Brini, and C. A. Dimitriadis, Electron. Lett., 34, 1268 (1998).
20. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett., 79, 1417 (2001).
21. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett., 80, 347 (2002).
22. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys., 79, 7433 (1996).
23. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., p. 745, John Wiley, New York (1981).
24. E. Uiga, Optoelectronics, p. 208, Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ (1995).
25. H. Jiang, N. Nakata, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, C. L. Shao, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 40, L505 (2001).
26. V. Adivarahan, G. Simin, J. W. Yang, A. Lunev, M. A. Khan, N. Pala, M. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 77, 863 (2000).
27. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett., 79, 1417 (2001).